{"id":2327,"date":"2026-04-21T06:21:20","date_gmt":"2026-04-21T06:21:20","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2327"},"modified":"2026-04-21T06:21:21","modified_gmt":"2026-04-21T06:21:21","slug":"wafer-thinning-system-precision-back-grinding-equipment-for-si-sic-and-4-to-12-inch-semiconductor-wafers","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/product\/wafer-thinning-system-precision-back-grinding-equipment-for-si-sic-and-4-to-12-inch-semiconductor-wafers\/","title":{"rendered":"Syst\u00e8me d'amincissement des wafers \u00c9quipement de meulage arri\u00e8re de pr\u00e9cision pour les wafers Si SiC et les wafers semi-conducteurs de 4 \u00e0 12 pouces"},"content":{"rendered":"

\"Syst\u00e8meL'\u00e9quipement de meulage arri\u00e8re de pr\u00e9cision Wafer Thinning System est une solution de traitement des plaquettes de haute pr\u00e9cision con\u00e7ue pour la fabrication avanc\u00e9e de semi-conducteurs. Il prend en charge les plaquettes de 4 \u00e0 12 pouces, y compris le silicium (Si), le carbure de silicium (SiC), l'ars\u00e9niure de gallium (GaAs), le saphir et d'autres mat\u00e9riaux semi-conducteurs compos\u00e9s fragiles.<\/p>\n

Ce syst\u00e8me est con\u00e7u pour l'amincissement ultra-pr\u00e9cis de la face arri\u00e8re des plaquettes, ce qui permet de r\u00e9duire l'\u00e9paisseur \u00e0 des niveaux de l'ordre du micron et du sous-micron tout en conservant une excellente int\u00e9grit\u00e9 de la surface. Il joue un r\u00f4le essentiel dans l'emballage avanc\u00e9, les dispositifs de puissance, les MEMS et la fabrication de semi-conducteurs compos\u00e9s.<\/p>\n

En int\u00e9grant une conception m\u00e9canique \u00e0 haute rigidit\u00e9, un contr\u00f4le pr\u00e9cis de l'axe Z et une surveillance de l'\u00e9paisseur en temps r\u00e9el, l'\u00e9quipement garantit des performances de traitement stables et reproductibles pour la production \u00e0 l'\u00e9chelle industrielle.<\/p>\n

\n

Principales caract\u00e9ristiques techniques<\/span><\/h2>\n

Contr\u00f4le d'\u00e9paisseur de haute pr\u00e9cision<\/span><\/h3>\n
    \n
  • Pr\u00e9cision de l'\u00e9paisseur : \u00b11 \u03bcm<\/li>\n
  • Variation totale de l'\u00e9paisseur (TTV) : \u22642 \u03bcm<\/li>\n
  • Les mod\u00e8les avanc\u00e9s permettent un contr\u00f4le submicronique jusqu'\u00e0 \u00b10,5 \u03bcm.<\/li>\n<\/ul>\n

    \"\"Large compatibilit\u00e9 avec les mat\u00e9riaux<\/span><\/h3>\n

    Prend en charge une large gamme de mat\u00e9riaux semi-conducteurs et fragiles :<\/p>\n

      \n
    • Silicium (Si)<\/li>\n
    • Carbure de silicium (SiC)<\/li>\n
    • Ars\u00e9niure de gallium (GaAs)<\/li>\n
    • Saphir (Al\u2082O\u2083)<\/li>\n
    • Autres plaquettes semi-conductrices compos\u00e9es<\/li>\n<\/ul>\n

      Compatibilit\u00e9 avec la taille des plaquettes<\/span><\/h3>\n
        \n
      • Gaufrettes de 4 pouces \/ 6 pouces \/ 8 pouces \/ 10 pouces \/ 12 pouces<\/li>\n
      • Manipulation souple des substrats standard et personnalis\u00e9s<\/li>\n<\/ul>\n

        Syst\u00e8me m\u00e9canique \u00e0 haute stabilit\u00e9<\/span><\/h3>\n
          \n
        • Broche \u00e0 coussin d'air \u00e0 haute rigidit\u00e9<\/li>\n
        • Plate-forme de meulage de pr\u00e9cision \u00e0 faibles vibrations<\/li>\n
        • Vis \u00e0 billes import\u00e9e + syst\u00e8me de guidage lin\u00e9aire<\/li>\n
        • Commande de servomoteur de haute pr\u00e9cision (r\u00e9solution de 0,1 \u03bcm).<\/li>\n<\/ul>\n

          Syst\u00e8me de refroidissement avanc\u00e9<\/span><\/h3>\n
            \n
          • Le syst\u00e8me de broche refroidi \u00e0 l'eau assure la stabilit\u00e9 thermique<\/li>\n
          • Pr\u00e9vient la d\u00e9formation lors du broyage \u00e0 grande vitesse<\/li>\n<\/ul>\n
            \n

            Configuration du syst\u00e8me<\/span><\/h2>\n

            Le syst\u00e8me d'amincissement des gaufres int\u00e8gre plusieurs modules fonctionnels :<\/p>\n

            1. Module de rectification de pr\u00e9cision<\/span><\/h3>\n

            Effectue un enl\u00e8vement de mati\u00e8re contr\u00f4l\u00e9 avec une grande uniformit\u00e9 de surface.<\/p>\n

            2. Syst\u00e8me de contr\u00f4le de pr\u00e9cision de l'axe Z<\/span><\/h3>\n

            Permet un r\u00e9glage vertical ultrafin pour une \u00e9paisseur de gaufre constante.<\/p>\n

            3. Syst\u00e8me de mesure de l'\u00e9paisseur<\/span><\/h3>\n

            Les mesures en temps r\u00e9el avec ou sans contact garantissent la stabilit\u00e9 du processus.<\/p>\n

            4. Mandrin \u00e0 vide pour plaquettes<\/span><\/h3>\n

            Fixation s\u00fbre des gaufres, y compris des solutions personnalis\u00e9es pour les gaufres irr\u00e9guli\u00e8res.<\/p>\n

            5. Syst\u00e8me de contr\u00f4le de l'automatisation<\/span><\/h3>\n
              \n
            • Modes de fonctionnement automatique \/ semi-automatique<\/li>\n
            • Enregistrement du journal des op\u00e9rations<\/li>\n
            • Contr\u00f4le de processus bas\u00e9 sur des recettes<\/li>\n<\/ul>\n
              \n

              \"\" Capacit\u00e9s de traitement<\/span><\/h2>\n

              Le syst\u00e8me est con\u00e7u pour le traitement \u00e0 haute performance de la face arri\u00e8re des plaquettes de silicium :<\/p>\n

                \n
              • Broyage arri\u00e8re de plaquettes de silicium<\/li>\n
              • Amincissement des plaquettes de SiC pour les dispositifs de puissance<\/li>\n
              • amincissement des substrats GaN et GaAs<\/li>\n
              • Amincissement de pr\u00e9cision des plaquettes de saphir<\/li>\n
              • Pr\u00e9paration de plaquettes ultra-minces pour l'emballage 3D<\/li>\n<\/ul>\n
                \n

                Applications<\/span><\/h2>\n

                1. Dispositifs \u00e0 semi-conducteurs de puissance<\/span><\/h3>\n

                Utilis\u00e9 dans les MOSFET SiC, les IGBT et les dispositifs \u00e0 haute tension n\u00e9cessitant des plaquettes ultra-minces.<\/p>\n

                \"\"2. Emballage avanc\u00e9<\/span><\/h3>\n

                Prise en charge de l'amincissement des plaquettes pour :<\/p>\n

                  \n
                • Emballage des puces<\/li>\n
                • Int\u00e9gration de circuits int\u00e9gr\u00e9s 2,5D \/ 3D<\/li>\n
                • Proc\u00e9d\u00e9s TSV (Through Silicon Via)<\/li>\n<\/ul>\n

                  3. Semi-conducteurs compos\u00e9s<\/span><\/h3>\n

                  Applicable \u00e0 la fabrication de dispositifs GaN, GaAs et InP.<\/p>\n

                  4. LED et opto\u00e9lectronique<\/span><\/h3>\n

                  Amincissement de plaquettes de saphir et de compos\u00e9s pour les puces LED et les dispositifs optiques.<\/p>\n

                  \n

                  Avantages<\/span><\/h2>\n
                    \n
                  • Technologie mature et stable d'amincissement des gaufres<\/li>\n
                  • Syst\u00e8me de meulage de haute pr\u00e9cision \u00e0 l'entr\u00e9e<\/li>\n
                  • Excellent contr\u00f4le de la rugosit\u00e9 de la surface<\/li>\n
                  • UPH \u00e9lev\u00e9 (jusqu'\u00e0 30 plaquettes\/heure pour les processus standard)<\/li>\n
                  • Forte adaptabilit\u00e9 aux mat\u00e9riaux cassants et durs<\/li>\n
                  • Capacit\u00e9 d'int\u00e9gration de processus enti\u00e8rement automatis\u00e9s<\/li>\n<\/ul>\n
                    \n

                    Points forts de la performance<\/span><\/h2>\n
                      \n
                    • R\u00e9solution minimale : 0,1 \u03bcm\/s Contr\u00f4le de l'axe Z<\/li>\n
                    • Homog\u00e9n\u00e9it\u00e9 de l'\u00e9paisseur : \u22641-2 \u03bcm TTV<\/li>\n
                    • Broche \u00e0 grande vitesse avec tr\u00e8s peu de vibrations<\/li>\n
                    • Surveillance et enregistrement des processus en temps r\u00e9el<\/li>\n
                    • Compatible avec les environnements de R&D et de production de masse<\/li>\n<\/ul>\n
                      \n

                      Options de personnalisation<\/span><\/h2>\n

                      Nous proposons une personnalisation flexible pour r\u00e9pondre aux diff\u00e9rents besoins industriels :<\/p>\n

                        \n
                      • Mandrins de plaquettes sur mesure (formes irr\u00e9guli\u00e8res)<\/li>\n
                      • Plage de mesure de l'\u00e9paisseur \u00e9tendue (jusqu'\u00e0 40 mm)<\/li>\n
                      • Personnalisation de la recette du processus<\/li>\n
                      • Int\u00e9gration de l'automatisation avec les \u00e9quipements en amont et en aval<\/li>\n<\/ul>\n
                        \n

                        FAQ<\/span><\/h2>\n

                        Q1 : Ce syst\u00e8me peut-il traiter des plaquettes de SiC ?<\/span><\/h3>\n

                        Oui, il est sp\u00e9cifiquement optimis\u00e9 pour l'amincissement des plaquettes de SiC et le meulage de la face arri\u00e8re, adapt\u00e9 aux applications des dispositifs de puissance.<\/p>\n

                        Q2 : Quelle est la pr\u00e9cision d'\u00e9paisseur r\u00e9alisable ?<\/span><\/h3>\n

                        Les mod\u00e8les standard atteignent \u00b11 \u03bcm, et les configurations haut de gamme peuvent atteindre \u00b10,5 \u03bcm avec un TTV \u22641 \u03bcm.<\/p>\n

                        Q3 : Permet-il une automatisation compl\u00e8te ?<\/span><\/h3>\n

                        Oui, les modes automatique et semi-automatique sont disponibles en fonction des exigences de production.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                        L'\u00e9quipement de meulage arri\u00e8re de pr\u00e9cision Wafer Thinning System est une solution de traitement des plaquettes de haute pr\u00e9cision con\u00e7ue pour la fabrication avanc\u00e9e de semi-conducteurs. Il prend en charge les plaquettes de 4 \u00e0 12 pouces, y compris le silicium (Si), le carbure de silicium (SiC), l'ars\u00e9niure de gallium (GaAs), le saphir et d'autres mat\u00e9riaux semi-conducteurs compos\u00e9s fragiles. Ce syst\u00e8me est con\u00e7u pour un amincissement ultra-pr\u00e9cis de la face arri\u00e8re des plaquettes, permettant de r\u00e9duire l'\u00e9paisseur \u00e0 des niveaux de l'ordre du micron et du sous-micron tout en conservant une excellente int\u00e9grit\u00e9 de la surface.<\/p>","protected":false},"featured_media":2330,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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