{"id":2196,"date":"2026-04-14T06:34:45","date_gmt":"2026-04-14T06:34:45","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2196"},"modified":"2026-04-14T06:34:48","modified_gmt":"2026-04-14T06:34:48","slug":"2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/product\/2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer\/","title":{"rendered":"Plaquette de carbure de silicium 6H-N de 2 pouces"},"content":{"rendered":"

\"PlaquetteLa plaquette de carbure de silicium 6H-N de 2 pouces est un substrat monocristallin con\u00e7u \u00e0 la fois pour la recherche et pour les applications au niveau des appareils. Le polytype 6H pr\u00e9sente une structure cristalline hexagonale qui assure une conductivit\u00e9 \u00e9lectrique stable et de bonnes performances thermiques dans des conditions exigeantes.<\/p>\n

Avec une bande interdite d'environ 3,02 eV, le 6H-SiC permet de fonctionner dans des environnements o\u00f9 les mat\u00e9riaux traditionnels \u00e0 base de silicium \u00e9chouent, en particulier dans des conditions de haute tension, de haute temp\u00e9rature et de haute fr\u00e9quence. Il convient donc au prototypage de dispositifs \u00e0 un stade pr\u00e9coce, aux essais de mat\u00e9riaux et \u00e0 la fabrication de composants \u00e9lectroniques sp\u00e9cialis\u00e9s.<\/p>\n

Les plaquettes de SiC de ZMSH sont fabriqu\u00e9es \u00e0 l'aide de techniques de croissance cristalline contr\u00f4l\u00e9e afin de garantir une r\u00e9sistivit\u00e9 constante, une faible densit\u00e9 de d\u00e9fauts et une qualit\u00e9 de surface \u00e9lev\u00e9e. Ces param\u00e8tres sont essentiels pour garantir la reproductibilit\u00e9 des r\u00e9sultats exp\u00e9rimentaux et la stabilit\u00e9 des performances des dispositifs.<\/p>\n

Caract\u00e9ristiques principales<\/h2>\n

Structure conductrice de type N<\/h3>\n

La plaquette est dop\u00e9e de type N, ce qui permet d'obtenir des voies de conduction \u00e9lectronique stables, adapt\u00e9es \u00e0 la fabrication de dispositifs semi-conducteurs et aux exp\u00e9riences de caract\u00e9risation \u00e9lectrique.<\/p>\n

Mat\u00e9riau semi-conducteur \u00e0 large bande passante<\/h3>\n

Avec une bande interdite de ~3,02 eV, le SiC supporte une intensit\u00e9 de champ \u00e9lectrique nettement sup\u00e9rieure \u00e0 celle du silicium, ce qui permet un fonctionnement \u00e0 haute tension et une meilleure efficacit\u00e9 des dispositifs.<\/p>\n

Conductivit\u00e9 thermique \u00e9lev\u00e9e<\/h3>\n

Le SiC pr\u00e9sente une excellente conductivit\u00e9 thermique, ce qui permet une dissipation efficace de la chaleur des zones actives du dispositif. Cela am\u00e9liore la fiabilit\u00e9 du dispositif et prolonge sa dur\u00e9e de vie dans les applications \u00e0 haute puissance.<\/p>\n

R\u00e9sistance m\u00e9canique \u00e9lev\u00e9e<\/h3>\n

Avec une duret\u00e9 de Mohs d'environ 9,2, les plaquettes de SiC offrent une forte r\u00e9sistance aux dommages m\u00e9caniques, \u00e0 l'usure de surface et aux contraintes de traitement au cours de la fabrication.<\/p>\n

Champ \u00e9lectrique de rupture \u00e9lev\u00e9<\/h3>\n

L'intensit\u00e9 \u00e9lev\u00e9e du champ de rupture permet d'obtenir des structures compactes tout en maintenant une tol\u00e9rance \u00e9lev\u00e9e \u00e0 la tension, ce qui rend le SiC id\u00e9al pour l'\u00e9lectronique de puissance avanc\u00e9e.<\/p>\n

Sp\u00e9cifications techniques<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Param\u00e8tres<\/th>\nSp\u00e9cifications<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Mat\u00e9riau<\/td>\nCarbure de silicium monocristallin<\/td>\n<\/tr>\n
Marque<\/td>\nZMSH<\/td>\n<\/tr>\n
Polytype<\/td>\n6H-N<\/td>\n<\/tr>\n
Diam\u00e8tre<\/td>\n2 pouces (50,8 mm)<\/td>\n<\/tr>\n
\u00c9paisseur<\/td>\n350 \u03bcm \/ 650 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Type de conductivit\u00e9<\/td>\nType N<\/td>\n<\/tr>\n
Finition de la surface<\/td>\nCMP Si-face polie<\/td>\n<\/tr>\n
Traitement du visage en C<\/td>\nPolissage m\u00e9canique<\/td>\n<\/tr>\n
Rugosit\u00e9 de surface<\/td>\nRa < 0,2 nm (face Si)<\/td>\n<\/tr>\n
R\u00e9sistivit\u00e9<\/td>\n0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n
Couleur<\/td>\nTransparent \/ Vert clair<\/td>\n<\/tr>\n
Emballage<\/td>\nConteneur \u00e0 tranche unique<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Propri\u00e9t\u00e9s du mat\u00e9riau 6H-SiC<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Propri\u00e9t\u00e9<\/th>\nValeur<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Param\u00e8tres du treillis<\/td>\na = 3,073 \u00c5, c = 15,117 \u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
Duret\u00e9 Mohs<\/td>\n\u2248 9.2<\/td>\n<\/tr>\n
Densit\u00e9<\/td>\n3,21 g\/cm\u00b3<\/td>\n<\/tr>\n
Coefficient de dilatation thermique<\/td>\n4-5 \u00d710-\u2076 \/K<\/td>\n<\/tr>\n
Indice de r\u00e9fraction (750 nm)<\/td>\nn\u2080 = 2,60, n\u2091 = 2,65<\/td>\n<\/tr>\n
Constante di\u00e9lectrique<\/td>\n\u2248 9.66<\/td>\n<\/tr>\n
Conductivit\u00e9 thermique<\/td>\n~3,7-3,9 W\/cm-K<\/td>\n<\/tr>\n
Bande interdite<\/td>\n3,02 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Champ \u00e9lectrique de rupture<\/td>\n3-5 \u00d710\u2076 V\/cm<\/td>\n<\/tr>\n
Saturation D\u00e9rive Vitesse<\/td>\n2,0 \u00d710\u2075 m\/s<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Ces propri\u00e9t\u00e9s physiques intrins\u00e8ques font du 6H-SiC un mat\u00e9riau adapt\u00e9 aux applications n\u00e9cessitant des performances stables dans des conditions \u00e9lectriques et thermiques extr\u00eames.<\/p>\n

\"PlaquetteProcessus de fabrication<\/h2>\n

Les plaquettes monocristallines de SiC sont g\u00e9n\u00e9ralement produites \u00e0 l'aide de la technologie M\u00e9thode du transport physique de vapeur (PVT)<\/strong>, Le proc\u00e9d\u00e9 de croissance des cristaux de semi-conducteurs \u00e0 large bande passante est un proc\u00e9d\u00e9 industriel \u00e9prouv\u00e9.<\/p>\n

Dans ce processus, le mat\u00e9riau source SiC de haute puret\u00e9 est sublim\u00e9 \u00e0 des temp\u00e9ratures sup\u00e9rieures \u00e0 2000\u00b0C. Les esp\u00e8ces de vapeur sont transport\u00e9es \u00e0 travers un gradient thermique soigneusement contr\u00f4l\u00e9. Les esp\u00e8ces de vapeur sont transport\u00e9es \u00e0 travers un gradient thermique soigneusement contr\u00f4l\u00e9 et recristallis\u00e9es sur un cristal de d\u00e9part, formant un lingot monocristallin (boule). Apr\u00e8s la croissance, la boule est transform\u00e9e en plaquettes par des \u00e9tapes de tranchage, de rodage, de polissage et de nettoyage.<\/p>\n

Pour les applications de dispositifs, les plaquettes peuvent \u00eatre soumises \u00e0 des contr\u00f4les suppl\u00e9mentaires. Croissance \u00e9pitaxiale par d\u00e9p\u00f4t chimique en phase vapeur (CVD)<\/strong>, qui permet un contr\u00f4le pr\u00e9cis de la concentration de dopage et de l'\u00e9paisseur de la couche. Cette \u00e9tape est essentielle pour la fabrication des MOSFET et des diodes.<\/p>\n

Applications<\/h2>\n

\u00c9lectronique de puissance<\/h3>\n

Les plaquettes SiC 6H-N de 2 pouces sont utilis\u00e9es pour le d\u00e9veloppement et le prototypage de dispositifs semi-conducteurs de puissance, y compris les diodes, les structures MOSFET et les modules de puissance. Ces dispositifs sont essentiels pour les syst\u00e8mes de conversion d'\u00e9nergie et les circuits de gestion de l'\u00e9nergie.<\/p>\n

\u00c9lectronique \u00e0 haute temp\u00e9rature<\/h3>\n

Les mat\u00e9riaux SiC conservent des performances \u00e9lectriques stables \u00e0 des temp\u00e9ratures \u00e9lev\u00e9es, ce qui les rend adapt\u00e9s \u00e0 l'\u00e9lectronique a\u00e9rospatiale, aux syst\u00e8mes de surveillance industrielle et aux applications d'infrastructure \u00e9nerg\u00e9tique.<\/p>\n

Recherche et d\u00e9veloppement dans le domaine des semi-conducteurs<\/h3>\n

En raison de leur disponibilit\u00e9 et de leur rentabilit\u00e9, les plaquettes de 2 pouces sont largement utilis\u00e9es dans les laboratoires universitaires, les instituts de recherche et les environnements de production pilote pour l'\u00e9tude des mat\u00e9riaux et l'exp\u00e9rimentation des dispositifs.<\/p>\n

Applications opto\u00e9lectroniques et sp\u00e9ciales<\/h3>\n

Le SiC pr\u00e9sente \u00e9galement une transparence optique dans certaines gammes de longueurs d'onde, ce qui permet de l'utiliser dans des applications de recherche photonique et opto\u00e9lectronique sp\u00e9cialis\u00e9es.<\/p>\n

Avantages\"Plaquette<\/h2>\n

La plate-forme de plaquettes SiC de 2 pouces offre plusieurs avantages pour la recherche et le d\u00e9veloppement :<\/p>\n

    \n
  • Co\u00fbt inf\u00e9rieur \u00e0 celui des plaquettes de plus grande taille<\/li>\n
  • Manipulation plus facile pour les exp\u00e9riences \u00e0 l'\u00e9chelle du laboratoire<\/li>\n
  • Convient pour le prototypage rapide et les essais de processus<\/li>\n
  • Qualit\u00e9 de cristal stable pour des r\u00e9sultats reproductibles<\/li>\n
  • Options de personnalisation flexibles pour les besoins de la recherche<\/li>\n<\/ul>\n

    FAQ<\/h2>\n

    Q1 : Quelle est la diff\u00e9rence entre le 6H-SiC et le 4H-SiC ?<\/h3>\n

    Le 6H-SiC et le 4H-SiC sont des polytypes de cristaux diff\u00e9rents. Le 4H-SiC offre g\u00e9n\u00e9ralement une plus grande mobilit\u00e9 des \u00e9lectrons et est largement utilis\u00e9 dans les dispositifs commerciaux de puissance, tandis que le 6H-SiC offre un comportement \u00e9lectrique stable et est couramment utilis\u00e9 dans la recherche et les applications \u00e9lectroniques sp\u00e9cifiques.<\/p>\n

    Q2 : Quel traitement de surface est appliqu\u00e9 \u00e0 la plaquette ?<\/h3>\n

    La face Si est polie par polissage m\u00e9canique chimique (CMP) pour obtenir une qualit\u00e9 de surface ultra lisse (Ra < 0,2 nm). La face C est polie m\u00e9caniquement pour r\u00e9pondre \u00e0 diff\u00e9rentes exigences de traitement.<\/p>\n

    Q3 : Les sp\u00e9cifications des plaquettes peuvent-elles \u00eatre personnalis\u00e9es ?<\/h3>\n

    Oui. ZMSH propose des options de personnalisation, notamment l'\u00e9paisseur, la concentration de dopage, la plage de r\u00e9sistivit\u00e9 et la pr\u00e9paration de la surface, en fonction des besoins du client.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    ZMSH fournit des plaquettes de carbure de silicium (SiC) de 2 pouces 6H-N de haute qualit\u00e9 con\u00e7ues pour la recherche sur les semi-conducteurs, le d\u00e9veloppement de l'\u00e9lectronique de puissance et la fabrication de dispositifs \u00e9lectroniques \u00e0 haute performance. Le carbure de silicium est un mat\u00e9riau semi-conducteur \u00e0 large bande interdite qui offre des propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques, thermiques et m\u00e9caniques sup\u00e9rieures \u00e0 celles des substrats en silicium (Si) conventionnels.<\/p>","protected":false},"featured_media":2197,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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