![\"Plaquette](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd2-300x300.webp\")
<\/p>\nLa plaquette de 6 pouces en carbure de silicium 4H-N est un substrat semi-conducteur \u00e0 large bande interdite con\u00e7u pour les dispositifs \u00e9lectroniques de puissance de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration. Par rapport aux mat\u00e9riaux traditionnels \u00e0 base de silicium, le carbure de silicium offre un champ \u00e9lectrique de rupture nettement plus \u00e9lev\u00e9, une conductivit\u00e9 thermique sup\u00e9rieure et des performances stables dans des conditions de haute temp\u00e9rature et de haute tension.<\/p>\n
La large bande interdite d'environ 3,26 eV permet aux dispositifs \u00e0 base de SiC de fonctionner \u00e0 des tensions et des fr\u00e9quences de commutation plus \u00e9lev\u00e9es tout en maintenant des pertes d'\u00e9nergie plus faibles. Par cons\u00e9quent, le SiC est devenu un mat\u00e9riau essentiel pour les syst\u00e8mes de conversion d'\u00e9nergie \u00e0 haut rendement, notamment les v\u00e9hicules \u00e9lectriques, les syst\u00e8mes d'\u00e9nergie renouvelable et les alimentations \u00e9lectriques industrielles.<\/p>\n
Le format de plaquette de 6 pouces (classe 150 mm) est actuellement le principal standard industriel pour la fabrication de dispositifs SiC. Il offre un \u00e9quilibre optimal entre le rendement de production, la maturit\u00e9 du processus et la rentabilit\u00e9, ce qui le rend adapt\u00e9 \u00e0 la fois \u00e0 la production de masse et aux applications de recherche avanc\u00e9e.<\/p>\n
Le 4H-SiC est le polytype le plus utilis\u00e9 dans l'\u00e9lectronique de puissance en raison de sa sym\u00e9trie cristalline favorable et de ses performances \u00e9lectriques.<\/p>\n
Les principales propri\u00e9t\u00e9s intrins\u00e8ques sont les suivantes<\/p>\n
Ces propri\u00e9t\u00e9s font du SiC un mat\u00e9riau essentiel pour les dispositifs semi-conducteurs \u00e0 haute puissance et \u00e0 haut rendement.<\/p>\n
![\"Plaquette](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd4-300x300.webp\")
Croissance des cristaux et processus de fabrication<\/h2>\nLes plaquettes de SiC sont g\u00e9n\u00e9ralement fabriqu\u00e9es \u00e0 l'aide de la m\u00e9thode de transport physique de vapeur (PVT), un proc\u00e9d\u00e9 industriel \u00e9prouv\u00e9 pour la croissance de cristaux de SiC en vrac.<\/p>\n
Dans ce processus, la poudre de SiC de haute puret\u00e9 est sublim\u00e9e \u00e0 des temp\u00e9ratures sup\u00e9rieures \u00e0 2000\u00b0C. Les esp\u00e8ces en phase vapeur sont transport\u00e9es sous des gradients thermiques soigneusement contr\u00f4l\u00e9s. Les esp\u00e8ces en phase vapeur sont transport\u00e9es sous des gradients thermiques soigneusement contr\u00f4l\u00e9s et recristallis\u00e9es sur un cristal de d\u00e9part, formant une boule monocristalline.<\/p>\n
Apr\u00e8s la croissance des cristaux, le mat\u00e9riau subit :<\/p>\n
Pour la fabrication des dispositifs, un processus suppl\u00e9mentaire de d\u00e9p\u00f4t chimique en phase vapeur (CVD) peut \u00eatre appliqu\u00e9 pour former des couches \u00e9pitaxiales de haute qualit\u00e9 avec une concentration de dopage et une \u00e9paisseur contr\u00f4l\u00e9es.<\/p>\n
| Propri\u00e9t\u00e9<\/th>\n | Qualit\u00e9 Z (qualit\u00e9 de production)<\/th>\n | Qualit\u00e9 D (qualit\u00e9 d'ing\u00e9nieur)<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| Diam\u00e8tre<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Polytype<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n<\/tr>\n |
| \u00c9paisseur<\/td>\n | 350 \u00b1 15 \u00b5m<\/td>\n | 350 \u00b1 25 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Type de conductivit\u00e9<\/td>\n | Type N<\/td>\n | Type N<\/td>\n<\/tr>\n |
| Angle hors axe<\/td>\n | 4.0\u00b0 vers \u00b1 0.5\u00b0<\/td>\n | 4.0\u00b0 vers \u00b1 0.5\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n |
| R\u00e9sistivit\u00e9<\/td>\n | 0,015 - 0,024 \u03a9-cm<\/td>\n | 0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Densit\u00e9 des micro-tubes<\/td>\n | \u2264 0,2 cm-\u00b2<\/td>\n | \u2264 15 cm-\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n |
| Rugosit\u00e9 de la surface (Ra)<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Rugosit\u00e9 CMP<\/td>\n | \u2264 0,2 nm<\/td>\n | \u2264 0,5 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| LTV<\/td>\n | \u2264 2,5 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 5 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| TTV<\/td>\n | \u2264 6 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 15 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Arc<\/td>\n | \u2264 25 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 40 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Distorsion<\/td>\n | \u2264 35 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 60 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Exclusion des bords<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Emballage<\/td>\n | Cassette \/ Plaque unique<\/td>\n | Cassette \/ Plaque unique<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
|
![\"Plaquette](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd1-300x300.webp\")
Contr\u00f4le de la qualit\u00e9 et inspection<\/h2>\n