{"id":2183,"date":"2026-04-14T05:20:25","date_gmt":"2026-04-14T05:20:25","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2183"},"modified":"2026-04-14T05:20:28","modified_gmt":"2026-04-14T05:20:28","slug":"8-inch-sic-epitaxial-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/product\/8-inch-sic-epitaxial-wafer\/","title":{"rendered":"Plaque \u00e9pitaxiale SiC de 8 pouces et 200 mm"},"content":{"rendered":"

\"PlaqueLa plaquette \u00e9pitaxiale SiC de 8 pouces repr\u00e9sente la derni\u00e8re avanc\u00e9e en mati\u00e8re de technologie des semi-conducteurs \u00e0 large bande interdite. Construit sur un substrat SiC de 200 mm avec une couche \u00e9pitaxiale de haute qualit\u00e9, ce produit est con\u00e7u pour soutenir la fabrication de dispositifs de puissance \u00e9volutifs et \u00e0 haut rendement.<\/p>\n

Par rapport aux plaquettes de taille inf\u00e9rieure, les plaquettes SiC de 8 pouces augmentent consid\u00e9rablement la surface utilisable, ce qui permet d'augmenter le nombre de dispositifs par plaquette et de r\u00e9duire le co\u00fbt par puce. Elles constituent donc une solution essentielle pour les industries qui passent \u00e0 la production \u00e0 grande \u00e9chelle de dispositifs de puissance en carbure de silicium.<\/p>\n

Les plaquettes \u00e9pitaxiales SiC combinent les avantages intrins\u00e8ques du carbure de silicium, notamment une large bande interdite, un champ \u00e9lectrique de rupture \u00e9lev\u00e9 et une excellente conductivit\u00e9 thermique, avec des couches \u00e9pitaxiales contr\u00f4l\u00e9es avec pr\u00e9cision et adapt\u00e9es \u00e0 la fabrication de dispositifs. Ces plaquettes sont largement utilis\u00e9es dans les MOSFET de nouvelle g\u00e9n\u00e9ration, les diodes Schottky et les modules de puissance int\u00e9gr\u00e9s.<\/p>\n

\n

Principales sp\u00e9cifications<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Param\u00e8tres<\/th>\nValeur<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Diam\u00e8tre<\/td>\n200 \u00b1 0,5 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Polytype<\/td>\n4H-SiC<\/td>\n<\/tr>\n
Type de conductivit\u00e9<\/td>\nType N<\/td>\n<\/tr>\n
\u00c9paisseur<\/td>\n700 \u00b1 50 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Finition de la surface<\/td>\nDouble face CMP polie<\/td>\n<\/tr>\n
Orientation<\/td>\n4,0\u00b0 en dehors de l'axe \u00b10,5\u00b0.<\/td>\n<\/tr>\n
Encoche<\/td>\nOrientation standard des encoches<\/td>\n<\/tr>\n
Profil de l'ar\u00eate<\/td>\nChanfrein \/ Bord arrondi<\/td>\n<\/tr>\n
Rugosit\u00e9 de surface<\/td>\nNiveau inf\u00e9rieur au nanom\u00e8tre<\/td>\n<\/tr>\n
Emballage<\/td>\nCassette ou conteneur \u00e0 gaufrette unique<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

R\u00e9sistivit\u00e9 typique :<\/p>\n

    \n
  • Type N : 0,015-0,028 \u03a9-cm<\/li>\n
  • Semi-isolant : \u22651E7 \u03a9-cm<\/li>\n<\/ul>\n

    Niveaux disponibles :<\/p>\n

      \n
    • Z\u00e9ro grade MPD<\/li>\n
    • Niveau de production<\/li>\n
    • Note de recherche<\/li>\n
    • Grade fictif<\/li>\n<\/ul>\n

      \"PlaqueCapacit\u00e9s de la couche \u00e9pitaxiale<\/h2>\n

      La couche \u00e9pitaxiale est produite \u00e0 l'aide d'une technologie avanc\u00e9e de d\u00e9p\u00f4t chimique en phase vapeur (CVD), ce qui permet un contr\u00f4le pr\u00e9cis de l'\u00e9paisseur, de la concentration de dopage et de l'uniformit\u00e9.<\/p>\n

      Les personnalisations disponibles sont les suivantes :<\/p>\n

        \n
      • Couches \u00e9pitaxiales de type N ou de type P<\/li>\n
      • Epaisseur de l'\u00e9pi r\u00e9glable pour diff\u00e9rentes structures de dispositifs<\/li>\n
      • Profils de dopage uniformes sur l'ensemble de la plaquette<\/li>\n
      • Faible densit\u00e9 de d\u00e9fauts pour un rendement \u00e9lev\u00e9<\/li>\n<\/ul>\n

        Une \u00e9pitaxie de haute qualit\u00e9 est essentielle pour obtenir des performances \u00e9lectriques stables et une fiabilit\u00e9 \u00e0 long terme dans les dispositifs de puissance.<\/p>\n

        \"PlaqueProcessus de fabrication<\/h2>\n

        Pr\u00e9paration du substrat<\/strong>
        Les substrats de SiC monocristallin de haute puret\u00e9 sont produits \u00e0 l'aide de m\u00e9thodes de croissance \u00e0 haute temp\u00e9rature et polis pour obtenir une rugosit\u00e9 de surface ultra-faible.<\/p>\n

        Croissance \u00e9pitaxiale<\/strong>
        La couche \u00e9pitaxiale est d\u00e9pos\u00e9e \u00e0 haute temp\u00e9rature \u00e0 l'aide de syst\u00e8mes CVD, ce qui garantit une \u00e9paisseur uniforme et des propri\u00e9t\u00e9s mat\u00e9rielles constantes sur l'ensemble de la plaquette de 200 mm.<\/p>\n

        Contr\u00f4le du dopage<\/strong>
        Un dopage pr\u00e9cis est appliqu\u00e9 pendant la croissance \u00e9pitaxiale pour r\u00e9pondre aux exigences des diff\u00e9rentes architectures de dispositifs.<\/p>\n

        M\u00e9trologie et inspection<\/strong>
        Chaque plaquette est soumise \u00e0 des tests complets, notamment l'analyse de la surface, la cartographie des d\u00e9fauts et la caract\u00e9risation \u00e9lectrique, afin de garantir une qualit\u00e9 constante.<\/p>\n

        Avantages<\/h2>\n

        Fabrication \u00e9volutive<\/strong>
        La taille des plaquettes de 8 pouces augmente consid\u00e9rablement le nombre de puces par plaquette, ce qui am\u00e9liore l'efficacit\u00e9 de la production et r\u00e9duit le co\u00fbt par appareil.<\/p>\n

        Rendement \u00e9lev\u00e9<\/strong>
        Les propri\u00e9t\u00e9s du SiC permettent de r\u00e9duire les pertes de commutation, d'augmenter la densit\u00e9 de puissance et d'am\u00e9liorer l'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique.<\/p>\n

        Excellente gestion thermique<\/strong>
        La conductivit\u00e9 thermique \u00e9lev\u00e9e permet un fonctionnement stable dans des conditions de puissance \u00e9lev\u00e9e et r\u00e9duit les besoins de refroidissement.<\/p>\n

        Faible densit\u00e9 de d\u00e9fauts<\/strong>
        Les processus avanc\u00e9s de croissance cristalline et d'\u00e9pitaxie garantissent un rendement \u00e9lev\u00e9 et des performances fiables.<\/p>\n

        Une plateforme pr\u00eate pour l'avenir<\/strong>
        Les plaquettes SiC de 8 pouces s'inscrivent dans la tendance de l'industrie des semi-conducteurs vers des formats de plaquettes plus grands et une production de masse automatis\u00e9e.<\/p>\n

        \"\"<\/p>\n

        Applications<\/h2>\n

        V\u00e9hicules \u00e9lectriques<\/strong>
        Utilis\u00e9 dans les onduleurs de traction, les chargeurs embarqu\u00e9s et les convertisseurs DC-DC. La taille plus importante des plaquettes permet la production en masse de dispositifs d'alimentation \u00e0 haut rendement pour les plates-formes de v\u00e9hicules \u00e9lectriques.<\/p>\n

        Syst\u00e8mes d'\u00e9nergie renouvelable<\/strong>
        Appliqu\u00e9 dans les onduleurs solaires et les convertisseurs d'\u00e9nergie \u00e9olienne, o\u00f9 l'efficacit\u00e9 et la fiabilit\u00e9 sont essentielles pour un fonctionnement \u00e0 long terme.<\/p>\n

        \u00c9lectronique de puissance industrielle<\/strong>
        Il prend en charge les commandes de moteurs, les syst\u00e8mes d'automatisation et les \u00e9quipements de grande puissance n\u00e9cessitant une conversion d'\u00e9nergie stable et efficace.<\/p>\n

        Infrastructure 5G et RF<\/strong>
        Permet de r\u00e9aliser des composants RF \u00e0 haute fr\u00e9quence et \u00e0 haute puissance utilis\u00e9s dans les syst\u00e8mes de communication et les stations de base.<\/p>\n

        \u00c9lectronique de puissance grand public<\/strong>
        Utilis\u00e9 dans les alimentations compactes \u00e0 haut rendement et les syst\u00e8mes de charge rapide.<\/p>\n

        FAQ<\/h2>\n

        Q1 : Quel est le principal avantage des plaquettes SiC de 8 pouces ?
        La taille plus importante des plaquettes permet d'augmenter le nombre de puces par plaquette, ce qui r\u00e9duit consid\u00e9rablement le co\u00fbt de fabrication par dispositif et am\u00e9liore l'efficacit\u00e9 de la production.<\/p>\n

        Q2 : La technologie SiC 8 pouces est-elle mature ?
        Elle passe actuellement de la production pilote \u00e0 la production de masse \u00e0 un stade pr\u00e9coce, et est de plus en plus adopt\u00e9e dans la fabrication de semi-conducteurs avanc\u00e9s.<\/p>\n

        Q3 : Les couches \u00e9pitaxiales peuvent-elles \u00eatre personnalis\u00e9es ?
        Oui, le type de dopage, l'\u00e9paisseur et les propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques peuvent \u00eatre adapt\u00e9s pour r\u00e9pondre aux exigences sp\u00e9cifiques des dispositifs.<\/p>\n

        Q4 : Les lignes de production existantes sont-elles compatibles avec les plaquettes de 8 pouces ?
        Certaines mises \u00e0 niveau de l'\u00e9quipement peuvent \u00eatre n\u00e9cessaires, mais de nombreuses usines modernes se pr\u00e9parent d\u00e9j\u00e0 au traitement du SiC de 200 mm.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

        La plaquette \u00e9pitaxiale SiC de 8 pouces repr\u00e9sente la derni\u00e8re avanc\u00e9e en mati\u00e8re de technologie des semi-conducteurs \u00e0 large bande interdite. Construit sur un substrat SiC de 200 mm avec une couche \u00e9pitaxiale de haute qualit\u00e9, ce produit est con\u00e7u pour soutenir la fabrication de dispositifs de puissance \u00e9volutifs et \u00e0 haut 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