{"id":2077,"date":"2026-04-03T02:07:51","date_gmt":"2026-04-03T02:07:51","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2077"},"modified":"2026-04-03T02:09:04","modified_gmt":"2026-04-03T02:09:04","slug":"integrated-vertical-airflow-sic-epitaxy-equipment-for-6-8-epi-wafers","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/product\/integrated-vertical-airflow-sic-epitaxy-equipment-for-6-8-epi-wafers\/","title":{"rendered":"\u00c9quipement d'\u00e9pitaxie SiC \u00e0 flux d'air vertical int\u00e9gr\u00e9 pour plaques d'\u00e9pitaxie 6\u201d\/8"},"content":{"rendered":"

\"\"L'\u00e9quipement d'\u00e9pitaxie de carbure de silicium (SiC) \u00e0 flux d'air vertical int\u00e9gr\u00e9 est un syst\u00e8me de croissance \u00e9pitaxiale avanc\u00e9 con\u00e7u pour la production \u00e0 haut rendement de plaques \u00e9pitaxiales de SiC de 6 et 8 pouces. Con\u00e7u pour r\u00e9pondre aux exigences croissantes de la fabrication de semi-conducteurs de puissance, ce syst\u00e8me int\u00e8gre un contr\u00f4le thermique pr\u00e9cis, une dynamique de flux de gaz optimis\u00e9e et une automatisation intelligente pour offrir des performances exceptionnelles en termes d'uniformit\u00e9, de d\u00e9bit et de contr\u00f4le des d\u00e9fauts.<\/p>\n

Au c\u0153ur du syst\u00e8me se trouve une douchette innovante \u00e0 flux d'air vertical, qui permet une distribution uniforme des gaz de traitement sur toute la surface de la plaquette. Associ\u00e9 \u00e0 un contr\u00f4le multizone du champ de temp\u00e9rature, il garantit une excellente uniformit\u00e9 de l'\u00e9paisseur et une concentration stable du dopage, ce qui est essentiel pour les dispositifs de puissance en SiC \u00e0 haute performance.<\/p>\n

Le syst\u00e8me adopte une structure hautement int\u00e9gr\u00e9e avec une manipulation automatis\u00e9e des plaquettes via un syst\u00e8me EFEM, ainsi qu'un m\u00e9canisme de transfert des plaquettes \u00e0 haute temp\u00e9rature. Cela permet une int\u00e9gration transparente dans les lignes modernes de fabrication de semi-conducteurs, r\u00e9duit les interventions manuelles et am\u00e9liore la coh\u00e9rence du processus et l'efficacit\u00e9 op\u00e9rationnelle.<\/p>\n

Pour soutenir la fabrication \u00e0 l'\u00e9chelle industrielle, l'\u00e9quipement est dot\u00e9 d'une configuration \u00e0 double chambre capable de fonctionner en continu avec plusieurs fours. Avec un d\u00e9bit de plus de 1 100 plaquettes par mois - et jusqu'\u00e0 1 200 plaquettes gr\u00e2ce \u00e0 l'optimisation du processus -, il est parfaitement adapt\u00e9 aux environnements de production \u00e0 haut volume.<\/p>\n

L'\u00e9quipement est compatible avec les plaquettes de SiC de 6 et 8 pouces, ce qui offre une certaine souplesse aux fabricants qui souhaitent passer \u00e0 des plaquettes de plus grande taille. Il d\u00e9montre \u00e9galement d'excellentes capacit\u00e9s en mati\u00e8re de croissance de couches \u00e9pitaxiales \u00e9paisses et d'\u00e9pitaxie par remplissage de tranch\u00e9es, ce qui le rend particuli\u00e8rement adapt\u00e9 \u00e0 la fabrication de dispositifs avanc\u00e9s \u00e0 haute tension et \u00e0 haute puissance.<\/p>\n

En outre, la conception optimis\u00e9e du r\u00e9acteur garantit une faible densit\u00e9 de d\u00e9fauts, un meilleur rendement et un co\u00fbt de propri\u00e9t\u00e9 r\u00e9duit. Sa construction robuste et sa conception facile \u00e0 entretenir renforcent encore sa fiabilit\u00e9 \u00e0 long terme et sa stabilit\u00e9 op\u00e9rationnelle.<\/p>\n

\"\"Principaux avantages techniques<\/span><\/h2>\n