{"id":1968,"date":"2026-03-23T06:01:20","date_gmt":"2026-03-23T06:01:20","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=1968"},"modified":"2026-03-23T06:03:52","modified_gmt":"2026-03-23T06:03:52","slug":"lpcvd-oxidation-furnace","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/product\/lpcvd-oxidation-furnace\/","title":{"rendered":"Four d'oxydation LPCVD 6\/8\/12 pouces D\u00e9p\u00f4t de couches minces \u00e0 haute uniformit\u00e9 pour la fabrication de semi-conducteurs avanc\u00e9s"},"content":{"rendered":"

Le four d'oxydation LPCVD de 6\/8\/12 pouces est un outil de fabrication de semi-conducteurs de pointe con\u00e7u pour le d\u00e9p\u00f4t pr\u00e9cis et uniforme de couches minces. Il est largement utilis\u00e9 pour la croissance de couches de polysilicium, de nitrure de silicium et d'oxyde de silicium de haute qualit\u00e9 sur des plaquettes, garantissant des performances constantes pour les semi-conducteurs de puissance, les substrats avanc\u00e9s et d'autres applications de haute pr\u00e9cision.<\/p>\n

Cet \u00e9quipement combine une technologie avanc\u00e9e de d\u00e9p\u00f4t \u00e0 basse pression, un contr\u00f4le intelligent de la temp\u00e9rature et une conception de processus ultra-propre pour obtenir une uniformit\u00e9 exceptionnelle des couches minces et un d\u00e9bit \u00e9lev\u00e9. Sa configuration de r\u00e9acteur vertical permet un traitement par lots efficace, tandis que son processus de d\u00e9p\u00f4t thermique \u00e9vite les dommages induits par le plasma, ce qui le rend id\u00e9al pour les processus critiques tels que la formation du di\u00e9lectrique de la grille, les couches tampons et les oxydes protecteurs.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

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Principaux avantages<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
  • D\u00e9p\u00f4t de couches minces \u00e0 haute uniformit\u00e9 :<\/strong> L'environnement \u00e0 basse pression (0,1-10 Torr) garantit une uniformit\u00e9 de \u00b11,5% d'un wafer \u00e0 l'autre et \u00e0 l'int\u00e9rieur d'un wafer, ce qui est essentiel pour la fabrication de dispositifs \u00e0 haute performance.<\/li>\n
  • Conception d'un r\u00e9acteur vertical :<\/strong> Traite de 150 \u00e0 200 plaquettes par lot, ce qui am\u00e9liore le d\u00e9bit et l'efficacit\u00e9 de la production pour la fabrication de semi-conducteurs \u00e0 l'\u00e9chelle industrielle.<\/li>\n
  • Processus de d\u00e9p\u00f4t thermique (500-900\u00b0C) :<\/strong> Permet un d\u00e9p\u00f4t doux, sans plasma, afin de prot\u00e9ger les substrats sensibles et de maintenir une qualit\u00e9 de film \u00e9lev\u00e9e.<\/li>\n
  • Contr\u00f4le intelligent de la temp\u00e9rature :<\/strong> Contr\u00f4le et r\u00e9glage en temps r\u00e9el avec une pr\u00e9cision de \u00b11\u00b0C pour des r\u00e9sultats stables et reproductibles.<\/li>\n
  • Chambre de traitement ultra-propre :<\/strong> Minimise la contamination par les particules, ce qui permet d'utiliser le SiC et d'autres mat\u00e9riaux de pointe pour les plaquettes de silicium.<\/li>\n
  • Configuration personnalisable :<\/strong> La conception flexible permet de r\u00e9pondre \u00e0 diverses exigences en mati\u00e8re de processus, y compris l'oxydation s\u00e8che ou humide et diff\u00e9rentes tailles de plaquettes.<\/li>\n<\/ul>\n

    Sp\u00e9cifications techniques<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
    \n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
    Fonctionnalit\u00e9<\/th>\nSp\u00e9cifications<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
    Taille de la plaquette<\/td>\n6\/8\/12 pouces<\/td>\n<\/tr>\n
    Mat\u00e9riaux compatibles<\/td>\nPolysilicium, nitrure de silicium, oxyde de silicium<\/td>\n<\/tr>\n
    Type d'oxydation<\/td>\nOxyg\u00e8ne sec \/ Oxyg\u00e8ne humide (DCE, HCL)<\/td>\n<\/tr>\n
    Plage de temp\u00e9rature du processus<\/td>\n500\u00b0C-900\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    Zone \u00e0 temp\u00e9rature constante<\/td>\n\u2265800 mm<\/td>\n<\/tr>\n
    Pr\u00e9cision du contr\u00f4le de la temp\u00e9rature<\/td>\n\u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    Contr\u00f4le des particules<\/td>\n0,32\u03bcm), 0,32\u03bcm), 0,226\u03bcm)<\/td>\n<\/tr>\n
    \u00c9paisseur du film<\/td>\nNIT1500 \u00b150 \u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
    Uniformit\u00e9<\/td>\nAu sein d'une plaquette <2,5%, d'une plaquette \u00e0 l'autre <2,5%, d'un lot \u00e0 l'autre <2%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

    Caract\u00e9ristiques du produit<\/strong><\/span><\/h2>\n
      \n
    • La manipulation automatis\u00e9e des gaufrettes garantit une s\u00e9curit\u00e9 et une efficacit\u00e9 op\u00e9rationnelle \u00e9lev\u00e9es.<\/li>\n
    • La chambre de traitement ultra-propre r\u00e9duit le risque de contamination et maintient une qualit\u00e9 de film constante.<\/li>\n
    • L'uniformit\u00e9 sup\u00e9rieure de l'\u00e9paisseur du film permet la fabrication de n\u0153uds avanc\u00e9s.<\/li>\n
    • Le contr\u00f4le intelligent en temps r\u00e9el de la temp\u00e9rature et de la pression permet des ajustements pr\u00e9cis du processus.<\/li>\n
    • Le support de plaquette en SiC r\u00e9duit les frottements et la production de particules, ce qui prolonge la dur\u00e9e de vie de la plaquette.<\/li>\n
    • La conception modulaire permet une personnalisation pour diverses applications et besoins en mati\u00e8re de processus.<\/li>\n<\/ul>\n

      Principe du processus de d\u00e9p\u00f4t\"\"<\/strong><\/span><\/h2>\n
        \n
      1. Introduction du gaz :<\/strong> Les gaz r\u00e9actifs sont introduits dans le tube dans des conditions de basse pression (0,25-1 Torr).<\/li>\n
      2. Diffusion en surface :<\/strong> Les mol\u00e9cules diffusent librement \u00e0 travers la surface de la plaquette, assurant une couverture uniforme.<\/li>\n
      3. Adsorption :<\/strong> Les r\u00e9actifs adh\u00e8rent \u00e0 la surface de la plaquette avant la r\u00e9action chimique.<\/li>\n
      4. R\u00e9action chimique :<\/strong> La d\u00e9composition thermique forme le film mince souhait\u00e9 directement sur le substrat.<\/li>\n
      5. \u00c9limination des sous-produits :<\/strong> Les gaz non r\u00e9actifs sont \u00e9vacu\u00e9s pour pr\u00e9server leur puret\u00e9 et \u00e9viter les interf\u00e9rences.<\/li>\n
      6. Formation des films :<\/strong> Les produits de r\u00e9action s'accumulent progressivement, formant une couche mince uniforme et stable.<\/li>\n<\/ol>\n

        Applications<\/strong><\/span><\/h2>\n
          \n
        • Couche d'oxyde de protection :<\/strong> Prot\u00e8ge les tranches de silicium de la contamination et r\u00e9duit la canalisation des ions pendant les processus de dopage.<\/li>\n<\/ul>\n

          \"\"<\/p>\n

            \n
          • Couche d'oxyde pad :<\/strong> Agit comme un tampon de stress entre les couches de silicium et de nitrure de silicium, emp\u00eachant la fissuration de la plaquette et am\u00e9liorant le rendement.<\/li>\n<\/ul>\n

            \"\"<\/p>\n

              \n
            • Couche d'oxyde de grille :<\/strong> Fournit la couche di\u00e9lectrique dans les structures MOS, assurant une conduction pr\u00e9cise du courant et un contr\u00f4le de l'effet de champ.<\/li>\n<\/ul>\n

              \"\"<\/p>\n

              Configurations du syst\u00e8me<\/strong><\/span><\/h2>\n
                \n
              • LPCVD vertical :<\/strong> Les gaz de traitement circulent de haut en bas, ce qui permet d'obtenir un d\u00e9p\u00f4t uniforme sur toutes les plaquettes d'un lot.<\/li>\n<\/ul>\n

                \"\"<\/p>\n

                  \n
                • LPCVD horizontal :<\/strong> Les gaz s'\u00e9coulent sur la longueur des substrats, ce qui convient \u00e0 une production continue et de grand volume, bien que l'\u00e9paisseur du d\u00e9p\u00f4t puisse varier l\u00e9g\u00e8rement pr\u00e8s du c\u00f4t\u00e9 de l'entr\u00e9e.<\/li>\n<\/ul>\n

                  \"\"<\/p>\n

                  Questions fr\u00e9quemment pos\u00e9es<\/strong><\/span><\/h2>\n

                  Q1 : \u00c0 quoi sert principalement le LPCVD ?<\/strong>
                  R : La LPCVD est un proc\u00e9d\u00e9 de d\u00e9p\u00f4t de couches minces \u00e0 basse pression largement utilis\u00e9 dans la fabrication des semi-conducteurs pour le d\u00e9p\u00f4t de polysilicium, de nitrure de silicium et d'oxyde de silicium, ce qui permet d'obtenir des couches uniformes et de haute qualit\u00e9 pour la fabrication de dispositifs avanc\u00e9s.<\/p>\n

                  Q2 : Quelle est la diff\u00e9rence entre le LPCVD et le PECVD ?<\/strong>
                  R : La LPCVD repose sur l'activation thermique \u00e0 basse pression pour produire des films de grande puret\u00e9, tandis que la PECVD utilise le plasma \u00e0 des temp\u00e9ratures plus basses pour un d\u00e9p\u00f4t plus rapide, souvent avec une qualit\u00e9 de film l\u00e9g\u00e8rement inf\u00e9rieure.<\/p>\n

                  Q3 : Quelles tailles de plaquettes et quels mat\u00e9riaux sont compatibles avec ce four d'oxydation LPCVD ?<\/strong>
                  R : Ce four prend en charge les plaquettes de 6, 8 et 12 pouces et est compatible avec les plaquettes de polysilicium, de nitrure de silicium, d'oxyde de silicium et de SiC, ce qui lui conf\u00e8re une grande souplesse pour diverses applications dans le domaine des semi-conducteurs.<\/p>\n

                  Q4 : Le four d'oxydation LPCVD peut-il \u00eatre personnalis\u00e9 pour des processus sp\u00e9cifiques ?<\/strong>
                  R : Oui, le syst\u00e8me offre des configurations modulaires, y compris des zones de temp\u00e9rature r\u00e9glables, un contr\u00f4le du d\u00e9bit de gaz et des modes d'oxydation (s\u00e8che ou humide), ce qui lui permet de r\u00e9pondre \u00e0 diverses exigences en mati\u00e8re de processus, tant pour la recherche que pour la production \u00e0 l'\u00e9chelle industrielle.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                  Le four d'oxydation LPCVD (d\u00e9p\u00f4t chimique en phase vapeur \u00e0 basse pression) de 6\/8\/12 pouces est un outil de fabrication de semi-conducteurs de pointe con\u00e7u pour le d\u00e9p\u00f4t pr\u00e9cis et uniforme de couches minces. Il est largement utilis\u00e9 pour produire des couches de polysilicium, de nitrure de silicium et d'oxyde de silicium de haute qualit\u00e9 sur des plaquettes, garantissant ainsi des performances constantes pour les semi-conducteurs de puissance, les substrats avanc\u00e9s et d'autres applications de haute 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