![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/03\/sic_growth_furnace_pvt_method_6inch_8inch_12_inch_low_energy_consumption1-300x300.webp\")
Le four de croissance SiC (m\u00e9thode PVT) est un syst\u00e8me \u00e0 haute performance con\u00e7u pour la production de monocristaux de carbure de silicium (SiC) de 6, 8 et 12 pouces.<\/p>\nLe four de croissance SiC (m\u00e9thode PVT) est un syst\u00e8me \u00e0 haute performance con\u00e7u pour la production de monocristaux de carbure de silicium (SiC) de 6, 8 et 12 pouces.<\/p>\n
Utilisant une technologie avanc\u00e9e de chauffage par induction, le four permet un chauffage rapide, un contr\u00f4le pr\u00e9cis de la temp\u00e9rature et une faible consommation d'\u00e9nergie, ce qui en fait une solution id\u00e9ale pour la croissance de cristaux de SiC \u00e0 l'\u00e9chelle industrielle.<\/p>\n
Il est largement utilis\u00e9 dans la fabrication de substrats SiC pour l'\u00e9lectronique de puissance, les dispositifs RF et les applications semi-conductrices de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration.<\/p>\n
Syst\u00e8me de chauffage par induction
Le chauffage \u00e9lectromagn\u00e9tique direct du creuset en graphite garantit une grande efficacit\u00e9 et une r\u00e9ponse thermique rapide.<\/p>\n<\/li>\n
Contr\u00f4le ultra-pr\u00e9cis de la temp\u00e9rature
Pr\u00e9cision jusqu'\u00e0 \u00b11\u00b0C, garantissant des conditions de croissance cristalline stables<\/p>\n<\/li>\n
Faible consommation d'\u00e9nergie
La conception thermique optimis\u00e9e r\u00e9duit consid\u00e9rablement les co\u00fbts d'exploitation<\/p>\n<\/li>\n
Stabilit\u00e9 \u00e9lev\u00e9e et faible contamination
Chauffage sans contact + environnement de gaz inerte minimisant les impuret\u00e9s<\/p>\n<\/li>\n
\u00c9volutif pour les cristaux de grand diam\u00e8tre
Permet la croissance de cristaux SiC de 6\u2033, 8\u2033 et 12\u2033.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
| Param\u00e8tres<\/th>\n | Sp\u00e9cifications<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|
| Dimensions (L\u00d7L\u00d7H)<\/td>\n | 3200 \u00d7 1150 \u00d7 3600 mm (personnalisable)<\/td>\n<\/tr>\n |
| Diam\u00e8tre de la chambre du four<\/td>\n | 400 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Temp\u00e9rature maximale<\/td>\n | 2400\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| Plage de temp\u00e9rature<\/td>\n | 900-3000\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| Pr\u00e9cision de la temp\u00e9rature<\/td>\n | \u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| M\u00e9thode de chauffage<\/td>\n | Chauffage par induction<\/td>\n<\/tr>\n |
| Alimentation \u00e9lectrique<\/td>\n | 40 kW, 8-12 kHz<\/td>\n<\/tr>\n |
| Niveau de vide<\/td>\n | 5 \u00d7 10-\u2074 Pa<\/td>\n<\/tr>\n |
| Gamme de pression<\/td>\n | 1-700 mbar<\/td>\n<\/tr>\n |
| Mesure de la temp\u00e9rature<\/td>\n | Infrarouge bicolore<\/td>\n<\/tr>\n |
| M\u00e9thode de chargement<\/td>\n | Chargement par le bas<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\nAvantages de la conception<\/span><\/h2>\nCompatible avec la croissance de cristaux SiC semi-isolants et conducteurs<\/p>\n<\/li>\n Le syst\u00e8me de rotation du creuset am\u00e9liore l'uniformit\u00e9 de la temp\u00e9rature<\/p>\n<\/li>\n L'\u00e9l\u00e9vation r\u00e9glable de la bobine d'induction r\u00e9duit les perturbations thermiques<\/p>\n<\/li>\n La chambre \u00e0 quartz \u00e0 double couche refroidie \u00e0 l'eau prolonge la dur\u00e9e de vie de l'\u00e9quipement<\/p>\n<\/li>\n Contr\u00f4le de la temp\u00e9rature \u00e0 deux points en temps r\u00e9el<\/p>\n<\/li>\n Modes de contr\u00f4le multiples : puissance constante \/ courant \/ temp\u00e9rature<\/p>\n<\/li>\n D\u00e9marrage intelligent en un clic pour un fonctionnement automatis\u00e9<\/p>\n<\/li>\n Structure compacte pour un am\u00e9nagement efficace de l'usine<\/p>\n<\/li>\n Contr\u00f4le de pression de haute pr\u00e9cision (jusqu'\u00e0 \u00b11 Pa)<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n Performances et applications<\/span><\/h2>\nMOSFETs SiC<\/p>\n<\/li>\n Diodes Schottky<\/p>\n<\/li>\n Dispositifs RF<\/p>\n<\/li>\n V\u00e9hicules \u00e9lectriques (modules d'alimentation pour VE)<\/p>\n<\/li>\n Onduleurs solaires<\/p>\n<\/li>\n Syst\u00e8mes de communication 5G<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n Gr\u00e2ce \u00e0 un contr\u00f4le thermique stable et \u00e0 des conditions de croissance optimis\u00e9es, le syst\u00e8me garantit un rendement, une coh\u00e9rence et une \u00e9volutivit\u00e9 \u00e9lev\u00e9s pour la production industrielle.<\/p>\n
Nos capacit\u00e9s (ZMSH)<\/span><\/h2>\n
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<\/p>\n