![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262693-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x199.webp\")
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Le four de croissance par chauffage par r\u00e9sistance pour monocristaux de SiC ZMSH est un syst\u00e8me de croissance cristalline \u00e0 haute temp\u00e9rature sp\u00e9cialement con\u00e7u pour la production de monocristaux de carbure de silicium de grand diam\u00e8tre, permettant la fabrication de plaquettes de SiC de 6, 8 et 12 pouces.<\/p>\n
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uring.<\/p>\n
Le four est con\u00e7u selon le principe de la croissance cristalline par transport physique de vapeur (PVT) et int\u00e8gre un contr\u00f4le pr\u00e9cis du chauffage par r\u00e9sistance, une distribution stable du champ thermique, une gestion de l'environnement sous vide pouss\u00e9 et une r\u00e9gulation pr\u00e9cise de la pression.
Cette configuration permet la croissance de monocristaux de SiC de haute puret\u00e9 et de faible densit\u00e9 de d\u00e9fauts, adapt\u00e9s aux applications de semi-conducteurs de puissance et de dispositifs \u00e9lectroniques avanc\u00e9s.<\/p>\n
Le syst\u00e8me est con\u00e7u pour r\u00e9pondre aux exigences de la production industrielle, garantissant la stabilit\u00e9 du processus, la r\u00e9p\u00e9tabilit\u00e9 et la fiabilit\u00e9 op\u00e9rationnelle \u00e0 long terme dans des environnements de croissance de cristaux de SiC \u00e0 grande \u00e9chelle.<\/p>\n
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Le four adopte une structure de chauffage par r\u00e9sistance multizone pour obtenir une distribution uniforme de la temp\u00e9rature axiale et radiale. Cela permet de minimiser les gradients thermiques, de r\u00e9duire les contraintes internes et d'am\u00e9liorer l'int\u00e9grit\u00e9 structurelle des cristaux pendant le processus de croissance.<\/p>\n
Temp\u00e9rature maximale de fonctionnement jusqu'\u00e0 2500\u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
Pr\u00e9cision du contr\u00f4le de la temp\u00e9rature : \u00b11\u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
Large plage de r\u00e9gulation de la pression : 1-700 mbar<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Ces param\u00e8tres fournissent un environnement thermodynamique stable, essentiel \u00e0 la sublimation contr\u00f4l\u00e9e, au transport de la vapeur et \u00e0 la recristallisation des cristaux lors de la croissance du SiC.<\/p>\n
Avec un diam\u00e8tre de creuset de 900 mm, le syst\u00e8me prend en charge la croissance des lingots de SiC de 8 et 12 pouces de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration, ce qui permet aux fabricants d'augmenter leur production tout en am\u00e9liorant le rendement et l'homog\u00e9n\u00e9it\u00e9 des plaquettes.<\/p>\n
Le four maintient une chambre de croissance \u00e0 faible fuite et \u00e0 vide pouss\u00e9, ce qui r\u00e9duit le risque de contamination, am\u00e9liore la puret\u00e9 des cristaux et assure un fonctionnement stable sur une longue dur\u00e9e.<\/p>\n
![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262670-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x300.webp\")
<\/h2>\n<\/p>\n
Substrats pour semi-conducteurs de puissance<\/p>\n<\/li>\n
Modules de puissance pour v\u00e9hicules \u00e9lectriques<\/p>\n<\/li>\n
Dispositifs MOSFET et diodes \u00e0 haute tension<\/p>\n<\/li>\n
Syst\u00e8mes de conversion de l'\u00e9nergie renouvelable<\/p>\n<\/li>\n
Composants \u00e9lectroniques haute fr\u00e9quence et RF<\/p>\n<\/li>\n
\u00c9lectronique de puissance industrielle<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
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<\/p>\n
| Non.<\/th>\n | Sp\u00e9cifications<\/th>\n | D\u00e9tails<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| 1<\/td>\n | Mod\u00e8le<\/td>\n | PVT-RS-40<\/td>\n<\/tr>\n |
| 2<\/td>\n | Dimensions du four (L \u00d7 L \u00d7 H)<\/td>\n | 2500 \u00d7 2400 \u00d7 3456 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 3<\/td>\n | Diam\u00e8tre du creuset<\/td>\n | 900 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 4<\/td>\n | Pression de vide ultime<\/td>\n | 6 \u00d7 10-\u2074 Pa (apr\u00e8s 1,5 h de vide)<\/td>\n<\/tr>\n |
| 5<\/td>\n | Taux de fuite<\/td>\n | \u22645 Pa \/ 12 h (bake-out)<\/td>\n<\/tr>\n |
| 6<\/td>\n | Diam\u00e8tre de l'arbre de rotation<\/td>\n | 50 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 7<\/td>\n | Vitesse de rotation<\/td>\n | 0,5-5 tr\/min<\/td>\n<\/tr>\n |
| 8<\/td>\n | M\u00e9thode de chauffage<\/td>\n | Chauffage par r\u00e9sistance \u00e9lectrique<\/td>\n<\/tr>\n |
| 9<\/td>\n | Temp\u00e9rature maximale du four<\/td>\n | 2500\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 10<\/td>\n | Puissance de chauffage<\/td>\n | 40 kW \u00d7 2 + 20 kW<\/td>\n<\/tr>\n |
| 11<\/td>\n | Mesure de la temp\u00e9rature<\/td>\n | Pyrom\u00e8tre infrarouge bicolore<\/td>\n<\/tr>\n |
| 12<\/td>\n | Plage de temp\u00e9rature<\/td>\n | 900-3000\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 13<\/td>\n | Pr\u00e9cision de la temp\u00e9rature<\/td>\n | \u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 14<\/td>\n | Gamme de pression<\/td>\n | 1-700 mbar<\/td>\n<\/tr>\n |
| 15<\/td>\n | Pr\u00e9cision du contr\u00f4le de la pression<\/td>\n | \u00b10,5% pleine \u00e9chelle<\/td>\n<\/tr>\n |
| 16<\/td>\n | Type d'op\u00e9ration<\/td>\n | Chargement par le bas, modes de s\u00e9curit\u00e9 manuels ou automatiques<\/td>\n<\/tr>\n |
| 17<\/td>\n | Configurations optionnelles<\/td>\n | Chauffage multizone, double contr\u00f4le de la temp\u00e9rature<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/h2>\n |