![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/1572413524100.jpg\")
<\/p>\nLa ligne d'automatisation de polissage quadruple des plaquettes de silicium et de carbure de silicium de 6 \u00e0 8 pouces avec boucle de nettoyage et de remontage est une plate-forme de processus de post-polissage enti\u00e8rement int\u00e9gr\u00e9e, con\u00e7ue pour soutenir la fabrication de plaquettes de silicium et de carbure de silicium en grand volume.<\/p>\n
Le syst\u00e8me relie le polissage \u00e0 quatre t\u00eates, le d\u00e9montage automatique des plaquettes, la manipulation des supports c\u00e9ramiques, le nettoyage des supports et le remontage de pr\u00e9cision des plaquettes dans un flux continu en boucle ferm\u00e9e, ce qui \u00e9limine la manipulation manuelle et garantit une stabilit\u00e9, une r\u00e9p\u00e9tabilit\u00e9 et un rendement maximaux du processus.<\/p>\n
Il est optimis\u00e9 pour les plaquettes de semi-conducteurs de puissance, les substrats SiC et les applications d'emballage avanc\u00e9es o\u00f9 la plan\u00e9it\u00e9, l'int\u00e9grit\u00e9 de la surface et le contr\u00f4le de la contamination sont essentiels.<\/p>\n
<\/p>\n
Contrairement aux lignes de polissage semi-manuelles traditionnelles, ce syst\u00e8me fonctionne comme un v\u00e9ritable cycle de transport en boucle ferm\u00e9e :<\/p>\n
Polissage \u2192 D\u00e9montage \u2192 Nettoyage du support \u2192 Remontage \u2192 Polissage<\/p>\n
Les supports c\u00e9ramiques circulent automatiquement \u00e0 l'int\u00e9rieur du syst\u00e8me, tandis que les plaquettes sont retir\u00e9es et remont\u00e9es avec pr\u00e9cision dans des conditions \u00e9troitement contr\u00f4l\u00e9es.
Cette architecture permet de s'assurer que chaque cycle de polissage commence par.. :<\/p>\n
Une surface de support propre<\/p>\n<\/li>\n
Une plaquette positionn\u00e9e avec pr\u00e9cision<\/p>\n<\/li>\n
Une interface de montage stable et reproductible<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Il en r\u00e9sulte une r\u00e9duction de la casse des gaufrettes, une meilleure uniformit\u00e9 de l'\u00e9paisseur et une plus grande r\u00e9gularit\u00e9 d'un lot \u00e0 l'autre.<\/p>\n
![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/6-8-Inch-Silicon-SiC-Wafer-Quad-Polishing-Automation-Line-with-Cleaning-and-Re-Mounting-Loop-1024x1024.jpg\")
<\/p>\n
Des profils de mouvement sp\u00e9ciaux et des trajectoires de d\u00e9montage sont utilis\u00e9s pour contr\u00f4ler l'acc\u00e9l\u00e9ration, la force de contact et l'angle de s\u00e9paration, ce qui permet de r\u00e9duire les co\u00fbts :<\/p>\n
\u00c9barbage des bords<\/p>\n<\/li>\n
Microfissures<\/p>\n<\/li>\n
D\u00e9formation de la plaquette de silicium sous l'effet de la contrainte<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Ceci est particuli\u00e8rement important pour les plaquettes de SiC, qui sont dures, cassantes et tr\u00e8s sensibles aux chocs m\u00e9caniques.<\/p>\n
Avant chaque cycle de remontage, les supports c\u00e9ramiques sont remis dans un \u00e9tat de surface pr\u00eat \u00e0 l'emploi en \u00e9liminant les r\u00e9sidus de boue, les particules fines et les films chimiques.
Cela permet d'\u00e9viter :<\/p>\n
Rayures induites par les particules<\/p>\n<\/li>\n
Non-uniformit\u00e9 locale du polissage<\/p>\n<\/li>\n
D\u00e9fauts de surface al\u00e9atoires<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
qui sont les principaux facteurs de perte de rendement dans les op\u00e9rations de polissage CMP et quadruple.<\/p>\n
L'unit\u00e9 de remontage contr\u00f4le :<\/p>\n
Pression de montage<\/p>\n<\/li>\n
Alignement des plaquettes<\/p>\n<\/li>\n
Plan\u00e9it\u00e9 sur l'ensemble du support<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Cela garantit que toutes les plaquettes subissent une pression de polissage uniforme au cours du cycle de polissage quadruple suivant, ce qui permet d'obtenir des r\u00e9sultats tr\u00e8s satisfaisants :<\/p>\n
Am\u00e9lioration du TTV (variation totale de l'\u00e9paisseur)<\/p>\n<\/li>\n
Meilleure rugosit\u00e9 de surface<\/p>\n<\/li>\n
Rendement plus \u00e9lev\u00e9 des plaquettes utilisables<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Le syst\u00e8me prend en charge plusieurs configurations de plaquettes et de supports, ce qui permet aux usines d'adapter la ligne \u00e0 leurs besoins :<\/p>\n
D\u00e9bit maximal<\/p>\n<\/li>\n
Contr\u00f4le maximal de la plan\u00e9it\u00e9<\/p>\n<\/li>\n
Production mixte de 6 et 8 pouces<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
La ligne convient donc aux deux types d'utilisateurs :<\/p>\n
Production d'appareils \u00e9lectriques en grande quantit\u00e9<\/p>\n<\/li>\n
Traitement de substrats SiC de grande valeur<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Plaques de semi-conducteurs de puissance en Si et SiC (MOSFET, IGBT, diodes)<\/p>\n<\/li>\n
Substrats et plaques \u00e9pitaxi\u00e9es en SiC<\/p>\n<\/li>\n
Plaques de conditionnement avanc\u00e9es<\/p>\n<\/li>\n
Plaques de silicium polies de haute pr\u00e9cision<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Q1 : Comment le syst\u00e8me minimise-t-il la rupture des plaquettes de SiC fragiles ?<\/strong> Q2 : La boucle de nettoyage et de remontage peut-elle prendre en charge plusieurs types de porteurs ?<\/strong> Q3 : Comment le syst\u00e8me garantit-il une qualit\u00e9 de polissage reproductible d'un lot \u00e0 l'autre ?<\/strong> La ligne d'automatisation de polissage quadruple des plaquettes de silicium et de carbure de silicium de 6 \u00e0 8 pouces avec boucle de nettoyage et de remontage est une plate-forme de processus de post-polissage enti\u00e8rement int\u00e9gr\u00e9e, con\u00e7ue pour soutenir la fabrication de plaquettes de silicium et de carbure de silicium en grand volume.<\/p>","protected":false},"featured_media":1642,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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La ligne utilise des algorithmes de d\u00e9montage \u00e0 faible contrainte et des profils de mouvement contr\u00f4l\u00e9s, g\u00e9rant soigneusement l'acc\u00e9l\u00e9ration, l'angle de s\u00e9paration et la force de contact. Cela permet d'\u00e9viter l'\u00e9caillage des bords, les microfissures et le gauchissement des plaquettes sous l'effet de la contrainte, qui sont des probl\u00e8mes courants avec les substrats SiC.<\/p>\n
Oui, les modules de nettoyage et de tamponnage des supports prennent en charge plusieurs diam\u00e8tres de supports c\u00e9ramiques (par exemple, 485 mm et 576 mm) et plusieurs nombres de plaquettes par support. Cela permet de produire des plaquettes de taille mixte de 6 et 8 pouces sans interruption de la ligne.<\/p>\n
En combinant des surfaces de support ultra-propres, un alignement pr\u00e9cis des plaquettes et un contr\u00f4le de la plan\u00e9it\u00e9, chaque plaquette est mont\u00e9e dans des conditions identiques. Cela garantit une pression de polissage constante, un enl\u00e8vement de mati\u00e8re uniforme et un TTV minimal, ce qui se traduit par un rendement et une qualit\u00e9 de surface stables pour tous les lots de production.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"