{"id":2558,"date":"2026-06-16T01:53:41","date_gmt":"2026-06-16T01:53:41","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2558"},"modified":"2026-06-16T01:53:46","modified_gmt":"2026-06-16T01:53:46","slug":"what-is-wafer-tir-and-how-is-it-different-from-ttv","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/what-is-wafer-tir-and-how-is-it-different-from-ttv\/","title":{"rendered":"Qu'est-ce que le TIR de plaquette et en quoi diff\u00e8re-t-il du TTV ?"},"content":{"rendered":"<p>Dans <a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/products\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#cf2e2e\" class=\"has-inline-color\">fabrication de semi-conducteurs<\/mark><\/a>, la g\u00e9om\u00e9trie des plaquettes joue un r\u00f4le essentiel dans la stabilit\u00e9 des proc\u00e9d\u00e9s, la pr\u00e9cision de la lithographie, la qualit\u00e9 du collage et, en fin de compte, le rendement des dispositifs. \u00c0 mesure que le diam\u00e8tre des plaquettes ne cesse d\u2019augmenter et que les technologies d\u2019encapsulation avanc\u00e9es deviennent de plus en plus exigeantes, le besoin d\u2019une m\u00e9trologie pr\u00e9cise des plaquettes n\u2019a jamais \u00e9t\u00e9 aussi grand.<\/p>\n\n\n\n<p>Parmi les nombreux param\u00e8tres utilis\u00e9s pour \u00e9valuer la qualit\u00e9 des plaquettes, <strong>Variation totale de l'\u00e9paisseur (TTV)<\/strong> et <strong>Lecture totale indiqu\u00e9e (TIR)<\/strong> sont fr\u00e9quemment rencontr\u00e9es. Bien que ces deux mesures soient li\u00e9es \u00e0 l'\u00e9paisseur et \u00e0 la plan\u00e9it\u00e9 de la plaquette, elles d\u00e9crivent des caract\u00e9ristiques physiques diff\u00e9rentes et sont souvent mal comprises.<\/p>\n\n\n\n<p>Cet article pr\u00e9sente les d\u00e9finitions, les m\u00e9thodes de mesure, les applications et les principales diff\u00e9rences entre le TIR et le TTV, afin d'aider les ing\u00e9nieurs \u00e0 mieux comprendre les sp\u00e9cifications g\u00e9om\u00e9triques des plaquettes.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image aligncenter size-large\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"512\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-1024x512.png\" alt=\"\" class=\"wp-image-2559\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-1024x512.png 1024w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-300x150.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-768x384.png 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-1536x768.png 1536w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-2048x1024.png 2048w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-18x9.png 18w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-600x300.png 600w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Comprendre les mesures d'\u00e9paisseur des plaquettes<\/h2>\n\n\n\n<p><a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/categorie-produit\/wafer\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#cf2e2e\" class=\"has-inline-color\">Plaquette semi-conductrice<\/mark>s<\/a> doivent pr\u00e9senter une \u00e9paisseur tr\u00e8s homog\u00e8ne sur toute leur surface. M\u00eame de l\u00e9g\u00e8res variations peuvent avoir une incidence sur :<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Pr\u00e9cision de la mise au point en lithographie<\/li>\n\n\n\n<li>Manipulation et transport des plaquettes<\/li>\n\n\n\n<li>Proc\u00e9d\u00e9s d'assemblage de plaquettes<\/li>\n\n\n\n<li>Performances du CMP<\/li>\n\n\n\n<li>Fiabilit\u00e9 et rendement des dispositifs<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Pour \u00e9valuer l'uniformit\u00e9 de l'\u00e9paisseur, les fabricants ont recours \u00e0 plusieurs param\u00e8tres g\u00e9om\u00e9triques, notamment :<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>\u00c9paisseur<\/li>\n\n\n\n<li>TTV (variation de l'\u00e9paisseur totale)<\/li>\n\n\n\n<li>Arc<\/li>\n\n\n\n<li>Distorsion<\/li>\n\n\n\n<li>TIR (valeur totale indiqu\u00e9e)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Chaque param\u00e8tre fournit des informations sp\u00e9cifiques sur l'\u00e9tat physique de la plaquette.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Qu'est-ce que <a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/what-are-wafer-ttv-bow-and-warp\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#cf2e2e\" class=\"has-inline-color\">TTV (variation de l'\u00e9paisseur totale)<\/mark><\/a>?<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">D\u00e9finition<\/h3>\n\n\n\n<p>Le TTV correspond \u00e0 la diff\u00e9rence entre l'\u00e9paisseur maximale et l'\u00e9paisseur minimale mesur\u00e9es sur une plaquette.<\/p>\n\n\n\n<p>Math\u00e9matiquement :<\/p>\n\n\n\n<p><strong>TTV = \u00c9paisseur maximale \u2212 \u00c9paisseur minimale<\/strong><\/p>\n\n\n\n<p>La m\u00e9thode TTV se concentre exclusivement sur l'uniformit\u00e9 de l'\u00e9paisseur et ne tient pas compte de l'orientation ni du comportement en rotation de la plaquette.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Principe de mesure<\/h3>\n\n\n\n<p>Les mesures d'\u00e9paisseur sont effectu\u00e9es en plusieurs points sur la surface de la plaquette \u00e0 l'aide :<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Capteurs capacitifs<\/li>\n\n\n\n<li>Interf\u00e9rom\u00e8tres optiques<\/li>\n\n\n\n<li>Jauges d'\u00e9paisseur \u00e0 contact<\/li>\n\n\n\n<li>Syst\u00e8mes de m\u00e9trologie laser<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Les valeurs d'\u00e9paisseur maximale et minimale sont d\u00e9termin\u00e9es, et leur diff\u00e9rence correspond \u00e0 la valeur TTV.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Exemple<\/h3>\n\n\n\n<p>Si l'\u00e9paisseur d'une plaquette est comprise entre :<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>\u00c9paisseur maximale : 726 \u03bcm<\/li>\n\n\n\n<li>\u00c9paisseur minimale : 721 \u03bcm<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Puis :<\/p>\n\n\n\n<p><strong>TTV = 726 \u2212 721 = 5 \u03bcm<\/strong><\/p>\n\n\n\n<p>Un TTV plus faible indique une meilleure uniformit\u00e9 d'\u00e9paisseur.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Qu'est-ce que le TIR (Total Indicated Reading) ?<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">D\u00e9finition<\/h3>\n\n\n\n<p>Le TIR mesure la variation totale observ\u00e9e lorsqu'une plaquette tourne autour de son axe central.<\/p>\n\n\n\n<p>Contrairement au TTV, le TIR refl\u00e8te l'influence combin\u00e9e des \u00e9l\u00e9ments suivants :<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Variation d'\u00e9paisseur<\/li>\n\n\n\n<li>Irr\u00e9gularit\u00e9s de surface<\/li>\n\n\n\n<li>Excentricit\u00e9 de la plaquette<\/li>\n\n\n\n<li>Erreurs d'alignement des \u00e9l\u00e9ments de fixation<\/li>\n\n\n\n<li>Faux-rond de surface<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>La technologie TIR est couramment utilis\u00e9e dans les applications de m\u00e9canique de pr\u00e9cision et de m\u00e9trologie.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Principe de mesure<\/h3>\n\n\n\n<p>La plaquette est fix\u00e9e sur un axe et tourne de 360 degr\u00e9s tandis qu'un capteur de d\u00e9placement enregistre en continu les mouvements de la surface.<\/p>\n\n\n\n<p>La diff\u00e9rence entre la valeur maximale et la valeur minimale relev\u00e9es pendant la rotation est d\u00e9finie comme suit :<\/p>\n\n\n\n<p><strong>TIR = valeur maximale de l'indicateur \u2212 valeur minimale de l'indicateur<\/strong><\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Exemple<\/h3>\n\n\n\n<p>Pendant la rotation :<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Valeur maximale : +3 \u03bcm<\/li>\n\n\n\n<li>Valeur minimale : \u22124 \u03bcm<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Puis :<\/p>\n\n\n\n<p><strong>TIR = 3 \u2212 (\u22124) = 7 \u03bcm<\/strong><\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">TTV et TIR : principales diff\u00e9rences<\/h2>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><tbody><tr><th>Param\u00e8tres<\/th><th>TTV<\/th><th>TIR<\/th><\/tr><tr><td>Nom complet<\/td><td>Variation de l'\u00e9paisseur totale<\/td><td>Lecture totale indiqu\u00e9e<\/td><\/tr><tr><td>Objectif principal<\/td><td>Uniformit\u00e9 de l'\u00e9paisseur<\/td><td>Variation de la surface de rotation<\/td><\/tr><tr><td>Mesure-t-il l'\u00e9paisseur ?<\/td><td>Oui<\/td><td>En partie<\/td><\/tr><tr><td>Une influence de la forme de la surface ?<\/td><td>Non<\/td><td>Oui<\/td><\/tr><tr><td>Est-ce d\u00fb \u00e0 l'excentricit\u00e9 de la plaquette ?<\/td><td>Non<\/td><td>Oui<\/td><\/tr><tr><td>Faut-il le tourner ?<\/td><td>Non<\/td><td>Oui<\/td><\/tr><tr><td>Application type<\/td><td>Qualification des plaquettes de semi-conducteurs<\/td><td>M\u00e9trologie de pr\u00e9cision et alignement des \u00e9quipements<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<p>La distinction la plus importante est la suivante :<\/p>\n\n\n\n<p><strong>La technique TTV mesure directement les variations d'\u00e9paisseur, tandis que la technique TIR mesure les variations globales de position lors de la rotation.<\/strong><\/p>\n\n\n\n<p>De ce fait, les valeurs TIR sont souvent sup\u00e9rieures aux valeurs TTV, car elles int\u00e8grent des erreurs g\u00e9om\u00e9triques suppl\u00e9mentaires.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Lien entre le TIR et le TTV<\/h2>\n\n\n\n<p>Bien qu'ils soient li\u00e9s, les termes \u00ab TIR \u00bb et \u00ab TTV \u00bb ne sont pas interchangeables.<\/p>\n\n\n\n<p>Dans une plaquette id\u00e9ale :<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Centrage parfait<\/li>\n\n\n\n<li>Alignement parfait de la broche<\/li>\n\n\n\n<li>Aucune irr\u00e9gularit\u00e9 de surface<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>La valeur TIR peut se rapprocher de la valeur TTV.<\/p>\n\n\n\n<p>Cependant, dans les environnements de production r\u00e9els, le TIR est g\u00e9n\u00e9ralement influenc\u00e9 par d'autres facteurs :<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Faux-rond de surface<\/h3>\n\n\n\n<p>Des ondulations microscopiques ou des d\u00e9fauts locaux peuvent entra\u00eener une augmentation des valeurs indiqu\u00e9es par l'indicateur.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Excentricit\u00e9 de la plaquette<\/h3>\n\n\n\n<p>Si le centre de la plaquette n'est pas parfaitement align\u00e9 avec l'axe de la broche, la TIR augmente.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Erreurs de calendrier<\/h3>\n\n\n\n<p>La plan\u00e9it\u00e9 du mandrin et la pr\u00e9cision du montage peuvent \u00eatre \u00e0 l'origine de variations dans les mesures.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Vibrations m\u00e9caniques<\/h3>\n\n\n\n<p>L'instabilit\u00e9 de l'\u00e9quipement peut \u00eatre \u00e0 l'origine d'un bruit de mesure.<\/p>\n\n\n\n<p>Par cons\u00e9quent :<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Dans la plupart des cas concrets, TIR est sup\u00e9rieur ou \u00e9gal \u00e0 TTV.<\/strong><\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Pourquoi le TIR est-il important dans la fabrication de semi-conducteurs ?<\/h2>\n\n\n\n<p>\u00c0 mesure que le diam\u00e8tre des plaquettes passe de 150 mm et 200 mm \u00e0 300 mm et au-del\u00e0, la pr\u00e9cision g\u00e9om\u00e9trique rev\u00eat une importance croissante.<\/p>\n\n\n\n<p>Les mesures TIR sont couramment utilis\u00e9es dans :<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Meulage de plaquettes<\/h3>\n\n\n\n<p>Contr\u00f4le de la pr\u00e9cision de la broche pendant les op\u00e9rations de rectification arri\u00e8re.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Polissage des plaquettes<\/h3>\n\n\n\n<p>\u00c9valuation de la stabilit\u00e9 en rotation lors des op\u00e9rations de CMP.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Syst\u00e8mes d'inspection de plaquettes<\/h3>\n\n\n\n<p>Garantir un positionnement et une mise au point pr\u00e9cis.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Assemblage de plaquettes<\/h3>\n\n\n\n<p>R\u00e9duire les erreurs d'alignement dans les applications d'encapsulation de pointe.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Fabrication de MEMS<\/h3>\n\n\n\n<p>Respecter des exigences strictes en mati\u00e8re de plan\u00e9it\u00e9 pour les structures micro\u00e9lectrom\u00e9caniques.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Exigences typiques du secteur<\/h2>\n\n\n\n<p>Les valeurs admissibles de TTV et de TIR d\u00e9pendent du type de plaquette et de l'application.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Plaquettes de silicium<\/h3>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><tbody><tr><td>Diam\u00e8tre<\/td><td>TTV typique<\/td><\/tr><tr><td>150 mm<\/td><td>&lt; 5 \u03bcm<\/td><\/tr><tr><td>200 mm<\/td><td>&lt; 3 \u03bcm<\/td><\/tr><tr><td>300 mm<\/td><td>&lt; 1 \u03bcm<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Plaquettes de SiC de pointe<\/h3>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><tbody><tr><td>Diam\u00e8tre<\/td><td>TTV typique<\/td><\/tr><tr><td>6 pouces<\/td><td>&lt; 10 \u03bcm<\/td><\/tr><tr><td>8 pouces<\/td><td>&lt; 5 \u03bcm<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<p>Les sp\u00e9cifications TIR sont g\u00e9n\u00e9ralement d\u00e9termin\u00e9es par les fabricants d'\u00e9quipements et les exigences du proc\u00e9d\u00e9, plut\u00f4t que par les seules normes relatives aux substrats.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">TIR, TTV, courbure et d\u00e9formation : une vue d'ensemble<\/h2>\n\n\n\n<p>Aucun param\u00e8tre ne permet \u00e0 lui seul de d\u00e9crire enti\u00e8rement la g\u00e9om\u00e9trie d'une plaquette.<\/p>\n\n\n\n<p>Les ing\u00e9nieurs \u00e9valuent g\u00e9n\u00e9ralement :<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><tbody><tr><td>Param\u00e8tres<\/td><td>Description<\/td><\/tr><tr><td>\u00c9paisseur<\/td><td>\u00c9paisseur moyenne de la plaquette<\/td><\/tr><tr><td>TTV<\/td><td>Uniformit\u00e9 de l'\u00e9paisseur<\/td><\/tr><tr><td>TIR<\/td><td>Variation de rotation<\/td><\/tr><tr><td>Arc<\/td><td>D\u00e9calage du centre par rapport au plan de r\u00e9f\u00e9rence<\/td><\/tr><tr><td>Distorsion<\/td><td>D\u00e9formation globale de la plaquette<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<p>Ensemble, ces mesures permettent d'avoir une vision globale de la qualit\u00e9 des plaquettes et de la compatibilit\u00e9 des proc\u00e9d\u00e9s.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Conclusion<\/h2>\n\n\n\n<p>Le TTV et le TIR sont tous deux des param\u00e8tres de m\u00e9trologie des plaquettes essentiels, mais ils ont des fonctions diff\u00e9rentes.<\/p>\n\n\n\n<p>Le TTV permet de quantifier l'uniformit\u00e9 de l'\u00e9paisseur sur toute la surface de la plaquette, ce qui en fait une sp\u00e9cification essentielle pour les fabricants de substrats et les usines de semi-conducteurs. Le TIR, quant \u00e0 lui, mesure la variation positionnelle totale lors de la rotation et refl\u00e8te les effets combin\u00e9s des variations d'\u00e9paisseur, des irr\u00e9gularit\u00e9s de surface et de l'alignement m\u00e9canique.<\/p>\n\n\n\n<p>Alors que la fabrication de semi-conducteurs continue d'\u00e9voluer vers des diam\u00e8tres de plaquettes plus grands, des techniques d'encapsulation avanc\u00e9es et des tol\u00e9rances de processus plus strictes, il devient de plus en plus important pour les ing\u00e9nieurs impliqu\u00e9s dans la production de plaquettes, leur inspection et la fabrication de dispositifs de bien comprendre la distinction entre le TTV et le TIR.<\/p>\n\n\n\n<p>En \u00e9valuant avec pr\u00e9cision ces deux param\u00e8tres, les fabricants peuvent am\u00e9liorer la stabilit\u00e9 des processus, les performances des \u00e9quipements et le rendement global des dispositifs.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>In semiconductor manufacturing, wafer geometry plays a critical role in determining process stability, lithography accuracy, bonding quality, and ultimately device yield. As wafer diameters continue to increase and advanced packaging technologies become more demanding, the need for precise wafer metrology has never been greater. Among the many parameters used to evaluate wafer quality, Total Thickness [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2559,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[25],"tags":[1522,383,1524,36,195,637,1090,1520,130,1518,372,1515,1521,714,1517,1523,1519,873,131],"class_list":["post-2558","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-technology-applications","tag-cmp-process","tag-precision-metrology","tag-semiconductor-engineering","tag-semiconductor-manufacturing","tag-semiconductor-materials","tag-sic-wafer","tag-silicon-wafer","tag-total-indicated-reading","tag-total-thickness-variation","tag-wafer-bow","tag-wafer-flatness","tag-wafer-geometry","tag-wafer-grinding","tag-wafer-inspection","tag-wafer-metrology","tag-wafer-thickness-measurement","tag-wafer-tir","tag-wafer-ttv","tag-wafer-warp"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2558","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2558"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2558\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2560,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2558\/revisions\/2560"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2559"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2558"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2558"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2558"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}