Parmi les technologies d'interconnexion \u00e0 base de verre, la technologie TGV (Through Glass Via) s'est impos\u00e9e comme une solution cl\u00e9 pour les architectures d'emballage de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration, notamment les interposeurs 2,5D, les modules RF et les syst\u00e8mes informatiques \u00e0 haute performance.<\/p>\n\n\n\n \u00c0 travers le verre (TGV)<\/strong> d\u00e9signe une structure d'interconnexion verticale form\u00e9e par la cr\u00e9ation de microvias dans un substrat de verre, suivie d'une m\u00e9tallisation pour \u00e9tablir une connectivit\u00e9 \u00e9lectrique entre les deux surfaces.<\/p>\n\n\n\n Du point de vue de la fabrication, TGV n'est pas un processus unique, mais un syst\u00e8me int\u00e9gr\u00e9 en plusieurs \u00e9tapes combinant les technologies de modification par laser, de gravure humide, de m\u00e9tallisation, d'\u00e9lectrod\u00e9position et de planarisation.<\/p>\n\n\n\n Par rapport \u00e0 la technologie des via en silicium (TSV), TGV offre :<\/p>\n\n\n\n Ces caract\u00e9ristiques rendent TGV particuli\u00e8rement adapt\u00e9 aux modules frontaux RF, aux interposeurs d'emballage AI et aux plates-formes d'int\u00e9gration opto\u00e9lectroniques.<\/p>\n\n\n\n Dans les environnements de production industrielle, la formation de via TGV est g\u00e9n\u00e9ralement r\u00e9alis\u00e9e par un processus hybride de modification au laser et de gravure chimique.<\/p>\n\n\n\n Les gammes actuelles de capacit\u00e9s de traitement parvenues \u00e0 maturit\u00e9 sont les suivantes<\/p>\n\n\n\n Ces param\u00e8tres indiquent une morphologie stable de la via, ce qui est essentiel pour assurer une m\u00e9tallisation uniforme et minimiser les variations de la r\u00e9sistance \u00e9lectrique.<\/p>\n\n\n\n Du point de vue de la fabrication, le maintien de la coh\u00e9rence de la g\u00e9om\u00e9trie des via est l'un des principaux facteurs d\u00e9terminants du rendement. Des profils de via incoh\u00e9rents peuvent entra\u00eener :<\/p>\n\n\n\n Par cons\u00e9quent, la pr\u00e9cision de l'alignement du laser et le contr\u00f4le de l'isotropie de la gravure sont des param\u00e8tres critiques du processus.<\/p>\n\n\n\n La m\u00e9tallisation des TGV est largement reconnue comme l'une des \u00e9tapes les plus difficiles sur le plan technique en raison du rapport d'aspect \u00e9lev\u00e9 et de la g\u00e9om\u00e9trie confin\u00e9e des vias en verre.<\/p>\n\n\n\n Un processus industriel typique comprend<\/p>\n\n\n\n Cette approche en plusieurs \u00e9tapes garantit :<\/p>\n\n\n\n Sur la base des caract\u00e9ristiques des processus industriels, les principaux d\u00e9fis techniques sont les suivants :<\/p>\n\n\n\n Une conception avanc\u00e9e du syst\u00e8me de m\u00e9tallisation et une optimisation du champ d'\u00e9coulement sont g\u00e9n\u00e9ralement n\u00e9cessaires pour att\u00e9nuer ces effets.<\/p>\n\n\n\n Dans les lignes de fabrication de TGV industriels, la performance des \u00e9quipements d\u00e9termine directement le rendement du processus, en particulier dans les environnements humides.<\/p>\n\n\n\n Apr\u00e8s les \u00e9tapes de traitement humide, des syst\u00e8mes de s\u00e9chage via sont utilis\u00e9s pour.. :<\/p>\n\n\n\n Les \u00e9quipements de traitement li\u00e9s au cuivre contribuent \u00e0 :<\/p>\n\n\n\n Les syst\u00e8mes laser utilis\u00e9s dans la formation des TGV fournissent :<\/p>\n\n\n\n Ces facteurs ont un impact significatif sur l'uniformit\u00e9 de la gravure en aval et sur le taux de r\u00e9ussite de la m\u00e9tallisation.<\/p>\n\n\n\n Un syst\u00e8me industriel typique de production de TGV peut \u00eatre divis\u00e9 en trois modules principaux :<\/p>\n\n\n\n S\u00e9quence du processus :<\/p>\n\n\n\n Modification au laser \u2192 Gravure humide \u2192 Inspection AOI<\/p>\n\n\n\n Transformation mat\u00e9rielle :<\/p>\n\n\n\n Substrat en verre \u2192 Structure de via en verre de haute pr\u00e9cision<\/p>\n\n\n\n \u00c9quipement de base :<\/p>\n\n\n\n S\u00e9quence du processus :<\/p>\n\n\n\n Pulv\u00e9risation \u2192 D\u00e9p\u00f4t chimique \u2192 D\u00e9p\u00f4t \u00e9lectrolytique \u2192 CMP<\/p>\n\n\n\n \u00c9quipement de base :<\/p>\n\n\n\n Ce module d\u00e9termine la conductivit\u00e9 \u00e9lectrique et la fiabilit\u00e9 \u00e0 long terme.<\/p>\n\n\n\n S\u00e9quence du processus :<\/p>\n\n\n\n Rev\u00eatement de r\u00e9sine photosensible \u2192 Lithographie \u2192 D\u00e9veloppement \u2192 Gravure<\/p>\n\n\n\n \u00c9quipement de base :<\/p>\n\n\n\n Cette \u00e9tape permet le routage lat\u00e9ral de l'interconnexion pour l'int\u00e9gration au niveau de la puce.<\/p>\n\n\n\n Malgr\u00e9 ses avantages, la technologie du TGV doit encore relever plusieurs d\u00e9fis en mati\u00e8re d'ing\u00e9nierie et d'industrialisation :<\/p>\n\n\n\n Du point de vue du rendement industriel, ces d\u00e9fis sont principalement relev\u00e9s par l'optimisation des \u00e9quipements et l'int\u00e9gration des processus plut\u00f4t que par des am\u00e9liorations en une seule \u00e9tape.<\/p>\n\n\n\n Sur la base des trajectoires actuelles de d\u00e9veloppement de l'emballage des semi-conducteurs, la technologie TGV devrait \u00e9voluer vers.. :<\/p>\n\n\n\n Avec l'expansion rapide de l'infrastructure informatique pilot\u00e9e par l'IA, TGV devrait devenir une technologie habilitante cl\u00e9 dans les \u00e9cosyst\u00e8mes d'emballage avanc\u00e9s de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration.<\/p>\n\n\n\n![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-1024x1024.jpg\")
<\/figure>\n\n\n\n2. D\u00e9finition technique du TGV (Through Glass Via)<\/h2>\n\n\n\n
\n
3. Capacit\u00e9s d'ing\u00e9nierie de formation de Via (vue au niveau du processus)<\/h2>\n\n\n\n
3.1 Capacit\u00e9 de traitement des structures<\/h3>\n\n\n\n
\n
Favoriser la formation de via profonds dans les substrats en verre mince.<\/li>\n\n\n\n
Couvrant les dispositifs ultraminces et les plates-formes d'interposition standard.<\/li>\n\n\n\n\n
3.2 Aper\u00e7u technique (prise en compte de la stabilit\u00e9 du processus)<\/h3>\n\n\n\n
\n
4. Technologie de m\u00e9tallisation et de remplissage du cuivre<\/h2>\n\n\n\n
4.1 Processus de d\u00e9p\u00f4t de cuivre multicouche<\/h3>\n\n\n\n
\n
\n
4.2 D\u00e9fis en mati\u00e8re d'ing\u00e9nierie des proc\u00e9d\u00e9s<\/h3>\n\n\n\n
\n
5. Architecture des syst\u00e8mes d'\u00e9quipement et int\u00e9gration des processus<\/h2>\n\n\n\n
5.1 Syst\u00e8me de s\u00e9chage Via et de contr\u00f4le des d\u00e9fauts<\/h3>\n\n\n\n
\n
5.2 Optimisation du processus de fabrication du cuivre et de la fiabilit\u00e9 m\u00e9canique<\/h3>\n\n\n\n
\n
5.3 Contr\u00f4le de la pr\u00e9cision de la modification par laser<\/h3>\n\n\n\n
\n
6. Processus de fabrication du TGV int\u00e9gr\u00e9<\/h2>\n\n\n\n
6.1 Module de formation de Via<\/h3>\n\n\n\n
\n
6.2 Module de m\u00e9tallisation et de remplissage<\/h3>\n\n\n\n
\n
6.3 Module de formation de la couche de redistribution (RDL)<\/h3>\n\n\n\n
\n
7. D\u00e9fis en mati\u00e8re de fiabilit\u00e9 et de fabrication<\/h2>\n\n\n\n
\n
8. Tendances de d\u00e9veloppement de l'industrie et perspectives d'avenir<\/h2>\n\n\n\n
\n
9. Conclusion<\/h2>\n\n\n\n