{"id":2354,"date":"2026-04-22T06:34:59","date_gmt":"2026-04-22T06:34:59","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2354"},"modified":"2026-04-22T07:16:34","modified_gmt":"2026-04-22T07:16:34","slug":"ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/product\/ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Ai300 (keskis\u00e4de) korkean l\u00e4mp\u00f6tilan ioni-implantointij\u00e4rjestelm\u00e4 12 tuuman kiekkojen k\u00e4sittelyyn"},"content":{"rendered":"

\"Ai300Ai300 (Medium Beam) -korkean l\u00e4mp\u00f6tilan ioni-implantointij\u00e4rjestelm\u00e4 on suunniteltu 12 tuuman piikiekkojen puolijohteiden valmistuslinjoille. Se on keskivirtainen ioni-implantointilaite, joka on kehitetty kehittyneisiin dopingprosesseihin sek\u00e4 piipohjaisissa ett\u00e4 laajakaistaisten puolijohteiden sovelluksissa, mukaan lukien SiC-prosessilinjat.<\/p>\n

J\u00e4rjestelm\u00e4 tukee energia-aluetta 5 keV:st\u00e4 300 keV:iin, mik\u00e4 mahdollistaa joustavan implantaation matalista liitosmuodostuksista syviin doping-sovelluksiin. J\u00e4rjestelm\u00e4ss\u00e4 on korkeassa l\u00e4mp\u00f6tilassa l\u00e4mmitett\u00e4v\u00e4 kiekkovaihe, jonka maksimil\u00e4mp\u00f6tila on jopa 400 \u00b0C, mik\u00e4 mahdollistaa dopingaineiden paremman aktivoitumisen ja v\u00e4hent\u00e4\u00e4 ristikkovaurioita implantaation aikana.<\/p>\n

Vakaan s\u00e4teen suorituskyvyn, eritt\u00e4in tarkan ohjauksen ja yhteensopivuuden laajamittaisten integroitujen piirien prosessien kanssa ansiosta Ai300-j\u00e4rjestelm\u00e4 soveltuu kehittyneisiin puolijohdevalmistusymp\u00e4rist\u00f6ihin.<\/p>\n

\n

Ominaisuudet<\/h2>\n

Korkean l\u00e4mp\u00f6tilan implantointikyky<\/h3>\n

Varustettu l\u00e4mmitetyll\u00e4 kiekkovaiheella, joka tukee jopa 400 \u00b0C:n l\u00e4mp\u00f6tiloja, mik\u00e4 parantaa implantaation laatua ja dopingaineiden aktivoinnin tehokkuutta.<\/p>\n

Laaja energia-alue<\/h3>\n

Energia-alue 5-300 keV tukee sek\u00e4 matalia ett\u00e4 syvi\u00e4 implantaatioprosesseja kehittyneit\u00e4 laiterakenteita varten.<\/p>\n

Korkean tarkkuuden s\u00e4teen ohjaus<\/h3>\n

Tarjoaa eritt\u00e4in tarkan istutuksen, jonka kulmatarkkuus on \u2264 0,1\u00b0, s\u00e4teen yhdensuuntaisuus \u2264 0,1\u00b0, tasaisuus \u2264 0,5% ja toistettavuus \u2264 0,5%.<\/p>\n

Suuri l\u00e4pimenosuorituskyky<\/h3>\n

Tukee jopa \u2265 500 kiekon l\u00e4pimenoa tunnissa, mik\u00e4 soveltuu suuren volyymin puolijohdevalmistukseen.<\/p>\n

Kehittynyt ionil\u00e4hdekapasiteetti<\/h3>\n

Tukee useita implantoituja elementtej\u00e4, kuten C, B, P, N, He ja Ar, ja t\u00e4ytt\u00e4\u00e4 erilaiset puolijohdeprosessien vaatimukset.<\/p>\n

LSI-prosessin yhteensopivuus<\/h3>\n

T\u00e4ysin yhteensopiva laajamittaisten integroitujen piirien valmistusprosessien ja kehittyneen laitevalmistuksen kanssa.<\/p>\n

\"\" \"\"<\/p>\n

\n

T\u00e4rkeimm\u00e4t tekniset tiedot<\/h2>\n

Prosessin parametrit<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Kohde<\/th>\nTekniset tiedot<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Kiekon koko<\/td>\n12 tuumaa<\/td>\n<\/tr>\n
Energia-alue<\/td>\n5-300 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Implantoidut elementit<\/td>\nC, B, P, N, N, He, Ar<\/td>\n<\/tr>\n
Annosalue<\/td>\n1E11-1E16 ioneja\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Palkin suorituskyky<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n
Kohde<\/th>\nTekniset tiedot<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Palkin vakaus<\/td>\n\u2264 10% \/ tunti (\u22641 s\u00e4dekatkos tai valokaari tunnissa)<\/td>\n<\/tr>\n
Palkin rinnakkaisuus<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Istutuksen tarkkuus<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Kohde<\/th>\nTekniset tiedot<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Implantin kulma-alue<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Kulman tarkkuus<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Tasaisuus (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (P+, 1E14, 100 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Toistettavuus (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

J\u00e4rjestelm\u00e4n suorituskyky<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Kohde<\/th>\nTekniset tiedot<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
L\u00e4p\u00e4isykyky<\/td>\n\u2265 500 kiekkoa tunnissa<\/td>\n<\/tr>\n
Implantin enimm\u00e4isl\u00e4mp\u00f6tila<\/td>\n400\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
Laitteen koko<\/td>\n6400 \u00d7 3640 \u00d7 3100 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Tyhji\u00f6taso<\/td>\n5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
R\u00f6ntgens\u00e4teilyvuoto<\/td>\n\u2264 0,3 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Skannaustila<\/td>\nVaakasuora s\u00e4hk\u00f6staattinen skannaus + pystysuora mekaaninen skannaus<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Sovelluskent\u00e4t<\/h2>\n

SiC-puolijohteiden k\u00e4sittely<\/h3>\n

K\u00e4ytet\u00e4\u00e4n piikarbidilaitteiden valmistuksessa tukemaan korkean l\u00e4mp\u00f6tilan implantaatioprosesseja, joita tarvitaan laajan kaistanleveyden materiaaleissa.<\/p>\n

Piipohjainen puolijohteiden valmistus<\/h3>\n

Soveltuu 12 tuuman piikiekkojen tuotantolinjoihin CMOS- ja kehittyneiden integroitujen piirien valmistukseen.<\/p>\n

Korkean l\u00e4mp\u00f6tilan istutusprosessit<\/h3>\n

Tukee implantointiprosesseja, jotka edellytt\u00e4v\u00e4t kohonnutta kiekon l\u00e4mp\u00f6tilaa vikojen v\u00e4hent\u00e4miseksi ja dopingaineiden aktivoinnin parantamiseksi.<\/p>\n

Teholaitteen valmistus<\/h3>\n

Soveltuu tehopuolijohdekomponentteihin, joissa tarvitaan tarkkaa seostusta ja suuren energian implantointia.<\/p>\n

Kehittynyt integroitujen piirien tuotanto<\/h3>\n

Tukee LSI-prosessien integrointia korkean tarkkuuden ja suuren l\u00e4pimenon vaatimuksilla.<\/p>\n

\n

Usein kysytyt kysymykset<\/h2>\n

1. Mit\u00e4 kiekkokokoa Ai300-j\u00e4rjestelm\u00e4 tukee?<\/h3>\n

J\u00e4rjestelm\u00e4 on suunniteltu 12-tuumaisille piikiekkoille, ja se soveltuu kehittyneisiin puolijohteiden valmistuslinjoihin.<\/p>\n

2. Mik\u00e4 on korkean l\u00e4mp\u00f6tilan implantointikyvyn keskeinen etu?<\/h3>\n

J\u00e4rjestelm\u00e4 tukee implantointia jopa 400 \u00b0C:n l\u00e4mp\u00f6tilaan asti, mik\u00e4 auttaa v\u00e4hent\u00e4m\u00e4\u00e4n ristikkovaurioita, parantamaan dopingaineiden aktivoitumista ja parantamaan laitteen yleist\u00e4 suorituskyky\u00e4.<\/p>\n

3. Mink\u00e4laisen tarkkuuden ja tuotannon tehokkuuden j\u00e4rjestelm\u00e4 tarjoaa?<\/h3>\n

J\u00e4rjestelm\u00e4n kulmatarkkuus on 0,1 asteen tarkkuudella, s\u00e4teen yhdensuuntaisuus 0,1 asteen tarkkuudella ja tasaisuus ja toistettavuus 0,5 prosentin tarkkuudella, ja sen l\u00e4pimenoteho on jopa 500 kiekkoa tunnissa.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Ai300 (Medium Beam) -korkean l\u00e4mp\u00f6tilan ioni-implantointij\u00e4rjestelm\u00e4 on suunniteltu 12 tuuman piikiekkojen puolijohteiden valmistuslinjoille. Se on keskivirtainen ioni-implantointilaite, joka on kehitetty kehittyneisiin dopingprosesseihin sek\u00e4 piipohjaisissa ett\u00e4 laajakaistaisten puolijohteiden sovelluksissa, mukaan lukien SiC-prosessilinjat.<\/p>","protected":false},"featured_media":2357,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[1177],"product_tag":[1160,1194,1178,1181,1186,1197,1196,1185,1195,1198],"class_list":{"0":"post-2354","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-ion-implantation-equipment","7":"product_tag-12-inch-wafer-equipment","8":"product_tag-high-temperature-ion-implantation","9":"product_tag-ion-implantation-system","10":"product_tag-lsi-manufacturing-equipment","11":"product_tag-medium-beam-ion-implanter","12":"product_tag-power-semiconductor-processing","13":"product_tag-semiconductor-doping-machine","14":"product_tag-semiconductor-fabrication-equipment","15":"product_tag-sic-implantation-equipment","16":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor-equipment","17":"desktop-align-left","18":"tablet-align-left","19":"mobile-align-left","20":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","21":"ast-product-gallery-with-no-image","22":"ast-product-tabs-layout-horizontal","24":"first","25":"instock","26":"shipping-taxable","27":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2354","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2354"}],"version-history":[{"count":5,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2354\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2370,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2354\/revisions\/2370"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2357"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2354"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2354"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2354"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2354"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}