{"id":2346,"date":"2026-04-22T05:56:29","date_gmt":"2026-04-22T05:56:29","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2346"},"modified":"2026-04-22T07:25:08","modified_gmt":"2026-04-22T07:25:08","slug":"ai250-medium-beam-room-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-silicon-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/product\/ai250-medium-beam-room-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-silicon-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Ai250 (keskis\u00e4de) huoneenl\u00e4mp\u00f6tilassa toimiva ioni-istutusj\u00e4rjestelm\u00e4 6-8 tuuman piikiekkojen k\u00e4sittelyyn"},"content":{"rendered":"

\"\"Ai250 (Medium Beam) -ioni-implantointij\u00e4rjestelm\u00e4 on suunniteltu 6 ja 8 tuuman piikiekkojen puolijohteiden valmistuslinjoille. Se on keskivirtainen ioni-implantaattori, jota k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n kehittyneiss\u00e4 integroitujen piirien valmistusprosesseissa ja joka tarjoaa vakaan s\u00e4teen suorituskyvyn, korkean implantointitarkkuuden ja luotettavan annoksen hallinnan.<\/p>\n

J\u00e4rjestelm\u00e4 tukee energia-aluetta 5 keV:st\u00e4 250 keV:iin, mik\u00e4 mahdollistaa sek\u00e4 matalat ett\u00e4 syv\u00e4t ioni-istutussovellukset. Se soveltuu monenlaisiin puolijohteiden seostamisprosesseihin ja on t\u00e4ysin yhteensopiva LSI-valmistuksen vaatimusten kanssa.<\/p>\n

\n

Ominaisuudet<\/h2>\n

Vakaa keskipitk\u00e4n s\u00e4teen suorituskyky<\/h3>\n

Varmistaa vakaan ionis\u00e4teen tuoton pitkien tuotantosyklien aikana, parantaa prosessin johdonmukaisuutta ja v\u00e4hent\u00e4\u00e4 vaihtelua.<\/p>\n

Laaja energia-alueen kapasiteetti<\/h3>\n

Energia-alue 5-250 keV tukee joustavia implantointivaatimuksia eri laiterakenteissa ja prosessisolmuissa.<\/p>\n

Korkean tarkkuuden prosessinohjaus<\/h3>\n

Tarjoaa eritt\u00e4in tarkan istutussuorituskyvyn, jonka kulmatarkkuus on \u2264 0,2\u00b0, s\u00e4teen yhdensuuntaisuus \u2264 0,2\u00b0, tasaisuus \u2264 0,5% ja toistettavuus \u2264 0,5%.<\/p>\n

Suuri l\u00e4pimenokyky<\/h3>\n

Tukee \u2265 200 kiekkoa tunnissa, soveltuu keskisuuren ja suuren volyymin puolijohdetuotantoon.<\/p>\n

Kuvio Implantin toiminta<\/h3>\n

Tukee usean vy\u00f6hykkeen ja kvadrantin implantointia yhdell\u00e4 kiekolla, mik\u00e4 parantaa prosessin joustavuutta ja v\u00e4hent\u00e4\u00e4 kehityskustannuksia.<\/p>\n

LSI-prosessin yhteensopivuus<\/h3>\n

T\u00e4ysin yhteensopiva LSI-puolijohteiden valmistusprosessien kanssa.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

\n

T\u00e4rkeimm\u00e4t tekniset tiedot<\/h2>\n

Prosessin parametrit<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Kohde<\/th>\nTekniset tiedot<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Kiekon koko<\/td>\n6-8 tuuman piikiekot<\/td>\n<\/tr>\n
Energia-alue<\/td>\n5-250 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Implantoidut elementit<\/td>\nB+, P+, As+, Ar+, N+, N+, H+<\/td>\n<\/tr>\n
Annosalue<\/td>\n5E11-1E16 ionia\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Palkin suorituskyky<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n
Kohde<\/th>\nTekniset tiedot<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Suurin s\u00e4teen virta<\/td>\nAr+ \u2265 1300 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nB+ \u2265 1000 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nP+ \u2265 1300 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nN+ \u2265 1000 \u03bcA @ \u2265220 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Palkin vakaus<\/td>\n\u2264 15% \/ tunti (s\u00e4teen katkeaminen ja valokaari \u2264 1 kerta tunnissa)<\/td>\n<\/tr>\n
Palkin rinnakkaisuus<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Istutuksen tarkkuus<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Kohde<\/th>\nTekniset tiedot<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Implantin kulma-alue<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Kulman tarkkuus<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Tasaisuus (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (B+, 2E14, 150 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Toistettavuus (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

J\u00e4rjestelm\u00e4n suorituskyky<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Kohde<\/th>\nTekniset tiedot<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
L\u00e4p\u00e4isykyky<\/td>\n\u2265 200 kiekkoa tunnissa<\/td>\n<\/tr>\n
Tyhji\u00f6taso<\/td>\n< 5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
R\u00f6ntgens\u00e4teilyvuoto<\/td>\n\u2264 0,6 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Skannaustila<\/td>\nVaakasuora s\u00e4hk\u00f6staattinen skannaus + pystysuora mekaaninen skannaus<\/td>\n<\/tr>\n
Laitteen koko<\/td>\n5600 \u00d7 3300 \u00d7 2600 mm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Sovelluskent\u00e4t<\/h2>\n

Puolijohdekomponenttien valmistus<\/h3>\n

K\u00e4ytet\u00e4\u00e4n CMOS-logiikkalaitteiden tuotannossa, joka mahdollistaa tarkan dopingaineiden istutuksen transistorin muodostamista varten.<\/p>\n

Integroitujen piirien valmistus<\/h3>\n

Sovelletaan LSI- ja kehittyneiss\u00e4 IC-valmistusprosesseissa, jotka edellytt\u00e4v\u00e4t eritt\u00e4in tarkkaa dopingin hallintaa.<\/p>\n

Matalan ja syv\u00e4n liittym\u00e4n muodostuminen<\/h3>\n

Tukee implantaatioprosesseja source\/drain-tekniikkaa ja liitoksen syvyyden hallintaa varten.<\/p>\n

Dopantti-tekniikka<\/h3>\n

K\u00e4ytet\u00e4\u00e4n piikiekkojen s\u00e4hk\u00f6isten ominaisuuksien hallintaan tarkan ioni-implantaation avulla.<\/p>\n

Prosessikehitys ja T&K<\/h3>\n

Soveltuu puolijohdeprosessien kehitt\u00e4miseen, pilottituotantoon ja kokeelliseen laitevalmistukseen.<\/p>\n

\n

Usein kysytyt kysymykset<\/h2>\n

1. Mit\u00e4 kiekkokokoja Ai250 tukee<\/h3>\n

J\u00e4rjestelm\u00e4 tukee 6 ja 8 tuuman piikiekkoja, ja se soveltuu yleisiin puolijohdevalmistuslinjoihin.<\/p>\n

2. Mik\u00e4 on j\u00e4rjestelm\u00e4n energia-alue<\/h3>\n

Energia-alue on 5 keV-250 keV, mik\u00e4 tukee sek\u00e4 matalia ett\u00e4 syvi\u00e4 implantointiprosesseja puolijohdekomponenttien valmistuksessa.<\/p>\n

3. Millaisen prosessitarkkuuden j\u00e4rjestelm\u00e4 tarjoaa<\/h3>\n

J\u00e4rjestelm\u00e4n kulmatarkkuus on 0,2\u00b0, s\u00e4teen yhdensuuntaisuus 0,2\u00b0 ja tasaisuus ja toistettavuus 0,5%, mik\u00e4 takaa vakaan ja tuottavan tuotannon.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Ai250 (Medium Beam) -ioni-implantointij\u00e4rjestelm\u00e4 on suunniteltu 6 ja 8 tuuman piikiekkojen puolijohteiden valmistuslinjoille. Se on keskivirtainen ioni-implantaattori, jota k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n kehittyneiss\u00e4 integroitujen piirien valmistusprosesseissa ja joka tarjoaa vakaan s\u00e4teen suorituskyvyn, korkean implantointitarkkuuden ja luotettavan annoksen hallinnan.<\/p>","protected":false},"featured_media":2347,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[1177],"product_tag":[1189,1190,1191,1193,1178,1192,1186,1185,1188,1187],"class_list":{"0":"post-2346","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-ion-implantation-equipment","7":"product_tag-6-inch-wafer-equipment","8":"product_tag-8-inch-wafer-processing","9":"product_tag-cmos-manufacturing-equipment","10":"product_tag-high-current-ion-implantation","11":"product_tag-ion-implantation-system","12":"product_tag-lsi-process-equipment","13":"product_tag-medium-beam-ion-implanter","14":"product_tag-semiconductor-fabrication-equipment","15":"product_tag-semiconductor-implantation-machine","16":"product_tag-silicon-wafer-doping-equipment","17":"desktop-align-left","18":"tablet-align-left","19":"mobile-align-left","20":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","21":"ast-product-gallery-with-no-image","22":"ast-product-tabs-layout-horizontal","24":"first","25":"instock","26":"shipping-taxable","27":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2346","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2346"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2346\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2374,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2346\/revisions\/2374"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2347"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2346"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2346"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2346"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2346"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}