{"id":2196,"date":"2026-04-14T06:34:45","date_gmt":"2026-04-14T06:34:45","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2196"},"modified":"2026-04-14T06:34:48","modified_gmt":"2026-04-14T06:34:48","slug":"2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/product\/2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer\/","title":{"rendered":"2-tuumainen 6H-N piikarbidikiekko"},"content":{"rendered":"

\"2-tuumainen2 tuuman 6H-N piikarbidikiekko on yksikiteinen substraatti, joka on suunniteltu sek\u00e4 tutkimus- ett\u00e4 laitetason sovelluksiin. 6H-polytyypiss\u00e4 on kuusikulmainen kiderakenne, joka tarjoaa vakaan s\u00e4hk\u00f6njohtavuuden ja hyv\u00e4n l\u00e4mp\u00f6suorituskyvyn vaativissa olosuhteissa.<\/p>\n

Koska 6H-SiC:n kaistanleveys on noin 3,02 eV, se mahdollistaa toiminnan ymp\u00e4rist\u00f6iss\u00e4, joissa perinteiset piimateriaalit eiv\u00e4t toimi, erityisesti korkeaj\u00e4nnitteisiss\u00e4, korkeal\u00e4mp\u00f6tilaisissa ja korkeataajuisissa olosuhteissa. T\u00e4m\u00e4n vuoksi se soveltuu varhaisvaiheen laitteiden prototyyppien valmistukseen, materiaalien testaukseen ja elektronisten erikoiskomponenttien valmistukseen.<\/p>\n

ZMSH SiC -kiekot valmistetaan k\u00e4ytt\u00e4m\u00e4ll\u00e4 kontrolloituja kiteenkasvatustekniikoita, joilla varmistetaan tasainen resistiivisyys, alhainen vikatiheys ja korkea pinnanlaatu. N\u00e4m\u00e4 parametrit ovat ratkaisevia, jotta voidaan varmistaa toistettavat koetulokset ja laitteen vakaa suorituskyky.<\/p>\n

T\u00e4rkeimm\u00e4t ominaisuudet<\/h2>\n

N-tyypin johtava rakenne<\/h3>\n

Kiekko on seostettu N-tyyppiseksi, mik\u00e4 tarjoaa vakaat elektronijohtoreitit, jotka soveltuvat puolijohdekomponenttien valmistukseen ja s\u00e4hk\u00f6isiin karakterisointikokeisiin.<\/p>\n

Laaja kaistal\u00e4pimittainen puolijohdemateriaali<\/h3>\n

SiC:n kaistanleveys on ~3,02 eV, ja se tukee huomattavasti suurempaa s\u00e4hk\u00f6kent\u00e4n voimakkuutta kuin pii, mik\u00e4 mahdollistaa korkeaj\u00e4nnitek\u00e4yt\u00f6n ja paremman laitehy\u00f6tysuhteen.<\/p>\n

Korkea l\u00e4mm\u00f6njohtavuus<\/h3>\n

SiC:ll\u00e4 on erinomainen l\u00e4mm\u00f6njohtavuus, mik\u00e4 mahdollistaa tehokkaan l\u00e4mm\u00f6npoiston aktiivisilta laitealueilta. T\u00e4m\u00e4 parantaa laitteen luotettavuutta ja pident\u00e4\u00e4 k\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4\u00e4 suuritehoisissa sovelluksissa.<\/p>\n

Korkea mekaaninen lujuus<\/h3>\n

SiC-kiekot, joiden Mohsin kovuus on noin 9,2, kest\u00e4v\u00e4t hyvin mekaanisia vaurioita, pinnan kulumista ja valmistuksen aikaista rasitusta.<\/p>\n

Korkea hajoamiss\u00e4hk\u00f6kentt\u00e4<\/h3>\n

Korkea l\u00e4pily\u00f6ntikent\u00e4n voimakkuus mahdollistaa kompaktit laiterakenteet s\u00e4ilytt\u00e4en samalla korkean j\u00e4nnitteen sietokyvyn, joten SiC on ihanteellinen kehittyneeseen tehoelektroniikkaan.<\/p>\n

Tekniset tiedot<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Parametri<\/th>\nTekniset tiedot<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Materiaali<\/td>\nYksikiteinen piikarbidi<\/td>\n<\/tr>\n
Merkki<\/td>\nZMSH<\/td>\n<\/tr>\n
Polytype<\/td>\n6H-N<\/td>\n<\/tr>\n
Halkaisija<\/td>\n2 tuumaa (50,8 mm)<\/td>\n<\/tr>\n
Paksuus<\/td>\n350 \u03bcm \/ 650 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Johtavuus Tyyppi<\/td>\nN-tyyppi<\/td>\n<\/tr>\n
Pinnan viimeistely<\/td>\nCMP Kiillotettu Si-pinta<\/td>\n<\/tr>\n
C-kasvojen hoito<\/td>\nMekaaninen kiillotettu<\/td>\n<\/tr>\n
Pinnan karheus<\/td>\nRa < 0,2 nm (Si-pinta)<\/td>\n<\/tr>\n
Resistiivisyys<\/td>\n0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n
V\u00e4ri<\/td>\nL\u00e4pin\u00e4kyv\u00e4 \/ vaaleanvihre\u00e4<\/td>\n<\/tr>\n
Pakkaus<\/td>\nYhden kiekon s\u00e4ili\u00f6<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

6H-SiC:n materiaaliominaisuudet<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Kiinteist\u00f6<\/th>\nArvo<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Ristikon parametrit<\/td>\na = 3,073 \u00c5, c = 15,117 \u00c5.<\/td>\n<\/tr>\n
Mohsin kovuus<\/td>\n\u2248 9.2<\/td>\n<\/tr>\n
Tiheys<\/td>\n3,21 g\/cm\u00b3<\/td>\n<\/tr>\n
L\u00e4mp\u00f6laajenemiskerroin<\/td>\n4-5 \u00d710-\u2076 \/K<\/td>\n<\/tr>\n
Taitekerroin (750 nm)<\/td>\nn\u2080 = 2,60, n\u2091 = 2,65.<\/td>\n<\/tr>\n
Dielektrinen vakio<\/td>\n\u2248 9.66<\/td>\n<\/tr>\n
L\u00e4mm\u00f6njohtavuus<\/td>\n~3,7-3,9 W\/cm-K<\/td>\n<\/tr>\n
Bandgap<\/td>\n3,02 eV<\/td>\n<\/tr>\n
S\u00e4hk\u00f6kent\u00e4n hajoaminen<\/td>\n3-5 \u00d710\u2076 V\/cm<\/td>\n<\/tr>\n
Kyll\u00e4stymisen ajautumisnopeus<\/td>\n2,0 \u00d710\u2075 m\/s<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

N\u00e4iden luontaisten fysikaalisten ominaisuuksien ansiosta 6H-SiC soveltuu sovelluksiin, jotka vaativat vakaata suorituskyky\u00e4 \u00e4\u00e4rimm\u00e4isiss\u00e4 s\u00e4hk\u00f6- ja l\u00e4mp\u00f6olosuhteissa.<\/p>\n

\"2-tuumainenValmistusprosessi<\/h2>\n

SiC-monikiteiset kiekot valmistetaan tyypillisesti k\u00e4ytt\u00e4m\u00e4ll\u00e4 Fysikaalinen h\u00f6yrynsiirtomenetelm\u00e4 (PVT)<\/strong>, joka on kyps\u00e4 teollinen prosessi laajakaistaisen puolijohdekiteen kasvattamiseen.<\/p>\n

T\u00e4ss\u00e4 prosessissa eritt\u00e4in puhdas SiC-l\u00e4ht\u00f6materiaali sublimoidaan yli 2000 \u00b0C:n l\u00e4mp\u00f6tilassa. H\u00f6yryt kulkeutuvat tarkoin hallitun l\u00e4mp\u00f6gradientin l\u00e4pi ja kiteytyv\u00e4t uudelleen siemenkiteeseen muodostaen yksikideharkon (boule). Kasvatuksen j\u00e4lkeen kimpale jalostetaan kiekoiksi viipaloimalla, lappaamalla, kiillottamalla ja puhdistamalla.<\/p>\n

Laitesovelluksia varten kiekkoihin voidaan tehd\u00e4 ylim\u00e4\u00e4r\u00e4isi\u00e4 Kemiallinen h\u00f6yrypinnoitus (CVD) epitaksiaalinen kasvu<\/strong>, mik\u00e4 mahdollistaa dopingpitoisuuden ja kerroksen paksuuden tarkan hallinnan. T\u00e4m\u00e4 vaihe on v\u00e4ltt\u00e4m\u00e4t\u00f6n MOSFET- ja diodien valmistuksessa.<\/p>\n

Sovellukset<\/h2>\n

Tehoelektroniikka<\/h3>\n

2 tuuman 6H-N SiC-kiekkoja k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n tehopuolijohdekomponenttien, kuten diodien, MOSFET-rakenteiden ja tehomoduulien kehitt\u00e4miseen ja prototyyppien valmistukseen. N\u00e4m\u00e4 laitteet ovat v\u00e4ltt\u00e4m\u00e4tt\u00f6mi\u00e4 energian muuntamisj\u00e4rjestelmiss\u00e4 ja tehonhallintapiireiss\u00e4.<\/p>\n

Korkean l\u00e4mp\u00f6tilan elektroniikka<\/h3>\n

SiC-materiaalit s\u00e4ilytt\u00e4v\u00e4t vakaan s\u00e4hk\u00f6isen suorituskyvyn korkeissa l\u00e4mp\u00f6tiloissa, joten ne soveltuvat ilmailu- ja avaruuselektroniikkaan, teollisuuden valvontaj\u00e4rjestelmiin ja energiainfrastruktuurisovelluksiin.<\/p>\n

Puolijohteiden tutkimus ja kehitt\u00e4minen<\/h3>\n

Saatavuuden ja kustannustehokkuuden vuoksi 2 tuuman kiekkoja k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n laajalti yliopistojen laboratorioissa, tutkimuslaitoksissa ja pilottituotantoymp\u00e4rist\u00f6iss\u00e4 materiaalitutkimuksiin ja laitekokeisiin.<\/p>\n

Optoelektroniikka ja erityissovellukset<\/h3>\n

SiC on my\u00f6s optisesti l\u00e4pin\u00e4kyv\u00e4 tietyill\u00e4 aallonpituusalueilla, mik\u00e4 mahdollistaa sen k\u00e4yt\u00f6n erikoistuneissa fotoniikan ja optoelektroniikan tutkimussovelluksissa.<\/p>\n

Edut\"2-tuumainen<\/h2>\n

2 tuuman SiC-kiekkoalusta tarjoaa useita etuja tutkimukselle ja kehitykselle:<\/p>\n

    \n
  • Pienemm\u00e4t kustannukset verrattuna suurempiin kiekkokokoihin<\/li>\n
  • Helpompi k\u00e4sittely laboratoriomittakaavan kokeissa<\/li>\n
  • Soveltuu nopeaan prototyyppien rakentamiseen ja prosessien testaamiseen.<\/li>\n
  • Vakaa kiteen laatu takaa toistettavat tulokset<\/li>\n
  • Joustavat r\u00e4\u00e4t\u00e4l\u00f6intivaihtoehdot tutkimustarpeisiin<\/li>\n<\/ul>\n

    FAQ<\/h2>\n

    Q1: Mik\u00e4 ero on 6H-SiC:n ja 4H-SiC:n v\u00e4lill\u00e4?<\/h3>\n

    6H-SiC ja 4H-SiC ovat eri kidepolytyyppej\u00e4. 4H-SiC tarjoaa yleens\u00e4 suuremman elektroniliikkuvuuden ja sit\u00e4 k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n laajalti kaupallisissa teholaitteissa, kun taas 6H-SiC tarjoaa vakaan s\u00e4hk\u00f6isen k\u00e4ytt\u00e4ytymisen ja sit\u00e4 k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n yleisesti tutkimuksessa ja erityisiss\u00e4 elektronisissa sovelluksissa.<\/p>\n

    Kysymys 2: Mit\u00e4 pintak\u00e4sittely\u00e4 kiekolle tehd\u00e4\u00e4n?<\/h3>\n

    Si-pinta kiillotetaan kemiallisella mekaanisella kiillotuksella (CMP) eritt\u00e4in sile\u00e4n pinnanlaadun saavuttamiseksi (Ra < 0,2 nm). C-pinta kiillotetaan mekaanisesti erilaisten k\u00e4sittelyvaatimusten tukemiseksi.<\/p>\n

    Q3: Voiko kiekkom\u00e4\u00e4rityksi\u00e4 r\u00e4\u00e4t\u00e4l\u00f6id\u00e4?<\/h3>\n

    Kyll\u00e4. ZMSH tarjoaa r\u00e4\u00e4t\u00e4l\u00f6intivaihtoehtoja, mukaan lukien paksuus, seostuskonsentraatio, resistiivisyysalue ja pintak\u00e4sittely asiakkaan vaatimusten mukaisesti.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    ZMSH tarjoaa korkealaatuisia 2 tuuman 6H-N piikarbidikiekkoja (SiC), jotka on suunniteltu puolijohdetutkimukseen, tehoelektroniikan kehitt\u00e4miseen ja tehokkaiden elektronisten laitteiden valmistukseen. Piikarbidi on laajan kaistanleveyden omaava puolijohdemateriaali, jolla on paremmat s\u00e4hk\u00f6iset, l\u00e4mp\u00f6- ja mekaaniset ominaisuudet kuin tavanomaisilla piisubstraateilla (Si).<\/p>","protected":false},"featured_media":2197,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[729],"product_tag":[966,970,971,967,969,931,972,968,951,950,927,692,973],"class_list":{"0":"post-2196","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-wafer","7":"product_tag-2-inch-sic-wafer","8":"product_tag-350m-sic-wafer","9":"product_tag-650m-sic-wafer","10":"product_tag-6h-n-sic-substrate","11":"product_tag-cmp-polished-sic-wafer","12":"product_tag-n-type-sic-wafer","13":"product_tag-power-electronics-substrate","14":"product_tag-sic-single-crystal-wafer","15":"product_tag-sic-wafer-manufacturer","16":"product_tag-sic-wafer-supplier","17":"product_tag-silicon-carbide-wafer","18":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor","19":"product_tag-zmsh-sic-wafer","20":"desktop-align-left","21":"tablet-align-left","22":"mobile-align-left","23":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","24":"ast-product-tabs-layout-horizontal","26":"first","27":"instock","28":"shipping-taxable","29":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2196","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2196"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2196\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2202,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2196\/revisions\/2202"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2197"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2196"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2196"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2196"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2196"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}