![\"4H-N](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd2-300x300.webp\")
<\/p>\n6-tuumainen 4H-N piikarbidikiekko on seuraavan sukupolven tehoelektroniikkalaitteisiin suunniteltu laajan kaistaleveyden puolijohdealusta. Perinteisiin piimateriaaleihin verrattuna SiC tarjoaa huomattavasti suuremman s\u00e4hk\u00f6kent\u00e4n l\u00e4pily\u00f6ntikest\u00e4vyyden, erinomaisen l\u00e4mm\u00f6njohtavuuden ja vakaan suorituskyvyn korkeissa l\u00e4mp\u00f6tiloissa ja korkeissa j\u00e4nniteolosuhteissa.<\/p>\n
Noin 3,26 eV:n laaja kaistaleveys mahdollistaa SiC-pohjaisten laitteiden k\u00e4yt\u00f6n suuremmilla j\u00e4nnitteill\u00e4 ja kytkent\u00e4taajuuksilla ja samalla pienemm\u00e4t energiah\u00e4vi\u00f6t. T\u00e4m\u00e4n seurauksena SiC:st\u00e4 on tullut keskeinen materiaali korkean hy\u00f6tysuhteen tehonmuuntoj\u00e4rjestelmiss\u00e4, kuten s\u00e4hk\u00f6ajoneuvoissa, uusiutuvan energian j\u00e4rjestelmiss\u00e4 ja teollisuuden virtal\u00e4hteiss\u00e4.<\/p>\n
6 tuuman (150 mm:n luokan) kiekkomuoto on t\u00e4ll\u00e4 hetkell\u00e4 yleisin teollinen standardi SiC-laitteiden valmistuksessa. Se tarjoaa optimaalisen tasapainon tuotantotuoton, prosessin kypsyyden ja kustannustehokkuuden v\u00e4lill\u00e4, joten se soveltuu sek\u00e4 massatuotantoon ett\u00e4 kehittyneisiin tutkimussovelluksiin.<\/p>\n
4H-SiC on laajimmin k\u00e4ytetty polytyyppi tehoelektroniikassa sen edullisen kidesymmetrian ja s\u00e4hk\u00f6isen suorituskyvyn vuoksi.<\/p>\n
T\u00e4rkeimpi\u00e4 luontaisia ominaisuuksia ovat:<\/p>\n
N\u00e4m\u00e4 ominaisuudet tekev\u00e4t SiC:st\u00e4 kriittisen materiaalin suuritehoisille ja tehokkaille puolijohdekomponenteille.<\/p>\n
![\"6-tuumainen](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd4-300x300.webp\")
Kristallien kasvu ja valmistusprosessi<\/h2>\nSiC-kiekot valmistetaan yleens\u00e4 PVT-menetelm\u00e4ll\u00e4 (Physical Vapor Transport), joka on kehittynyt teollinen prosessi SiC-kiteiden kasvattamiseen.<\/p>\n
T\u00e4ss\u00e4 prosessissa eritt\u00e4in puhdasta SiC-jauhetta sublimoidaan yli 2000 \u00b0C:n l\u00e4mp\u00f6tiloissa. H\u00f6yryfaasilajit kulkeutuvat tarkoin valvotuissa l\u00e4mp\u00f6gradienteissa ja kiteytyv\u00e4t uudelleen siemenkiteeseen muodostaen yksikidekimpaleen.<\/p>\n
Kiteen kasvun j\u00e4lkeen materiaali k\u00e4y l\u00e4pi:<\/p>\n
Laitteiden valmistusta varten voidaan lis\u00e4ksi k\u00e4ytt\u00e4\u00e4 kemiallista h\u00f6yrystysprosessia (CVD) epitaksiaalikerrosten muodostamiseksi, jotta voidaan muodostaa korkealaatuisia epitaksiaalikerroksia, joiden dopingpitoisuutta ja paksuutta voidaan hallita.<\/p>\n
| Kiinteist\u00f6<\/th>\n | Z-luokka (tuotantoluokka)<\/th>\n | D-luokka (Engineering Grade)<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| Halkaisija<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Polytype<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n<\/tr>\n |
| Paksuus<\/td>\n | 350 \u00b1 15 \u00b5m<\/td>\n | 350 \u00b1 25 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Johtavuus Tyyppi<\/td>\n | N-tyyppi<\/td>\n | N-tyyppi<\/td>\n<\/tr>\n |
| Akselin ulkopuolinen kulma<\/td>\n | 4.0\u00b0 kohti \u00b1 0.5\u00b0.<\/td>\n | 4.0\u00b0 kohti \u00b1 0.5\u00b0.<\/td>\n<\/tr>\n |
| Resistiivisyys<\/td>\n | 0,015 - 0,024 \u03a9-cm<\/td>\n | 0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Mikroputken tiheys<\/td>\n | \u2264 0,2 cm-\u00b2<\/td>\n | \u2264 15 cm-\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n |
| Pinnan karheus (Ra)<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| CMP Karheus<\/td>\n | \u2264 0,2 nm<\/td>\n | \u2264 0,5 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| LTV<\/td>\n | \u2264 2,5 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 5 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| TTV<\/td>\n | \u2264 6 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 15 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Keula<\/td>\n | \u2264 25 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 40 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Warp<\/td>\n | \u2264 35 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 60 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Reunan poissulkeminen<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Pakkaus<\/td>\n | Kasetti \/ yksitt\u00e4inen kiekko<\/td>\n | Kasetti \/ yksitt\u00e4inen kiekko<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
|
![\"6-tuumainen](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd1-300x300.webp\")
Laadunvalvonta ja tarkastus<\/h2>\n