{"id":2183,"date":"2026-04-14T05:20:25","date_gmt":"2026-04-14T05:20:25","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2183"},"modified":"2026-04-14T05:20:28","modified_gmt":"2026-04-14T05:20:28","slug":"8-inch-sic-epitaxial-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/product\/8-inch-sic-epitaxial-wafer\/","title":{"rendered":"8 tuuman 200mm SiC epitaksiaalinen kiekko"},"content":{"rendered":"

\"88 tuuman SiC-epitaksiaalikiekko edustaa viimeisint\u00e4 edistysaskelta laajakaistaisessa puolijohdeteknologiassa. T\u00e4m\u00e4 200 mm:n SiC-substraatille rakennettu tuote, jossa on korkealaatuinen epitaksikerros, on suunniteltu tukemaan skaalautuvaa, korkean hy\u00f6tysuhteen teholaitteiden valmistusta.<\/p>\n

Verrattuna pienempiin kiekkokokoihin 8 tuuman SiC-kiekot kasvattavat merkitt\u00e4v\u00e4sti k\u00e4ytt\u00f6kelpoista pinta-alaa, mik\u00e4 mahdollistaa suuremman laitetuotannon kiekkoa kohti ja alentaa sirukustannuksia. T\u00e4m\u00e4 tekee niist\u00e4 ratkaisevan t\u00e4rke\u00e4n ratkaisun teollisuudelle, joka siirtyy piikarbiditeholaitteiden laajamittaiseen tuotantoon.<\/p>\n

SiC-epitaksiaalikiekkoissa yhdistyv\u00e4t piikarbidin luontaiset edut, kuten laaja kaistanleveys, suuri s\u00e4hk\u00f6kentt\u00e4 ja erinomainen l\u00e4mm\u00f6njohtavuus, sek\u00e4 tarkasti ohjatut epitaksiaalikerrokset, jotka on r\u00e4\u00e4t\u00e4l\u00f6ity laitteiden valmistusta varten. N\u00e4it\u00e4 kiekkoja k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n laajalti seuraavan sukupolven MOSFETeiss\u00e4, Schottky-diodeissa ja integroiduissa tehomoduuleissa.<\/p>\n

\n

T\u00e4rkeimm\u00e4t tekniset tiedot<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Parametri<\/th>\nArvo<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Halkaisija<\/td>\n200 \u00b1 0,5 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Polytype<\/td>\n4H-SiC<\/td>\n<\/tr>\n
Johtavuus Tyyppi<\/td>\nN-tyyppi<\/td>\n<\/tr>\n
Paksuus<\/td>\n700 \u00b1 50 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Pinnan viimeistely<\/td>\nKaksipuolinen CMP kiillotettu<\/td>\n<\/tr>\n
Orientaatio<\/td>\n4,0\u00b0 akselin ulkopuolinen \u00b10,5\u00b0.<\/td>\n<\/tr>\n
Notch<\/td>\nVakio loven suuntaus<\/td>\n<\/tr>\n
Reunaprofiili<\/td>\nViiste \/ py\u00f6ristetty reuna<\/td>\n<\/tr>\n
Pinnan karheus<\/td>\nSubnanometrin taso<\/td>\n<\/tr>\n
Pakkaus<\/td>\nKasetti tai yhden kiekon s\u00e4ili\u00f6<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Tyypillinen resistiivisyys:<\/p>\n

    \n
  • N-tyyppi: 0,015-0,028 \u03a9-cm.<\/li>\n
  • Puolierist\u00e4v\u00e4: \u22651E7 \u03a9-cm.<\/li>\n<\/ul>\n

    Saatavilla olevat arvosanat:<\/p>\n

      \n
    • MPD-luokka nolla<\/li>\n
    • Tuotantoluokka<\/li>\n
    • Tutkimusaste<\/li>\n
    • Dummy-luokka<\/li>\n<\/ul>\n

      \"8Epitaksikerroksen ominaisuudet<\/h2>\n

      Epitaksikerros kasvatetaan k\u00e4ytt\u00e4en kehittynytt\u00e4 kemiallista kaasufaasipinnoitustekniikkaa (CVD), joka mahdollistaa paksuuden, seostuspitoisuuden ja tasalaatuisuuden tarkan hallinnan.<\/p>\n

      Saatavilla oleva r\u00e4\u00e4t\u00e4l\u00f6inti sis\u00e4lt\u00e4\u00e4:<\/p>\n

        \n
      • N- tai P-tyypin epitaksikerrokset<\/li>\n
      • S\u00e4\u00e4dett\u00e4v\u00e4 epi-paksuus erilaisille laiterakenteille<\/li>\n
      • Tasaiset dopingprofiilit koko kiekon alueella<\/li>\n
      • Alhainen vikatiheys takaa korkean laitetuoton<\/li>\n<\/ul>\n

        Laadukas epitaksia on olennainen edellytys vakaan s\u00e4hk\u00f6isen suorituskyvyn ja pitk\u00e4aikaisen luotettavuuden saavuttamiseksi teholaitteissa.<\/p>\n

        \"8Valmistusprosessi<\/h2>\n

        Substraatin valmistelu<\/strong>
        Eritt\u00e4in puhtaat yksikiteiset SiC-substraatit valmistetaan korkean l\u00e4mp\u00f6tilan kasvumenetelmill\u00e4 ja kiillotetaan eritt\u00e4in alhaisen pinnankarheuden saavuttamiseksi.<\/p>\n

        Epitaksiaalinen kasvu<\/strong>
        Epitaksikerros kerrostetaan korkeassa l\u00e4mp\u00f6tilassa CVD-j\u00e4rjestelmill\u00e4, mik\u00e4 takaa tasaisen paksuuden ja yhdenmukaiset materiaaliominaisuudet koko 200 mm:n kiekolla.<\/p>\n

        Dopingvalvonta<\/strong>
        Epitaksikasvatuksen aikana k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n tarkkaa dopingia eri laitearkkitehtuurien vaatimusten t\u00e4ytt\u00e4miseksi.<\/p>\n

        Metrologia ja tarkastus<\/strong>
        Jokainen kiekko testataan kattavasti, mukaan lukien pinta-analyysi, vikakartoitus ja s\u00e4hk\u00f6inen karakterisointi tasaisen laadun varmistamiseksi.<\/p>\n

        Edut<\/h2>\n

        Skaalautuva valmistus<\/strong>
        Kahdeksan tuuman kiekkokoko lis\u00e4\u00e4 merkitt\u00e4v\u00e4sti sirujen tuotantoa kiekkoa kohti, mik\u00e4 parantaa tuotannon tehokkuutta ja alentaa laitekohtaisia kustannuksia.<\/p>\n

        Korkea hy\u00f6tysuhde<\/strong>
        SiC-materiaalin ominaisuudet mahdollistavat pienemm\u00e4t kytkent\u00e4h\u00e4vi\u00f6t, suuremman tehotiheyden ja paremman energiatehokkuuden.<\/p>\n

        Erinomainen l\u00e4mm\u00f6nhallinta<\/strong>
        Korkea l\u00e4mm\u00f6njohtavuus tukee vakaata toimintaa suuritehoisissa olosuhteissa ja v\u00e4hent\u00e4\u00e4 j\u00e4\u00e4hdytysvaatimuksia.<\/p>\n

        Alhainen vikatiheys<\/strong>
        Kehittyneet kiteenkasvatus- ja epitaksiaaliprosessit takaavat korkean tuoton ja luotettavan laitteen suorituskyvyn.<\/p>\n

        Tulevaisuuden valmis alusta<\/strong>
        8 tuuman SiC-kiekot vastaavat puolijohdeteollisuuden suuntausta kohti suurempia kiekkoformaatteja ja automatisoitua massatuotantoa.<\/p>\n

        \"\"<\/p>\n

        Sovellukset<\/h2>\n

        S\u00e4hk\u00f6ajoneuvot<\/strong>
        K\u00e4ytet\u00e4\u00e4n ajovirtasuuntaajissa, ajoneuvolatureissa ja DC-DC-muuntimissa. Suurempi kiekkokoko tukee suuritehoisten teholaitteiden massatuotantoa EV-alustoja varten.<\/p>\n

        Uusiutuvat energiaj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/strong>
        Sovelletaan aurinko- ja tuulivoimakonverttereissa, joissa hy\u00f6tysuhde ja luotettavuus ovat kriittisi\u00e4 pitk\u00e4aikaisen toiminnan kannalta.<\/p>\n

        Teollinen tehoelektroniikka<\/strong>
        Tukee moottorik\u00e4ytt\u00f6j\u00e4, automaatioj\u00e4rjestelmi\u00e4 ja suuritehoisia laitteita, jotka vaativat vakaata ja tehokasta energiamuunnosta.<\/p>\n

        5G ja RF-infrastruktuuri<\/strong>
        Mahdollistaa viestint\u00e4j\u00e4rjestelmiss\u00e4 ja tukiasemissa k\u00e4ytett\u00e4vien suurtaajuisten ja suuritehoisten RF-komponenttien k\u00e4yt\u00f6n.<\/p>\n

        Kuluttajien tehoelektroniikka<\/strong>
        K\u00e4ytet\u00e4\u00e4n pienikokoisissa, tehokkaissa virtal\u00e4hteiss\u00e4 ja pikalatausj\u00e4rjestelmiss\u00e4.<\/p>\n

        FAQ<\/h2>\n

        Q1: Mik\u00e4 on 8 tuuman SiC-kiekkojen t\u00e4rkein etu?
        Suurempi kiekkokoko lis\u00e4\u00e4 sirujen m\u00e4\u00e4r\u00e4\u00e4 kiekkoa kohti, mik\u00e4 alentaa merkitt\u00e4v\u00e4sti valmistuskustannuksia laitetta kohti ja parantaa tuotannon tehokkuutta.<\/p>\n

        Q2: Onko 8 tuuman SiC-teknologia kyps\u00e4?
        Se on parhaillaan siirtym\u00e4ss\u00e4 pilottituotannosta alkuvaiheen massatuotantoon, ja sit\u00e4 k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n yh\u00e4 enemm\u00e4n kehittyneess\u00e4 puolijohdevalmistuksessa.<\/p>\n

        Kysymys 3: Voidaanko epitaksikerroksia r\u00e4\u00e4t\u00e4l\u00f6id\u00e4?
        Kyll\u00e4, seostustyyppi, paksuus ja s\u00e4hk\u00f6iset ominaisuudet voidaan r\u00e4\u00e4t\u00e4l\u00f6id\u00e4 vastaamaan laitteen erityisvaatimuksia.<\/p>\n

        Kysymys 4: Ovatko olemassa olevat tuotantolinjat yhteensopivia 8 tuuman kiekkojen kanssa?
        Laitteistoja saatetaan joutua p\u00e4ivitt\u00e4m\u00e4\u00e4n jonkin verran, mutta monet nykyaikaiset tehtaat valmistautuvat jo 200 mm:n SiC:n k\u00e4sittelyyn.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

        8 tuuman SiC-epitaksiaalikiekko edustaa viimeisint\u00e4 edistysaskelta laajakaistaisessa puolijohdeteknologiassa. T\u00e4m\u00e4 200 mm:n SiC-substraatille rakennettu tuote, jossa on korkealaatuinen epitaksikerros, on suunniteltu tukemaan skaalautuvaa, korkean hy\u00f6tysuhteen teholaitteiden valmistusta.<\/p>","protected":false},"featured_media":2184,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[729],"product_tag":[944,735,947,945,943,933,946,948,692],"class_list":{"0":"post-2183","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-wafer","7":"product_tag-200mm-silicon-carbide-wafer","8":"product_tag-8-inch-sic-wafer","9":"product_tag-high-efficiency-power-electronics","10":"product_tag-sic-epi-wafer","11":"product_tag-sic-epitaxial-wafer","12":"product_tag-sic-mosfet-wafer","13":"product_tag-sic-power-device-substrate","14":"product_tag-silicon-carbide-epitaxy","15":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor","16":"desktop-align-left","17":"tablet-align-left","18":"mobile-align-left","19":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","20":"ast-product-tabs-layout-horizontal","22":"first","23":"instock","24":"shipping-taxable","25":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2183","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2183"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2183\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2188,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2183\/revisions\/2188"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2184"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2183"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2183"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2183"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2183"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}