{"id":2173,"date":"2026-04-14T03:08:56","date_gmt":"2026-04-14T03:08:56","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2173"},"modified":"2026-04-14T03:08:59","modified_gmt":"2026-04-14T03:08:59","slug":"4-inch-100mm-hpsi-silicon-carbide-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/product\/4-inch-100mm-hpsi-silicon-carbide-wafer\/","title":{"rendered":"4 tuuman 100mm HPSI piikarbidi kiekko"},"content":{"rendered":"

\"44 tuuman HPSI piikarbidikiekko on eritt\u00e4in puhdas puolierist\u00e4v\u00e4 substraatti, joka on suunniteltu kehittyneisiin RF-, mikroaalto- ja optoelektronisiin sovelluksiin. HPSI tarkoittaa eritt\u00e4in puhdasta puolierist\u00e4v\u00e4\u00e4 materiaalia, jolle on ominaista eritt\u00e4in korkea resistiivisyys ja erinomainen s\u00e4hk\u00f6inen eristys.<\/p>\n

Piikarbidi on piist\u00e4 ja hiilest\u00e4 koostuva laajan kaistanleveyden omaava puolijohde. Perinteisiin piikiekkoihin verrattuna se tarjoaa paremman l\u00e4mm\u00f6njohtavuuden, suuremman s\u00e4hk\u00f6kent\u00e4n ja paremman suorituskyvyn \u00e4\u00e4rimm\u00e4isiss\u00e4 k\u00e4ytt\u00f6olosuhteissa. Puolierist\u00e4v\u00e4ss\u00e4 muodossa SiC v\u00e4hent\u00e4\u00e4 merkitt\u00e4v\u00e4sti loisjohtavuutta, mik\u00e4 tekee siit\u00e4 ihanteellisen alustan suurtaajuus- ja suuritehoisille elektroniikkalaitteille.<\/p>\n

T\u00e4t\u00e4 4 tuuman kiekkoformaattia k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n laajalti sek\u00e4 tutkimuksessa ett\u00e4 teollisessa tuotannossa, koska sen kustannukset, kypsyys ja prosessien yhteensopivuus ovat tasapainossa. Se soveltuu erityisesti RF-laitteisiin, 5G-viestint\u00e4j\u00e4rjestelmiin, tutkamoduuleihin ja uusiin optisiin teknologioihin, kuten AR-aaltojohdekomponentteihin.<\/p>\n

Tekniset tiedot<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Parametri<\/th>\nArvo<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Halkaisija<\/td>\n100 \u00b1 0,5 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Paksuus<\/td>\n350 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Materiaali<\/td>\nSiC-monikide<\/td>\n<\/tr>\n
Tyyppi<\/td>\nHPSI (puolierist\u00e4v\u00e4)<\/td>\n<\/tr>\n
Resistiivisyys<\/td>\n\u22651E5 - \u22651E10 ohm-cm<\/td>\n<\/tr>\n
Pinnan karheus<\/td>\nCMP Ra \u2264 0,2 nm<\/td>\n<\/tr>\n
TTV<\/td>\n\u2264 10 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Warp<\/td>\n\u2264 30 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Orientaatio<\/td>\nAkselilla tai akselin ulkopuolella olevat vaihtoehdot.<\/td>\n<\/tr>\n
Edge<\/td>\nSEMI-standardin mukainen viiste<\/td>\n<\/tr>\n
Luokka<\/td>\nTuotanto \/ Tutkimus \/ Dummy<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

N\u00e4m\u00e4 parametrit takaavat korkean pinnanlaadun, alhaisen virhetiheyden ja vakaat mekaaniset ominaisuudet, joita tarvitaan epitaksiaalisessa kasvussa ja tarkkuuslaitteiden valmistuksessa.<\/p>\n

Materiaalin ominaisuudet\"\"<\/h2>\n

Piikarbidi on yksi t\u00e4rkeimmist\u00e4 kolmannen sukupolven puolijohdemateriaaleista. Sen laajan kaistanleveyden ansiosta laitteet voivat toimia suuremmilla j\u00e4nnitteill\u00e4 pienemmill\u00e4 vuotovirroilla kuin pii.<\/p>\n

HPSI-kiekoille on ominaista niiden eritt\u00e4in korkea resistiivisyys. T\u00e4m\u00e4 ominaisuus minimoi ei-toivotun virran kulun substraatin sis\u00e4ll\u00e4, mik\u00e4 on ratkaisevan t\u00e4rke\u00e4\u00e4 signaalin eheyden s\u00e4ilytt\u00e4miseksi RF- ja mikroaaltosovelluksissa.<\/p>\n

L\u00e4mm\u00f6njohtavuus on huomattavasti korkeampi kuin perinteisill\u00e4 puolijohdemateriaaleilla, mik\u00e4 mahdollistaa tehokkaan l\u00e4mm\u00f6ntuottamisen suuritehoisessa k\u00e4yt\u00f6ss\u00e4. T\u00e4m\u00e4 v\u00e4hent\u00e4\u00e4 l\u00e4mp\u00f6rasitusta ja parantaa pitk\u00e4aikaista luotettavuutta.<\/p>\n

SiC:ll\u00e4 on my\u00f6s suuri l\u00e4pily\u00f6ntis\u00e4hk\u00f6kentt\u00e4, mink\u00e4 ansiosta laitteet kest\u00e4v\u00e4t korkeaa j\u00e4nnitett\u00e4 ilman, ett\u00e4 niiden koko kasvaa. Lis\u00e4ksi materiaali s\u00e4ilytt\u00e4\u00e4 vakaan suorituskyvyn korkeissa l\u00e4mp\u00f6tiloissa, korkeilla taajuuksilla ja s\u00e4teilyaltistuksessa, joten se soveltuu vaativiin ymp\u00e4rist\u00f6ihin.<\/p>\n

Sovellukset<\/h2>\n

RF- ja mikroaaltolaitteet<\/strong>
HPSI piikarbidikiekkoja k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n laajalti RF-vahvistimien ja suurtaajuuspiirien substraatteina. Niiden korkea resistiivisyys v\u00e4hent\u00e4\u00e4 loish\u00e4vi\u00f6it\u00e4 ja parantaa signaalinsiirron tehokkuutta, mik\u00e4 tekee niist\u00e4 v\u00e4ltt\u00e4m\u00e4tt\u00f6mi\u00e4 kehittyneess\u00e4 viestint\u00e4elektroniikassa.<\/p>\n

5G-viestint\u00e4infrastruktuuri<\/strong>
5G-j\u00e4rjestelmiss\u00e4 laitteet toimivat korkeammilla taajuuksilla ja vaativat materiaaleja, joilla on erinomainen s\u00e4hk\u00f6inen eristys. HPSI SiC -kiekot tukevat vakaata suorituskyky\u00e4 tukiasemissa ja langattomissa moduuleissa, mik\u00e4 mahdollistaa suuremman tiedonsiirtotehokkuuden ja pienemm\u00e4n energiah\u00e4vikin.<\/p>\n

AR-lasit ja optiset j\u00e4rjestelm\u00e4t<\/strong>
Lis\u00e4tyn todellisuuden laitteissa SiC-kiekkoja k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n optisissa ja aaltojohtimiin liittyviss\u00e4 komponenteissa. Niiden rakenteellinen vakaus ja yhteensopivuus tarkkuusk\u00e4sittelytekniikoiden kanssa tukevat kompaktien ja suorituskykyisten optisten j\u00e4rjestelmien kehitt\u00e4mist\u00e4.<\/p>\n

Tutkat ja puolustusj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/strong>
HPSI SiC -substraatit soveltuvat tutka- ja puolustuselektroniikkaan, jossa vaaditaan suurta tehoa, suurtaajuutta ja luotettavuutta. Ne toimivat vakaasti \u00e4\u00e4rimm\u00e4isiss\u00e4 ymp\u00e4rist\u00f6olosuhteissa, kuten korkeissa l\u00e4mp\u00f6tiloissa ja s\u00e4teilyss\u00e4.<\/p>\n

Optoelektroniset laitteet<\/strong>
N\u00e4it\u00e4 kiekkoja k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n my\u00f6s optoelektroniikka- ja fotonilaitteissa, joissa s\u00e4hk\u00f6inen eristys ja l\u00e4mp\u00f6suorituskyky ovat kriittisi\u00e4 laitteen tehokkuuden ja vakauden kannalta.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

Saatavilla olevat arvosanat<\/h2>\n

Tuotantoluokka
K\u00e4ytet\u00e4\u00e4n kaupalliseen laitevalmistukseen, jossa on tiukka laadunvalvonta ja alhainen vikatiheys.<\/p>\n

Tutkimusaste
Soveltuu laboratoriokehitykseen, testaukseen ja prosessin optimointiin.<\/p>\n

Dummy-luokka
Sovelletaan laitteiden kalibrointiin, prosessien testaukseen ja muuhun kuin toiminnalliseen k\u00e4ytt\u00f6\u00f6n.<\/p>\n

Si vs SiC Vertailu<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Kiinteist\u00f6<\/th>\nPii<\/th>\nPiikarbidi<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Bandgap<\/td>\n1,12 eV<\/td>\n~3,26 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Resistiivisyys<\/td>\nMatala<\/td>\nEritt\u00e4in korkea (HPSI)<\/td>\n<\/tr>\n
L\u00e4mm\u00f6njohtavuus<\/td>\nKohtalainen<\/td>\nKorkea<\/td>\n<\/tr>\n
Taajuuskapasiteetti<\/td>\nRajoitettu<\/td>\nErinomainen<\/td>\n<\/tr>\n
Sovelluksen painopiste<\/td>\nLogiikka ja IC<\/td>\nRF ja korkeataajuus<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Pii on edelleen hallitsevassa asemassa perinteisess\u00e4 elektroniikassa, kun taas piikarbidia k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n yh\u00e4 enemm\u00e4n suurtaajuus- ja suorituskykyisiss\u00e4 j\u00e4rjestelmiss\u00e4.<\/p>\n

FAQ<\/h2>\n

K: Mik\u00e4 on HPSI piikarbidikiekko?
HPSI-kiekko on eritt\u00e4in puhdas puolierist\u00e4v\u00e4 piikarbidialusta, jolla on eritt\u00e4in korkea s\u00e4hk\u00f6inen resistiivisyys ja joka on suunniteltu RF-, mikroaalto- ja optoelektronisiin sovelluksiin.<\/p>\n

K: Miksi korkea resistiivisyys on t\u00e4rke\u00e4\u00e4?
Korkea resistiivisyys v\u00e4hent\u00e4\u00e4 loisjohtumista ja signaalih\u00e4iri\u00f6it\u00e4, mik\u00e4 on ratkaisevan t\u00e4rke\u00e4\u00e4 tehokkuuden ja signaalin eheyden s\u00e4ilytt\u00e4miseksi suurtaajuuslaitteissa.<\/p>\n

K: Soveltuuko piikarbidi optisiin sovelluksiin?
Kyll\u00e4, piikarbidia voidaan k\u00e4ytt\u00e4\u00e4 tietyiss\u00e4 optisissa ja fotonisovelluksissa sen l\u00e4mp\u00f6stabiilisuuden ja yhteensopivuuden kehittyneiden valmistusprosessien kanssa ansiosta.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

4 tuuman HPSI piikarbidikiekko on keskeinen materiaali suurtaajuus- ja seuraavan sukupolven elektroniikkaj\u00e4rjestelmiss\u00e4. Korkean resistiivisyyden, l\u00e4mp\u00f6suorituskyvyn ja rakenteellisen vakauden yhdistelm\u00e4 tekee siit\u00e4 ihanteellisen valinnan RF-laitteisiin, viestint\u00e4infrastruktuuriin ja uusiin optisiin teknologioihin. Koska korkean hy\u00f6tysuhteen ja korkeataajuisten j\u00e4rjestelmien kysynt\u00e4 kasvaa jatkuvasti, HPSI SiC -alustat ovat yh\u00e4 t\u00e4rke\u00e4mpi\u00e4 kehittyneiss\u00e4 puolijohdesovelluksissa.<\/p>","protected":false},"featured_media":2174,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[729],"product_tag":[930,938,936,937,940,941,942,939,927,692],"class_list":{"0":"post-2173","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-wafer","7":"product_tag-4-inch-sic-wafer","8":"product_tag-high-resistivity-sic","9":"product_tag-hpsi-silicon-carbide-wafer","10":"product_tag-semi-insulating-sic","11":"product_tag-sic-for-5g","12":"product_tag-sic-for-ar-glasses","13":"product_tag-sic-optical-substrate","14":"product_tag-sic-rf-substrate","15":"product_tag-silicon-carbide-wafer","16":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor","17":"desktop-align-left","18":"tablet-align-left","19":"mobile-align-left","20":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","21":"ast-product-tabs-layout-horizontal","23":"first","24":"instock","25":"shipping-taxable","26":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2173","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2173"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2173\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2179,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2173\/revisions\/2179"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2174"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2173"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2173"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2173"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2173"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}