{"id":2094,"date":"2026-04-03T02:54:14","date_gmt":"2026-04-03T02:54:14","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&#038;p=2094"},"modified":"2026-04-03T02:54:15","modified_gmt":"2026-04-03T02:54:15","slug":"high-performance-gan-epitaxy-equipment-for-6-8-wafers","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/product\/high-performance-gan-epitaxy-equipment-for-6-8-wafers\/","title":{"rendered":"Korkean suorituskyvyn GaN-epitaksilaitteet 6\u201d\/8\u201d-kiekkoille"},"content":{"rendered":"<p data-start=\"201\" data-end=\"669\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" class=\"size-medium wp-image-2095 alignright\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/High-Performance-GaN-Epitaxy-Equipment-for-6_8-Wafers-300x300.png\" alt=\"\" width=\"300\" height=\"300\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/High-Performance-GaN-Epitaxy-Equipment-for-6_8-Wafers-300x300.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/High-Performance-GaN-Epitaxy-Equipment-for-6_8-Wafers-150x150.png 150w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/High-Performance-GaN-Epitaxy-Equipment-for-6_8-Wafers-768x768.png 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/High-Performance-GaN-Epitaxy-Equipment-for-6_8-Wafers-12x12.png 12w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/High-Performance-GaN-Epitaxy-Equipment-for-6_8-Wafers-600x600.png 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/High-Performance-GaN-Epitaxy-Equipment-for-6_8-Wafers-100x100.png 100w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/High-Performance-GaN-Epitaxy-Equipment-for-6_8-Wafers.png 1000w\" sizes=\"(max-width: 300px) 100vw, 300px\" \/>High-Performance Galliumnitride (GaN) Epitaxy Equipment on edistyksellinen epitaksiaalinen kasvuj\u00e4rjestelm\u00e4, joka on suunniteltu 6 ja 8 tuuman GaN-kiekkojen tehokkaaseen tuotantoon. J\u00e4rjestelm\u00e4 on kehitetty vastaamaan seuraavan sukupolven tehoelektroniikan, RF-laitteiden ja suurtaajuussovellusten kasvaviin vaatimuksiin, ja se tarjoaa kattavan ratkaisun, jossa l\u00e4pimeno, epitaksiaalinen tasalaatuisuus, vikojen hallinta ja toiminnan kustannustehokkuus ovat tasapainossa.<\/p>\n<p data-start=\"671\" data-end=\"1225\">Patentoidun ChipCore-teknologian ansiosta laitteisto tarjoaa poikkeuksellisen tasaisen kerroksen, alhaisen vikatiheyden ja pitk\u00e4n aikav\u00e4lin toimintavakauden. Sen vankka modulaarinen arkkitehtuuri mahdollistaa virtal\u00e4hteiden, poistomoduulien ja EFEM\/PM\/TM-moduulien riippumattoman asentamisen, mik\u00e4 mahdollistaa joustavan integroinnin tuotantoymp\u00e4rist\u00f6ihin, joissa on vaihteleva lattia-asettelu, mukaan lukien v\u00e4lipohjat ja harmaat alueet. Modulaarisuus ei ainoastaan yksinkertaista huoltoa vaan my\u00f6s v\u00e4hent\u00e4\u00e4 tuotannon seisokkiaikoja, joten se soveltuu erinomaisesti jatkuvaan, teolliseen tuotantoon.<\/p>\n<p data-start=\"1227\" data-end=\"1595\">J\u00e4rjestelm\u00e4ss\u00e4 on tarkka monialueinen l\u00e4mp\u00f6tilan s\u00e4\u00e4t\u00f6 ja optimoitu kaasuvirtausdynamiikka, joilla varmistetaan tasainen laskeuma kaikilla kiekkopinnoilla. Yhdess\u00e4 t\u00e4ysin automatisoidun kiekon k\u00e4sittelyn, korkean l\u00e4mp\u00f6tilan kiekonsiirtomekanismien ja jatkuvan prosessinvalvonnan kanssa se takaa tasalaatuisen epitaksiaalikasvatuksen monille erilaisille GaN-pohjaisille laitteille.<\/p>\n<p data-start=\"1597\" data-end=\"1943\">Laitteisto on suunniteltu suurille tuotantom\u00e4\u00e4rille, ja se tukee keskeytym\u00e4t\u00f6nt\u00e4 toimintaa, jolloin saavutetaan maksimaalinen l\u00e4pimeno prosessin vakaudesta tinkim\u00e4tt\u00e4. Sen yhteensopivuus useiden substraattityyppien kanssa antaa valmistajille mahdollisuuden laajentaa tuotantokapasiteettiaan erilaisille gaN-kiekkoille s\u00e4ilytt\u00e4en samalla alhaiset k\u00e4ytt\u00f6kustannukset ja korkean luotettavuuden.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"xj0uai\" data-start=\"1950\" data-end=\"1980\">T\u00e4rkeimm\u00e4t tekniset edut<\/h3>\n<ul data-start=\"1982\" data-end=\"3360\">\n<li data-section-id=\"zml9wo\" data-start=\"1982\" data-end=\"2148\"><strong data-start=\"1984\" data-end=\"2010\">Oma teknologia<\/strong>: ChipCore on kehitt\u00e4nyt sen kokonaan ja sill\u00e4 on t\u00e4ydet immateriaalioikeudet, mik\u00e4 takaa erilaistuneen suorituskyvyn ja kilpailukyvyn markkinoilla.<\/li>\n<li data-section-id=\"1o0ja2a\" data-start=\"2149\" data-end=\"2321\"><strong data-start=\"2151\" data-end=\"2193\">Poikkeuksellinen tasaisuus ja v\u00e4h\u00e4iset viat<\/strong>: Kehittynyt l\u00e4mp\u00f6tilan ja kaasun virtauksen s\u00e4\u00e4t\u00f6 mahdollistaa eritt\u00e4in tasaisen kerroksen paksuuden ja koostumuksen sek\u00e4 minimaalisen virhetiheyden.<\/li>\n<li data-section-id=\"129t8yb\" data-start=\"2322\" data-end=\"2467\"><strong data-start=\"2324\" data-end=\"2343\">Suuri l\u00e4pimeno<\/strong>: Optimoitu jatkuvaan, laajamittaiseen tuotantoon, tukee sek\u00e4 6\u201d ett\u00e4 8\u201d kiekkoja maksimaalisen valmistustehokkuuden saavuttamiseksi.<\/li>\n<li data-section-id=\"1y8ea7h\" data-start=\"2468\" data-end=\"2612\"><strong data-start=\"2470\" data-end=\"2493\">Alhaiset k\u00e4ytt\u00f6kustannukset<\/strong>: Tehokas l\u00e4mm\u00f6nhallinta ja kaasun k\u00e4ytt\u00f6 v\u00e4hent\u00e4v\u00e4t tuotantokustannuksia kiekkoa kohti ja minimoivat samalla resurssien tuhlauksen.<\/li>\n<li data-section-id=\"u0zpdv\" data-start=\"2613\" data-end=\"2774\"><strong data-start=\"2615\" data-end=\"2649\">Pidennetyt huoltov\u00e4lit<\/strong>: Suunniteltu pitkiin toimintajaksoihin ilman seisokkiaikoja, mik\u00e4 v\u00e4hent\u00e4\u00e4 huoltotiheytt\u00e4 ja parantaa yleist\u00e4 tuottavuutta.<\/li>\n<li data-section-id=\"6nklq1\" data-start=\"2775\" data-end=\"2942\"><strong data-start=\"2777\" data-end=\"2796\">Korkea automaatio<\/strong>: T\u00e4ydellinen EFEM-integraatio ja valinnainen nosturiliit\u00e4nt\u00e4 mahdollistavat kiekkojen automaattisen k\u00e4sittelyn, mik\u00e4 v\u00e4hent\u00e4\u00e4 manuaalisia toimenpiteit\u00e4 ja k\u00e4ytt\u00f6virheit\u00e4.<\/li>\n<li data-section-id=\"1l3fg4b\" data-start=\"2943\" data-end=\"3093\"><strong data-start=\"2945\" data-end=\"2978\">Monialustayhteensopivuus<\/strong>: Tukee erilaisia substraattimateriaaleja, mik\u00e4 mahdollistaa joustavan valmistuksen erilaisiin GaN-laitesovelluksiin.<\/li>\n<li data-section-id=\"nv1m3a\" data-start=\"3094\" data-end=\"3223\"><strong data-start=\"3096\" data-end=\"3119\">Skaalautuva tuotanto<\/strong>: Modulaarinen jaettu arkkitehtuuri mahdollistaa tulevan laajentamisen tai mukauttamisen uusiin tuotantosuunnitelmiin.<\/li>\n<li data-section-id=\"dyhu20\" data-start=\"3224\" data-end=\"3360\"><strong data-start=\"3226\" data-end=\"3247\">Prosessin vakaus<\/strong>: Jatkuva seuranta ja palaute varmistavat toistettavuuden ja luotettavuuden useilla kiekkoilla ja erill\u00e4.<\/li>\n<\/ul>\n<h3 data-section-id=\"4v9b11\" data-start=\"3367\" data-end=\"3392\">Prosessin suorituskyky<\/h3>\n<div class=\"TyagGW_tableContainer\">\n<div class=\"group TyagGW_tableWrapper flex flex-col-reverse w-fit\" tabindex=\"-1\">\n<table class=\"w-fit min-w-(--thread-content-width)\" data-start=\"3394\" data-end=\"4196\">\n<thead data-start=\"3394\" data-end=\"3423\">\n<tr data-start=\"3394\" data-end=\"3423\">\n<th class=\"\" data-start=\"3394\" data-end=\"3406\" data-col-size=\"sm\">Parametri<\/th>\n<th class=\"\" data-start=\"3406\" data-end=\"3423\" data-col-size=\"md\">Tekniset tiedot<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody data-start=\"3454\" data-end=\"4196\">\n<tr data-start=\"3454\" data-end=\"3549\">\n<td data-start=\"3454\" data-end=\"3467\" data-col-size=\"sm\">L\u00e4p\u00e4isykyky<\/td>\n<td data-col-size=\"md\" data-start=\"3467\" data-end=\"3549\">Suuren kapasiteetin rakenne teollisen mittakaavan tuotantoa varten jatkuvassa k\u00e4yt\u00f6ss\u00e4<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3550\" data-end=\"3599\">\n<td data-start=\"3550\" data-end=\"3577\" data-col-size=\"sm\">Wafer-kokojen yhteensopivuus<\/td>\n<td data-col-size=\"md\" data-start=\"3577\" data-end=\"3599\">6\u201d \/ 8\u201d GaN-kiekot<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3600\" data-end=\"3704\">\n<td data-start=\"3600\" data-end=\"3624\" data-col-size=\"sm\">Toiminnan vakaus<\/td>\n<td data-col-size=\"md\" data-start=\"3624\" data-end=\"3704\">Pitk\u00e4, keskeytym\u00e4t\u00f6n ja h\u00e4iri\u00f6t\u00f6n toiminta teollisen mittakaavan valmistuksessa.<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3705\" data-end=\"3795\">\n<td data-start=\"3705\" data-end=\"3728\" data-col-size=\"sm\">Epitaksinen tasaisuus<\/td>\n<td data-start=\"3728\" data-end=\"3795\" data-col-size=\"md\">Erinomainen paksuuden ja koostumuksen tasaisuus koko kiekon alueella<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3796\" data-end=\"3886\">\n<td data-start=\"3796\" data-end=\"3813\" data-col-size=\"sm\">Vian tiheys<\/td>\n<td data-col-size=\"md\" data-start=\"3813\" data-end=\"3886\">Alhainen vikaprosentti takaa korkean tuoton ja johdonmukaisen laitteen suorituskyvyn.<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3887\" data-end=\"3953\">\n<td data-start=\"3887\" data-end=\"3905\" data-col-size=\"sm\">Tuotantokustannukset<\/td>\n<td data-col-size=\"md\" data-start=\"3905\" data-end=\"3953\">Optimoitu alhaisiin waferikohtaisiin k\u00e4ytt\u00f6kustannuksiin<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3954\" data-end=\"4040\">\n<td data-start=\"3954\" data-end=\"3973\" data-col-size=\"sm\">Automaatiotaso<\/td>\n<td data-col-size=\"md\" data-start=\"3973\" data-end=\"4040\">Korkea, t\u00e4ydellinen EFEM ja valinnainen nosturiavusteinen kiekkojen k\u00e4sittelyj\u00e4rjestelm\u00e4<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"4041\" data-end=\"4096\">\n<td data-start=\"4041\" data-end=\"4059\" data-col-size=\"sm\">Tuotantotila<\/td>\n<td data-start=\"4059\" data-end=\"4096\" data-col-size=\"md\">Jatkuva, koko p\u00e4iv\u00e4n kest\u00e4v\u00e4 valmistus<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"4097\" data-end=\"4196\">\n<td data-start=\"4097\" data-end=\"4123\" data-col-size=\"sm\">Alustan yhteensopivuus<\/td>\n<td data-start=\"4123\" data-end=\"4196\" data-col-size=\"md\">Tukee useita substraattityyppej\u00e4 erilaisia GaN-laitesovelluksia varten<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<h3 data-section-id=\"mn7c2p\" data-start=\"4203\" data-end=\"4230\">Sovellusskenaariot<\/h3>\n<p data-start=\"4232\" data-end=\"4422\">T\u00e4m\u00e4 GaN-epitaksilaitteisto on otettu laajalti k\u00e4ytt\u00f6\u00f6n kehittyneess\u00e4 puolijohdevalmistuksessa, erityisesti sovelluksissa, jotka vaativat korkeaa tehokkuutta, korkeaa j\u00e4nnitett\u00e4 ja suurtaajuussuorituskyky\u00e4:<\/p>\n<p data-start=\"4424\" data-end=\"4601\"><strong data-start=\"4424\" data-end=\"4445\">Tehoelektroniikka<\/strong><br data-start=\"4445\" data-end=\"4448\" \/>K\u00e4ytet\u00e4\u00e4n GaN MOSFETien, HEMTien ja tehomoduulien valmistukseen teollisuuden muuntimissa, jotka tarjoavat energiatehokkaita ratkaisuja korkeaj\u00e4nnitesovelluksiin.<\/p>\n<p data-start=\"4603\" data-end=\"4822\"><strong data-start=\"4603\" data-end=\"4633\">RF- ja viestint\u00e4laitteet<\/strong><br data-start=\"4633\" data-end=\"4636\" \/>Ihanteellinen langattomassa viestinn\u00e4ss\u00e4, 5G-infrastruktuurissa, tutkaj\u00e4rjestelmiss\u00e4 ja satelliittiviestinn\u00e4ss\u00e4 k\u00e4ytett\u00e4viin korkeataajuisiin GaN-laitteisiin, jotka takaavat korkean signaalin eheyden ja luotettavuuden.<\/p>\n<p data-start=\"4824\" data-end=\"5023\"><strong data-start=\"4824\" data-end=\"4851\">S\u00e4hk\u00f6ajoneuvot (EV)<\/strong><br data-start=\"4851\" data-end=\"4854\" \/>Tukee ajoneuvolatureiden, DC-DC-muuntimien ja invertterimoduulien tuotantoa, mik\u00e4 parantaa ajoneuvojen energiatehokkuutta, v\u00e4hent\u00e4\u00e4 energiah\u00e4vi\u00f6it\u00e4 ja pident\u00e4\u00e4 akkujen k\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4\u00e4.<\/p>\n<p data-start=\"5025\" data-end=\"5218\"><strong data-start=\"5025\" data-end=\"5053\">Uusiutuvat energiaj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/strong><br data-start=\"5053\" data-end=\"5056\" \/>Sovelletaan aurinkos\u00e4hk\u00f6isiss\u00e4 vaihtosuuntaajissa ja energiavarastointilaitteissa, mik\u00e4 mahdollistaa suuremman muuntotehokkuuden, paremman j\u00e4rjestelm\u00e4n luotettavuuden ja pidemm\u00e4n k\u00e4ytt\u00f6i\u00e4n.<\/p>\n<p data-start=\"5220\" data-end=\"5416\"><strong data-start=\"5220\" data-end=\"5265\">Teollisuusautomaatio ja suuritehoiset taajuusmuuttajat<\/strong><br data-start=\"5265\" data-end=\"5268\" \/>K\u00e4ytet\u00e4\u00e4n suuritehoisissa moottorik\u00e4yt\u00f6iss\u00e4, teollisuusautomaatioj\u00e4rjestelmiss\u00e4 ja tehol\u00e4hteiss\u00e4, jotka vaativat vakaata, tehokasta ja pitk\u00e4aikaista toimintaa.<\/p>\n<p data-start=\"5418\" data-end=\"5631\"><strong data-start=\"5418\" data-end=\"5442\">High-End GaN-laitteet<\/strong><br data-start=\"5442\" data-end=\"5445\" \/>Soveltuu edistyneiden komponenttien, kuten HEMT:ien, Schottky-diodien ja seuraavan sukupolven korkeaj\u00e4nnitteisten GaN-laitteiden valmistukseen, jotka t\u00e4ytt\u00e4v\u00e4t tiukat teollisuus- ja kuluttajaluokan vaatimukset.<\/p>\n<p data-start=\"5633\" data-end=\"5874\">Laitteiston yhdistelm\u00e4 korkeaa automaatiota, joustavaa substraattitukea ja optimoitua epitaksikasvatusta tekee siit\u00e4 monipuolisen ratkaisun valmistajille, jotka tavoittelevat sek\u00e4 korkeaa tuottoa ett\u00e4 korkeaa suorituskyky\u00e4 kilpailluilla puolijohdemarkkinoilla.<\/p>\n<p data-start=\"5633\" data-end=\"5874\"><img decoding=\"async\" class=\"wp-image-2080 size-large aligncenter\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-1024x578.png\" alt=\"\" width=\"1024\" height=\"578\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-1024x578.png 1024w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-300x169.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-768x433.png 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-18x10.png 18w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-600x339.png 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application.png 1285w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/p>\n<h3 data-section-id=\"6toqgg\" data-start=\"5881\" data-end=\"5890\">FAQ<\/h3>\n<p data-start=\"5892\" data-end=\"6130\"><strong data-start=\"5892\" data-end=\"5960\">1. Mit\u00e4 kiekkokokoja t\u00e4m\u00e4 GaN-epitaksilaitteisto tukee?<\/strong><br data-start=\"5960\" data-end=\"5963\" \/>J\u00e4rjestelm\u00e4 tukee sek\u00e4 6- ett\u00e4 8-tuumaisia kiekkoja, mik\u00e4 tarjoaa joustavuutta nykyisiin tuotantotarpeisiin ja mahdollistaa skaalautuvuuden tulevaisuudessa tuotantovaatimusten kasvaessa.<\/p>\n<p data-start=\"6132\" data-end=\"6422\"><strong data-start=\"6132\" data-end=\"6210\">2. Miten j\u00e4rjestelm\u00e4 varmistaa epitaksisen tasaisuuden ja alhaisen vikatiheyden?<\/strong><br data-start=\"6210\" data-end=\"6213\" \/>Monialueinen l\u00e4mp\u00f6tilan s\u00e4\u00e4t\u00f6, optimoitu kaasuvirtausdynamiikka ja pystysuora ilmavirtaussuunnittelu varmistavat tasaisen laskeutumisen koko kiekon pinnalla, mik\u00e4 johtaa tasaiseen kerrospaksuuteen, koostumukseen ja minimaalisiin vikoihin.<\/p>\n<p data-start=\"6424\" data-end=\"6692\"><strong data-start=\"6424\" data-end=\"6508\">3. Soveltuuko laite jatkuvaan, suuren volyymin teolliseen tuotantoon?<\/strong><br data-start=\"6508\" data-end=\"6511\" \/>Kyll\u00e4, se on suunniteltu keskeytym\u00e4tt\u00f6m\u00e4\u00e4n, koko p\u00e4iv\u00e4n kest\u00e4v\u00e4\u00e4n toimintaan, pitk\u00e4\u00e4n h\u00e4iri\u00f6tt\u00f6m\u00e4\u00e4n k\u00e4ytt\u00f6aikaan, suureen l\u00e4pimenoon ja prosessin toistettavuuteen, joten se on ihanteellinen suuren mittakaavan valmistukseen.<\/p>\n<p data-start=\"6694\" data-end=\"6933\"><strong data-start=\"6694\" data-end=\"6746\">4. Pystyyk\u00f6 se soveltumaan erilaisiin alustatyyppeihin?<\/strong><br data-start=\"6746\" data-end=\"6749\" \/>Laitteet ovat yhteensopivia useiden substraattimateriaalien kanssa, mukaan lukien standardi- ja erikois-GaN-kiekot, mik\u00e4 mahdollistaa monipuolisen tuotannon erilaisiin puolijohdesovelluksiin.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>High-Performance Galliumnitride (GaN) Epitaxy Equipment on edistyksellinen epitaksiaalinen kasvuj\u00e4rjestelm\u00e4, joka on suunniteltu 6 ja 8 tuuman GaN-kiekkojen tehokkaaseen tuotantoon.<\/p>","protected":false},"featured_media":2095,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[730],"product_tag":[615,616,485,771,752,767,761,762,749,770,760,769,764,763,753,495,768,766,765,754],"class_list":{"0":"post-2094","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-epitaxy-equipment","7":"product_tag-6-inch-wafer","8":"product_tag-8-inch-wafer","9":"product_tag-automated-wafer-handling","10":"product_tag-continuous-production","11":"product_tag-efem-integration","12":"product_tag-electric-vehicles","13":"product_tag-gallium-nitride-epitaxy","14":"product_tag-gan-epi-wafers","15":"product_tag-high-throughput","16":"product_tag-high-end-gan-devices","17":"product_tag-high-performance-gan-epitaxy-equipment","18":"product_tag-industrial-automation","19":"product_tag-low-defect-density","20":"product_tag-multi-substrate-compatibility","21":"product_tag-multi-zone-temperature-control","22":"product_tag-power-electronics","23":"product_tag-renewable-energy-systems","24":"product_tag-rf-devices","25":"product_tag-split-type-design","26":"product_tag-thick-film-epitaxy","27":"desktop-align-left","28":"tablet-align-left","29":"mobile-align-left","30":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","31":"ast-product-gallery-with-no-image","32":"ast-product-tabs-layout-horizontal","34":"first","35":"instock","36":"shipping-taxable","37":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2094","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2094"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2094\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2097,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2094\/revisions\/2097"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2095"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2094"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2094"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2094"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2094"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}