{"id":1981,"date":"2026-03-23T06:13:43","date_gmt":"2026-03-23T06:13:43","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=1981"},"modified":"2026-03-23T06:18:04","modified_gmt":"2026-03-23T06:18:04","slug":"sic-raw-material-synthesis-furnace","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/product\/sic-raw-material-synthesis-furnace\/","title":{"rendered":"50kg SiC-raaka-aineen synteesiuunin eritt\u00e4in puhdas piikarbidikristallien valmistus"},"content":{"rendered":"

\"\"50 kg:n SiC-raaka-ainesynteesiuuni on erikoistunut korkean l\u00e4mp\u00f6tilan uuni, joka on suunniteltu eritt\u00e4in puhtaiden piikarbidiraaka-aineiden (SiC) tuotantoon. Kriittisen\u00e4 puolijohde- ja keraamisena materiaalina SiC:t\u00e4 k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n laajalti in tehoelektroniikka, korkean l\u00e4mp\u00f6tilan laitteet, kulutusta kest\u00e4v\u00e4t materiaalit ja optiset komponentit.<\/span><\/p>\n

T\u00e4ss\u00e4 uunissa pii (Si) ja hiili (C) muutetaan piikarbidiksi hallitun korkean l\u00e4mp\u00f6tilan kemiallisen reaktion avulla, mik\u00e4 tekee siit\u00e4 olennaisen osan piikarbidin tuotantoketjua. Sen rakenne takaa korkean puhtauden, vakaan toiminnan ja tasaisen suorituskyvyn, mink\u00e4 ansiosta valmistajat voivat t\u00e4ytt\u00e4\u00e4 kehittyneiden puolijohde- ja korkean suorituskyvyn keraamisovellusten tiukat vaatimukset.<\/p>\n

T\u00e4rkeimm\u00e4t edut<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
  • Korkean l\u00e4mp\u00f6tilan kapasiteetti:<\/strong> Uunin l\u00e4mp\u00f6tila on jopa 2400 \u00b0C, mik\u00e4 soveltuu tehokkaaseen SiC-synteesiin.<\/li>\n
  • Eritt\u00e4in puhdas tuotos:<\/strong> Hy\u00f6dynt\u00e4\u00e4 eritt\u00e4in puhtaita raaka-aineita ja inertin ilmakeh\u00e4n hallintaa eritt\u00e4in puhtaan SiC:n tuottamiseksi.<\/li>\n
  • Vakaa suorituskyky:<\/strong> Vankka rakenne takaa luotettavan toiminnan pitk\u00e4aikaista, jatkuvaa tuotantoa varten.<\/li>\n
  • V\u00e4h\u00e4inen saastuminen:<\/strong> Inertti ilmakeh\u00e4 ja puhtaat materiaalit minimoivat ep\u00e4puhtauksien kulkeutumisen.<\/li>\n
  • Suuri lastauskapasiteetti:<\/strong> Tukee jopa 50 kg raaka-ainetta, mik\u00e4 parantaa tuottavuutta ja yhteensopivuutta useiden kristalliuunien kanssa.<\/li>\n
  • Tarkka ohjaus:<\/strong> Kehittynyt l\u00e4mp\u00f6tilan ja paineen s\u00e4\u00e4t\u00f6, valinnaisella kaksoisl\u00e4mp\u00f6tilan mittauksella ja infrapunavalvonnalla prosessin optimointia varten.<\/li>\n
  • Joustava kokoonpano:<\/strong> Modulaarinen rakenne mahdollistaa vierekk\u00e4isen asennuksen tilan s\u00e4\u00e4st\u00e4miseksi ja laitoksen k\u00e4yt\u00f6n optimoimiseksi.<\/li>\n<\/ul>\n

    Tekniset tiedot<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
    \n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
    Ominaisuus<\/th>\nTekniset tiedot<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
    Mitat (L\u00d7L\u00d7K)<\/td>\n4000\u00d73400\u00d74300 mm (muokattavissa)<\/td>\n<\/tr>\n
    Uunikammion halkaisija<\/td>\n1100 mm<\/td>\n<\/tr>\n
    Kuormituskapasiteetti<\/td>\n50 kg<\/td>\n<\/tr>\n
    Lopullinen tyhji\u00f6<\/td>\n10-\u00b2 Pa (2 tuntia molekyylipumpun k\u00e4ynnistyksen j\u00e4lkeen)<\/td>\n<\/tr>\n
    Kammion paineen nousunopeus<\/td>\n\u226410 Pa\/h (kalsifioinnin j\u00e4lkeen)<\/td>\n<\/tr>\n
    Alempi uunin kannen isku<\/td>\n1500 mm<\/td>\n<\/tr>\n
    L\u00e4mmitysmenetelm\u00e4<\/td>\nInduktiol\u00e4mmitys<\/td>\n<\/tr>\n
    Enimm\u00e4isl\u00e4mp\u00f6tila<\/td>\n2400\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    L\u00e4mmitys Virtal\u00e4hde<\/td>\n2\u00d740 kW<\/td>\n<\/tr>\n
    L\u00e4mp\u00f6tilan mittaus<\/td>\nKaksiv\u00e4rinen infrapunal\u00e4mp\u00f6mittari<\/td>\n<\/tr>\n
    L\u00e4mp\u00f6tila-alue<\/td>\n900-3000\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    L\u00e4mp\u00f6tilan s\u00e4\u00e4d\u00f6n tarkkuus<\/td>\n\u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    Paineen s\u00e4\u00e4t\u00f6alue<\/td>\n1-700 mbar<\/td>\n<\/tr>\n
    Paineen s\u00e4\u00e4d\u00f6n tarkkuus<\/td>\n1-5 mbar (alueesta riippuen)<\/td>\n<\/tr>\n
    Lastausmenetelm\u00e4<\/td>\nAlempi kuormaus; valinnainen purkaustrukki ja kaksi l\u00e4mp\u00f6tilapistett\u00e4.<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

    Suunnittelun edut<\/strong><\/span><\/h2>\n
      \n
    1. Suuren kapasiteetin lastaus mahdollistaa sen, ett\u00e4 yksi uuni voi sy\u00f6tt\u00e4\u00e4 useita pitk\u00e4kiteisi\u00e4 uuneja, mik\u00e4 parantaa tuotannon tehokkuutta.<\/li>\n
    2. Kaksoisvirtal\u00e4hde, jonka taajuus on sama, takaa tarkan aksiaalisen l\u00e4mp\u00f6tilagradientin hallinnan.<\/li>\n
    3. Yl\u00e4- ja alareunan infrapunal\u00e4mp\u00f6tilan mittaus helpottaa reaaliaikaista l\u00e4mp\u00f6tilan seurantaa ja prosessin virheenkorjausta.<\/li>\n
    4. Korkean tyhji\u00f6n, paineen ja l\u00e4mp\u00f6tilan s\u00e4\u00e4t\u00f6tarkkuus takaavat eritt\u00e4in puhtaiden SiC-raaka-aineiden synteesin.<\/li>\n
    5. Turvallinen ja luotettava kuormaus-\/purkamisj\u00e4rjestelm\u00e4, joka voidaan varustaa lis\u00e4varusteena purkuhaarukalla.<\/li>\n
    6. Tarkat l\u00e4pp\u00e4venttiilit ja massavirtauksen s\u00e4\u00e4timet pit\u00e4v\u00e4t prosessin ilmapiirin vakaana.<\/li>\n
    7. Modulaarinen rakenne mahdollistaa vierekk\u00e4in sijoittamisen, mik\u00e4 optimoi lattiatilan ja laitoksen k\u00e4yt\u00f6n.<\/li>\n<\/ol>\n

      \"\"<\/p>\n

      Sovellukset ja hy\u00f6dyt<\/strong><\/span><\/h2>\n

      SiC-raaka-ainesynteesiuunissa tuotetaan tehokkaasti eritt\u00e4in puhdasta piikarbidia, jonka puhtausaste on 99,999% tai korkeampi. Syntetisoitu SiC-raaka-aine sopii erinomaisesti:<\/p>\n

        \n
      • Yksikiteinen kasvu:<\/strong> Korkealaatuisten SiC-kiteiden tuottaminen teholaitteisiin, kuten MOSFETeihin ja diodeihin.<\/li>\n
      • Tehoelektroniikka:<\/strong> Mahdollistaa laitteet, joissa on korkea j\u00e4nnite, alhainen h\u00e4vi\u00f6 ja korkeataajuussuorituskyky.<\/li>\n
      • Autoteollisuus ja uusiutuva energia:<\/strong> S\u00e4hk\u00f6ajoneuvojen, aurinkovaihtosuuntaajien ja muiden suorituskykyisten sovellusten parantaminen.<\/li>\n
      • Kehittynyt keramiikka ja optiset laitteet:<\/strong> SiC:n sovellusten laajentaminen puolijohteiden ulkopuolelle teolliseen keramiikkaan ja optisiin komponentteihin.<\/li>\n<\/ul>\n

        ZMSH-palvelut<\/strong><\/span><\/h2>\n

        ZMSH tarjoaa t\u00e4ydellisen prosessituen uunien suunnittelusta ja valmistuksesta myynnin j\u00e4lkeiseen huoltoon. T\u00e4h\u00e4n sis\u00e4ltyy laitteiden r\u00e4\u00e4t\u00e4l\u00f6inti, prosessin optimointi ja tekninen koulutus. Kehittyneell\u00e4 teknologialla ja laajalla alan kokemuksella ZMSH varmistaa korkean hy\u00f6tysuhteen, vakaan toiminnan ja alhaisen energiankulutuksen ja tarjoaa nopeaa, ymp\u00e4rivuorokautista teknist\u00e4 tukea auttaakseen asiakkaita saavuttamaan eritt\u00e4in puhtaan piikarbidin raaka-aineiden laajamittaisen tuotannon.<\/p>\n

        Usein kysytyt kysymykset (FAQ)<\/strong><\/span><\/h2>\n

        Kysymys 1: Mik\u00e4 on SiC-raaka-aineen synteesiuunin tarkoitus?<\/strong>
        V: Sit\u00e4 k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n eritt\u00e4in puhtaiden piikarbidi (SiC) -raaka-aineiden tuottamiseen korkean l\u00e4mp\u00f6tilan kemiallisissa reaktioissa, jotka ovat v\u00e4ltt\u00e4m\u00e4tt\u00f6mi\u00e4 puolijohteille, keramiikalle ja optisille komponenteille.<\/p>\n

        Kysymys 2: Miksi SiC-synteesiuuni on t\u00e4rke\u00e4 puolijohdetuotannossa?<\/strong>
        V: Se mahdollistaa eritt\u00e4in puhtaan SiC:n tuotannon, mik\u00e4 on ratkaisevan t\u00e4rke\u00e4\u00e4 korkealaatuisten SiC-kiteiden kasvattamiseksi, joita k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n tehoelektroniikassa ja suurtaajuuslaitteissa.<\/p>\n

        Kysymys 3: Mik\u00e4 on uunin enimm\u00e4iskapasiteetti?<\/strong>
        V: Vakiokapasiteetti on 50 kg, mik\u00e4 mahdollistaa suuren mittakaavan tuotannon ja useiden kristalliuunien sy\u00f6tt\u00e4misen.<\/p>\n

        Kysymys 4: Mitk\u00e4 ovat uunin l\u00e4mp\u00f6tilan ja paineen s\u00e4\u00e4t\u00f6tarkkuudet?<\/strong>
        A: L\u00e4mp\u00f6tilan s\u00e4\u00e4t\u00f6tarkkuus on \u00b11 \u00b0C. Paineen s\u00e4\u00e4t\u00f6tarkkuus on \u00b10,1 mbar \u00b10,5 mbar painealueesta riippuen, mik\u00e4 takaa vakaan, eritt\u00e4in puhtaan SiC-synteesin.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

        50 kg:n SiC-raaka-ainesynteesiuuni on erikoistunut korkean l\u00e4mp\u00f6tilan uuni, joka on suunniteltu eritt\u00e4in puhtaiden piikarbidiraaka-aineiden (SiC) tuotantoon. Kriittisen\u00e4 puolijohde- ja keraamisena materiaalina SiC:t\u00e4 k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n laajalti tehoelektroniikassa, korkean l\u00e4mp\u00f6tilan laitteissa, kulutusta kest\u00e4viss\u00e4 materiaaleissa ja optisissa komponenteissa.<\/p>","protected":false},"featured_media":1984,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[15],"product_tag":[489,504,506,492,496,500,499,505,498,495,507,494,493,501,490,503,491,486,502,497,508],"class_list":{"0":"post-1981","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-crystal-growth-furnace","7":"product_tag-50kg-sic-raw-material-synthesis-furnace","8":"product_tag-crystal-growth","9":"product_tag-furnace-automation","10":"product_tag-high-purity-sic","11":"product_tag-high-temperature-devices","12":"product_tag-high-temperature-furnace","13":"product_tag-induction-heating-furnace","14":"product_tag-industrial-sic-production","15":"product_tag-optical-devices","16":"product_tag-power-electronics","17":"product_tag-pressure-control","18":"product_tag-semiconductor-materials","19":"product_tag-sic-crystal-preparation","20":"product_tag-sic-powder-production","21":"product_tag-sic-raw-material-furnace","22":"product_tag-sic-single-crystal","23":"product_tag-silicon-carbide-synthesis-furnace","24":"product_tag-temperature-control","25":"product_tag-ultra-pure-sic","26":"product_tag-wear-resistant-materials","27":"product_tag-zmsh-equipment","28":"desktop-align-left","29":"tablet-align-left","30":"mobile-align-left","31":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","32":"ast-product-tabs-layout-horizontal","34":"first","35":"instock","36":"shipping-taxable","37":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1981","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1981"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1981\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":1992,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product\/1981\/revisions\/1992"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media\/1984"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1981"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=1981"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=1981"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=1981"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}