![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/03\/sic_growth_furnace_pvt_method_6inch_8inch_12_inch_low_energy_consumption1-300x300.webp\")
SiC-kasvatusuuni (PVT-menetelm\u00e4) on suorituskykyinen j\u00e4rjestelm\u00e4, joka on suunniteltu 6 tuuman, 8 tuuman ja 12 tuuman piikarbidiyksinkiteiden (SiC) tuotantoon.<\/p>\nSiC-kasvatusuuni (PVT-menetelm\u00e4) on suorituskykyinen j\u00e4rjestelm\u00e4, joka on suunniteltu 6 tuuman, 8 tuuman ja 12 tuuman piikarbidiyksinkiteiden (SiC) tuotantoon.<\/p>\n
Edistynytt\u00e4 induktiol\u00e4mmitystekniikkaa k\u00e4ytt\u00e4v\u00e4 uuni tarjoaa nopean l\u00e4mmityksen, tarkan l\u00e4mp\u00f6tilan s\u00e4\u00e4d\u00f6n ja alhaisen energiankulutuksen, mik\u00e4 tekee siit\u00e4 ihanteellisen ratkaisun teollisen mittakaavan SiC-kiteiden kasvattamiseen.<\/p>\n
Sit\u00e4 k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n laajalti tehoelektroniikan, RF-laitteiden ja seuraavan sukupolven puolijohdesovellusten SiC-substraattien valmistuksessa.<\/p>\n
Induktiol\u00e4mmitysj\u00e4rjestelm\u00e4
Grafiittiupokkaan suora s\u00e4hk\u00f6magneettinen l\u00e4mmitys takaa korkean hy\u00f6tysuhteen ja nopean l\u00e4mp\u00f6vasteen.<\/p>\n<\/li>\n
Eritt\u00e4in tarkka l\u00e4mp\u00f6tilan s\u00e4\u00e4t\u00f6
Tarkkuus jopa \u00b11 \u00b0C, mik\u00e4 takaa vakaat kiteiden kasvuolosuhteet.<\/p>\n<\/li>\n
Alhainen energiankulutus
Optimoitu l\u00e4mp\u00f6suunnittelu v\u00e4hent\u00e4\u00e4 merkitt\u00e4v\u00e4sti k\u00e4ytt\u00f6kustannuksia<\/p>\n<\/li>\n
Korkea stabiilisuus ja v\u00e4h\u00e4inen saastuminen
Kosketukseton l\u00e4mmitys + suojakaasuymp\u00e4rist\u00f6 minimoi ep\u00e4puhtaudet.<\/p>\n<\/li>\n
Skaalautuva halkaisijaltaan suurille kiteille
Tukee 6\u2033, 8\u2033 ja 12\u2033 SiC-kiteiden kasvua.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
| Parametri<\/th>\n | Tekniset tiedot<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|
| Mitat (L\u00d7L\u00d7K)<\/td>\n | 3200 \u00d7 1150 \u00d7 3600 mm (muokattavissa)<\/td>\n<\/tr>\n |
| Uunikammion halkaisija<\/td>\n | 400 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Enimm\u00e4isl\u00e4mp\u00f6tila<\/td>\n | 2400\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| L\u00e4mp\u00f6tila-alue<\/td>\n | 900-3000\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| L\u00e4mp\u00f6tilan tarkkuus<\/td>\n | \u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| L\u00e4mmitysmenetelm\u00e4<\/td>\n | Induktiol\u00e4mmitys<\/td>\n<\/tr>\n |
| Virtal\u00e4hde<\/td>\n | 40 kW, 8-12 kHz<\/td>\n<\/tr>\n |
| Tyhji\u00f6taso<\/td>\n | 5 \u00d7 10-\u2074 Pa<\/td>\n<\/tr>\n |
| Painealue<\/td>\n | 1-700 mbar<\/td>\n<\/tr>\n |
| L\u00e4mp\u00f6tilan mittaus<\/td>\n | Kaksiv\u00e4rinen infrapuna<\/td>\n<\/tr>\n |
| Lastausmenetelm\u00e4<\/td>\n | Alhaalta lataaminen<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\nSuunnittelun edut<\/span><\/h2>\nYhteensopiva puolierist\u00e4vien ja johtavien SiC-kiteiden kasvun kanssa.<\/p>\n<\/li>\n Upokkaiden kiertoj\u00e4rjestelm\u00e4 parantaa l\u00e4mp\u00f6tilan tasaisuutta.<\/p>\n<\/li>\n S\u00e4\u00e4dett\u00e4v\u00e4 induktiokelan nosto v\u00e4hent\u00e4\u00e4 l\u00e4mp\u00f6h\u00e4iri\u00f6it\u00e4.<\/p>\n<\/li>\n Kaksikerroksinen vesij\u00e4\u00e4hdytteinen kvartsikammio pident\u00e4\u00e4 laitteiden k\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4\u00e4.<\/p>\n<\/li>\n Reaaliaikainen kahden pisteen l\u00e4mp\u00f6tilan seuranta<\/p>\n<\/li>\n Useita ohjaustiloja: vakioteho\/virta\/l\u00e4mp\u00f6tila<\/p>\n<\/li>\n Yhden napsautuksen \u00e4lyk\u00e4s k\u00e4ynnistys automatisoitua k\u00e4ytt\u00f6\u00e4 varten<\/p>\n<\/li>\n Kompakti rakenne tehtaan tehokkaaseen sijoitteluun<\/p>\n<\/li>\n Eritt\u00e4in tarkka paineen s\u00e4\u00e4t\u00f6 (jopa \u00b11 Pa)<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n Suorituskyky ja sovellukset<\/span><\/h2>\nSiC MOSFETit<\/p>\n<\/li>\n Schottky-diodit<\/p>\n<\/li>\n RF-laitteet<\/p>\n<\/li>\n S\u00e4hk\u00f6ajoneuvot (EV-tehomoduulit)<\/p>\n<\/li>\n Aurinkosuuntaaja<\/p>\n<\/li>\n 5G-viestint\u00e4j\u00e4rjestelm\u00e4t<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n Vakaan l\u00e4mm\u00f6ns\u00e4\u00e4telyn ja optimoitujen kasvuolosuhteiden ansiosta j\u00e4rjestelm\u00e4 takaa korkean tuoton, johdonmukaisuuden ja skaalautuvuuden teolliseen tuotantoon.<\/p>\n
Kykymme (ZMSH)<\/span><\/h2>\n
|
![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/03\/SiC-Growth-Furnace5.png\")
<\/p>\n