![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl203679978-sapphire_crystal_growth_furnace_80_400kg_by_the_kyropoulos_method_ky5-300x300.jpg\")
<\/h2>\n<\/h2>\nZMSH KY Sapphire Crystal Growth Furnace on korkean l\u00e4mp\u00f6tilan kiteenkasvatusj\u00e4rjestelm\u00e4, joka on suunniteltu suurikokoisten safiirikiteiden tuotantoon ja joka tukee kiteiden painoja 80 kg:sta 400 kg:aan Kyropoulos (KY) -kasvumenetelm\u00e4\u00e4 k\u00e4ytt\u00e4en.<\/p>\n
Uuni on optimoitu safiirin hallittuun j\u00e4hmettymiseen alhaisissa l\u00e4mp\u00f6j\u00e4nnitysolosuhteissa. Yhdist\u00e4m\u00e4ll\u00e4 vakaan l\u00e4mp\u00f6kentt\u00e4suunnittelun, tarkan l\u00e4mp\u00f6tilan s\u00e4\u00e4d\u00f6n sek\u00e4 eritt\u00e4in korkean tyhji\u00f6n ja kaasuilmakeh\u00e4n hallinnan j\u00e4rjestelm\u00e4 mahdollistaa korkealaatuisten, v\u00e4h\u00e4virheisten safiirikiteiden kasvattamisen, jotka soveltuvat puolijohde-, optisiin ja kehittyneisiin teollisuussovelluksiin.<\/p>\n
Verrattuna perinteisiin Czochralski (CZ) -kasvatusj\u00e4rjestelmiin KY-menetelm\u00e4 v\u00e4hent\u00e4\u00e4 merkitt\u00e4v\u00e4sti sis\u00e4ist\u00e4 j\u00e4nnityst\u00e4 ja sijoittelutiheytt\u00e4, joten se soveltuu paremmin halkaisijaltaan suurten ja paksujen safiirikiteiden tuotantoon.<\/p>\n
Kyropoulos-menetelm\u00e4n ansiosta safiirikiteet kasvavat hitaasti sulassa mekaanisen vet\u00e4misen ollessa v\u00e4h\u00e4ist\u00e4. Kide pysyy suurelta osin kelluvuuden tukemana, mik\u00e4 mahdollistaa:<\/p>\n
Alemmat l\u00e4mp\u00f6gradientit<\/p>\n<\/li>\n
V\u00e4hentynyt mekaaninen rasitus<\/p>\n<\/li>\n
Parempi kiderakenteen yhdenmukaisuus<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
T\u00e4m\u00e4 kasvatusmenetelm\u00e4 on erityisen tehokas, kun halutaan tuottaa suuria, paksuja safiiripalloja, joilla on vakaat optiset ja mekaaniset ominaisuudet.<\/p>\n
Kristallien painoalue: 80-400 kg<\/p>\n<\/li>\n
Kristallin halkaisija: 10-500 mm<\/p>\n<\/li>\n
Kristallin paksuus: 50-300 mm<\/p>\n<\/li>\n
Kasvuvauhti: (s\u00e4\u00e4dett\u00e4viss\u00e4)<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Uunin konfiguraatio voidaan mukauttaa vastaamaan tiettyj\u00e4 kiteiden kokotavoitteita ja my\u00f6hemm\u00e4n jalostusasteen kiekko- tai komponenttivaatimuksia.<\/p>\n
![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl203679971-sapphire_crystal_growth_furnace_80_400kg_by_the_kyropoulos_method_ky4-300x300.jpg\")
Uunissa on tasapainoinen l\u00e4mp\u00f6kentt\u00e4rakenne, jossa on eritt\u00e4in tarkka l\u00e4mp\u00f6tilan s\u00e4\u00e4t\u00f6. L\u00e4mp\u00f6tilan vakaus kasvuvy\u00f6hykkeell\u00e4 auttaa tukahduttamaan l\u00e4mp\u00f6j\u00e4nnityksen, minimoimaan halkeiluriskin ja parantamaan kiteiden saantoa.<\/p>\n
Toiminta eritt\u00e4in korkeassa tyhji\u00f6ss\u00e4 (\u22641\u00d710-\u2076 Pa) ja valvotussa argon- \/ vetykaasuilmakeh\u00e4ss\u00e4 takaa alhaisen kontaminaatiotason ja vakaat sulatusolosuhteet pitkien kasvusyklien ajan.<\/p>\n
KY-menetelm\u00e4 minimoi mekaanisen vuorovaikutuksen siemenkiteen ja vetoj\u00e4rjestelm\u00e4n v\u00e4lill\u00e4, mik\u00e4 v\u00e4hent\u00e4\u00e4 kontaminaation ja rakenteellisten vikojen riski\u00e4.<\/p>\n
J\u00e4rjestelm\u00e4 tukee sek\u00e4 keskisuuren ett\u00e4 suuren mittakaavan safiirikiteiden kasvatusta, ja se voidaan mukauttaa eri kokoisille kiteille modulaarisen uunin kokoonpanon avulla.<\/p>\n
Puolijohteiden k\u00e4sittelyss\u00e4 k\u00e4ytett\u00e4v\u00e4t safiirialustat<\/p>\n<\/li>\n
Optiset ikkunat ja laserkomponentit<\/p>\n<\/li>\n
LED- ja optoelektroniset materiaalit<\/p>\n<\/li>\n
Infrapuna- ja korkean l\u00e4mp\u00f6tilan optiset j\u00e4rjestelm\u00e4t<\/p>\n<\/li>\n
Suojaikkunat vaativiin ymp\u00e4rist\u00f6ihin<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
| Kohde<\/th>\n | Tekniset tiedot<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|
| Kasvumenetelm\u00e4<\/td>\n | Kyropoulos (KY)<\/td>\n<\/tr>\n |
| Kristallien painoalue<\/td>\n | 80-400 kg<\/td>\n<\/tr>\n |
| Kristallin halkaisija-alue<\/td>\n | 10-500 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Kiteen paksuusalue<\/td>\n | 50-300 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Kasvuvauhti<\/td>\n | 0,1-5 mm\/h<\/td>\n<\/tr>\n |
| L\u00e4mmitys L\u00e4mp\u00f6tila-alue<\/td>\n | 2000-2200\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| L\u00e4mmitysj\u00e4rjestelm\u00e4<\/td>\n | Korkean l\u00e4mp\u00f6tilan vastusl\u00e4mmitys<\/td>\n<\/tr>\n |
| Upokas Tyyppi<\/td>\n | Kvartsi upokas<\/td>\n<\/tr>\n |
| Kaasu Ilmakeh\u00e4<\/td>\n | Argonin ja vedyn seos<\/td>\n<\/tr>\n |
| Tyhji\u00f6taso<\/td>\n | \u22641 \u00d7 10-\u2076 Pa<\/td>\n<\/tr>\n |
| Uunin mitat<\/td>\n | Noin 1200 \u00d7 800 \u00d7 1500 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Virtal\u00e4hde<\/td>\n | Teollinen suuritehoinen vaihtovirtaj\u00e4rjestelm\u00e4<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\nKristallin laatu ja materiaalin suorituskyky<\/h2>\nZMSH KY -uunissa kasvatetut safiirikiteet osoittavat:<\/p>\n
|
![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl203679970-sapphire_crystal_growth_furnace_80_400kg_by_the_kyropoulos_method_ky-300x300.jpg\")
<\/h2>\n