![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262693-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x199.webp\")
<\/p>\n<\/p>\n
ZMSH SiC Single Crystal Resistance Heating Growth Furnace on korkean l\u00e4mp\u00f6tilan kiteenkasvuj\u00e4rjestelm\u00e4, joka on suunniteltu erityisesti halkaisijaltaan suurten piikarbidien yksikidevalmistukseen ja joka tukee 6-tuumaisten, 8-tuumaisten ja 12-tuumaisten SiC-kiekkojen valmistusta.<\/p>\n
<\/p>\n
uring.<\/p>\n
Uuni on suunniteltu PVT (Physical Vapor Transport) -kristallien kasvatusperiaatteeseen perustuen, ja se sis\u00e4lt\u00e4\u00e4 tarkan vastusl\u00e4mmityksen ohjauksen, vakaan l\u00e4mp\u00f6kent\u00e4n jakautumisen, korkean tyhji\u00f6n ymp\u00e4rist\u00f6n hallinnan ja tarkan paineen s\u00e4\u00e4d\u00f6n.
T\u00e4m\u00e4 konfiguraatio mahdollistaa eritt\u00e4in puhtaiden, v\u00e4h\u00e4n vikoja sis\u00e4lt\u00e4vien SiC-monikiteiden kasvattamisen, jotka soveltuvat kehittyneisiin tehopuolijohde- ja elektroniikkalaitesovelluksiin.<\/p>\n
J\u00e4rjestelm\u00e4 on kehitetty t\u00e4ytt\u00e4m\u00e4\u00e4n teollisen tuotannon vaatimukset, mik\u00e4 takaa prosessin vakauden, toistettavuuden ja pitk\u00e4aikaisen toimintavarmuuden laajamittaisissa SiC-kiteiden kasvuymp\u00e4rist\u00f6iss\u00e4.<\/p>\n
\n
<\/p>\n
Uunissa on monivy\u00f6hykkeinen vastusl\u00e4mmitysrakenne, jolla saavutetaan tasainen aksiaalinen ja radiaalinen l\u00e4mp\u00f6tilajakauma. T\u00e4m\u00e4 minimoi l\u00e4mp\u00f6gradientit, v\u00e4hent\u00e4\u00e4 sis\u00e4ist\u00e4 rasitusta ja parantaa kiteiden rakenteellista eheytt\u00e4 kasvuprosessin aikana.<\/p>\n
Maksimi k\u00e4ytt\u00f6l\u00e4mp\u00f6tila jopa 2500 \u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
L\u00e4mp\u00f6tilan s\u00e4\u00e4t\u00f6tarkkuus: \u00b11\u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
Laaja paineen s\u00e4\u00e4t\u00f6alue: 1-700 mbar<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
N\u00e4m\u00e4 parametrit luovat vakaan termodynaamisen ymp\u00e4rist\u00f6n, joka on v\u00e4ltt\u00e4m\u00e4t\u00f6n hallitulle sublimoitumiselle, h\u00f6yryn kulkeutumiselle ja kiteiden uudelleenkiteytymiselle SiC:n kasvussa.<\/p>\n
900 mm:n upokkaan halkaisijan ansiosta j\u00e4rjestelm\u00e4 tukee seuraavan sukupolven 8- ja 12-tuumaisten SiC-harkkojen kasvattamista, jolloin valmistajat voivat skaalata tuotantoa ja parantaa samalla saantoa ja kiekkojen yhdenmukaisuutta.<\/p>\n
Uunissa s\u00e4ilytet\u00e4\u00e4n matalavuotoinen, korkeatyhji\u00f6inen kasvukammio, mik\u00e4 takaa pienemm\u00e4n kontaminaatioriskin, paremman kidepuhtauden ja vakaan, pitk\u00e4kestoisen toiminnan.<\/p>\n
![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262670-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x300.webp\")
<\/h2>\n<\/p>\n
Tehopuolijohteiden substraatit<\/p>\n<\/li>\n
S\u00e4hk\u00f6ajoneuvojen tehomoduulit<\/p>\n<\/li>\n
Korkeaj\u00e4nnitteiset MOSFET- ja diodilaitteet<\/p>\n<\/li>\n
Uusiutuvien energial\u00e4hteiden tehonmuuntoj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/p>\n<\/li>\n
Suurtaajuus- ja RF-elektroniikkakomponentit<\/p>\n<\/li>\n
Teollinen tehoelektroniikka<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
<\/p>\n
<\/p>\n
| Ei.<\/th>\n | Tekniset tiedot<\/th>\n | Yksityiskohdat<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| 1<\/td>\n | Malli<\/td>\n | PVT-RS-40<\/td>\n<\/tr>\n |
| 2<\/td>\n | Uunin mitat (L \u00d7 S \u00d7 K)<\/td>\n | 2500 \u00d7 2400 \u00d7 3456 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 3<\/td>\n | Upokkaan halkaisija<\/td>\n | 900 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 4<\/td>\n | Lopullinen tyhji\u00f6paine<\/td>\n | 6 \u00d7 10-\u2074 Pa (1,5 tunnin tyhji\u00f6n j\u00e4lkeen).<\/td>\n<\/tr>\n |
| 5<\/td>\n | Vuodon m\u00e4\u00e4r\u00e4<\/td>\n | \u22645 Pa \/ 12 h (bake-out)<\/td>\n<\/tr>\n |
| 6<\/td>\n | Py\u00f6rimisakselin halkaisija<\/td>\n | 50 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 7<\/td>\n | Py\u00f6rimisnopeus<\/td>\n | 0,5-5 rpm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 8<\/td>\n | L\u00e4mmitysmenetelm\u00e4<\/td>\n | S\u00e4hk\u00f6inen vastusl\u00e4mmitys<\/td>\n<\/tr>\n |
| 9<\/td>\n | Uunin enimm\u00e4isl\u00e4mp\u00f6tila<\/td>\n | 2500\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 10<\/td>\n | L\u00e4mmitysteho<\/td>\n | 40 kW \u00d7 2 + 20 kW<\/td>\n<\/tr>\n |
| 11<\/td>\n | L\u00e4mp\u00f6tilan mittaus<\/td>\n | Kaksiv\u00e4rinen infrapunapyrometri<\/td>\n<\/tr>\n |
| 12<\/td>\n | L\u00e4mp\u00f6tila-alue<\/td>\n | 900-3000\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 13<\/td>\n | L\u00e4mp\u00f6tilan tarkkuus<\/td>\n | \u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 14<\/td>\n | Painealue<\/td>\n | 1-700 mbar<\/td>\n<\/tr>\n |
| 15<\/td>\n | Paineen s\u00e4\u00e4d\u00f6n tarkkuus<\/td>\n | \u00b10.5% t\u00e4ysi asteikko<\/td>\n<\/tr>\n |
| 16<\/td>\n | Toimintatyyppi<\/td>\n | Pohjaan lastaus, manuaalinen tai automaattinen turvallisuustila<\/td>\n<\/tr>\n |
| 17<\/td>\n | Valinnaiset kokoonpanot<\/td>\n | Monivy\u00f6hykel\u00e4mmitys, kahden l\u00e4mp\u00f6tilan valvonta<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/h2>\n |