{"id":2558,"date":"2026-06-16T01:53:41","date_gmt":"2026-06-16T01:53:41","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2558"},"modified":"2026-06-16T01:53:46","modified_gmt":"2026-06-16T01:53:46","slug":"what-is-wafer-tir-and-how-is-it-different-from-ttv","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/what-is-wafer-tir-and-how-is-it-different-from-ttv\/","title":{"rendered":"Mik\u00e4 on Wafer TIR ja miten se eroaa TTV:st\u00e4?"},"content":{"rendered":"<p>Vuonna <a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/products\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#cf2e2e\" class=\"has-inline-color\">puolijohdevalmistus<\/mark><\/a>, piikiekon geometria on ratkaisevassa asemassa prosessin vakauden, litografian tarkkuuden, liimauslaadun ja viime k\u00e4dess\u00e4 laitteiden tuotantotehokkuuden kannalta. Piikiekon halkaisijoiden kasvaessa jatkuvasti ja edistyneiden pakkaustekniikoiden vaatimusten kiristyess\u00e4 tarve tarkalle piikiekon mittaukselle on suurempi kuin koskaan.<\/p>\n\n\n\n<p>Niist\u00e4 lukuisista parametreista, joita k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n piikiekon laadun arviointiin, <strong>Kokonaispaksuuden vaihtelu (TTV)<\/strong> ja <strong>Ilmoitettu kokonaislukema (TIR)<\/strong> tulee usein vastaan. Vaikka molemmat mittaukset liittyv\u00e4t kiekon paksuuteen ja tasaisuuteen, ne kuvaavat erilaisia fysikaalisia ominaisuuksia ja niit\u00e4 ymm\u00e4rret\u00e4\u00e4n usein v\u00e4\u00e4rin.<\/p>\n\n\n\n<p>T\u00e4ss\u00e4 artikkelissa selitet\u00e4\u00e4n TIR- ja TTV-arvojen m\u00e4\u00e4ritelm\u00e4t, mittausmenetelm\u00e4t, k\u00e4ytt\u00f6kohteet sek\u00e4 niiden keskeiset erot, mik\u00e4 auttaa insin\u00f6\u00f6rej\u00e4 ymm\u00e4rt\u00e4m\u00e4\u00e4n paremmin piikiekkojen geometrisia vaatimuksia.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image aligncenter size-large\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"512\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-1024x512.png\" alt=\"\" class=\"wp-image-2559\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-1024x512.png 1024w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-300x150.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-768x384.png 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-1536x768.png 1536w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-2048x1024.png 2048w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-18x9.png 18w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/What-Is-Wafer-TIR-and-How-Is-It-Different-from-TTV-600x300.png 600w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Piikiekon paksuuden mittausten ymm\u00e4rt\u00e4minen<\/h2>\n\n\n\n<p><a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/tuote-osasto\/wafer\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#cf2e2e\" class=\"has-inline-color\">Puolijohdepiikiekko<\/mark>s<\/a> Niiden paksuuden odotetaan olevan eritt\u00e4in tasainen koko pinnalla. Jopa pienet vaihtelut voivat vaikuttaa:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Litografian tarkennustarkkuus<\/li>\n\n\n\n<li>Kiekkojen k\u00e4sittely ja kuljetus<\/li>\n\n\n\n<li>Piikiekkojen liitosprosessit<\/li>\n\n\n\n<li>CMP:n suorituskyky<\/li>\n\n\n\n<li>Laitteiden luotettavuus ja tuotantoaste<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Paksuuden tasaisuuden arvioimiseksi valmistajat k\u00e4ytt\u00e4v\u00e4t useita geometrisia parametreja, kuten:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Paksuus<\/li>\n\n\n\n<li>TTV (kokonaispaksuuden vaihtelu)<\/li>\n\n\n\n<li>Keula<\/li>\n\n\n\n<li>Warp<\/li>\n\n\n\n<li>TIR (kokonaislukema)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Jokainen parametri antaa ainutlaatuista tietoa piikiekon fyysisest\u00e4 kunnosta.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Mik\u00e4 on <a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/what-are-wafer-ttv-bow-and-warp\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#cf2e2e\" class=\"has-inline-color\">TTV (kokonaispaksuuden vaihtelu)<\/mark><\/a>?<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">M\u00e4\u00e4ritelm\u00e4<\/h3>\n\n\n\n<p>TTV tarkoittaa piikiekon poikki mitatun paksuuden suurimman ja pienimm\u00e4n arvon v\u00e4list\u00e4 eroa.<\/p>\n\n\n\n<p>Matemaattisesti:<\/p>\n\n\n\n<p><strong>TTV = suurin paksuus \u2212 pienin paksuus<\/strong><\/p>\n\n\n\n<p>TTV keskittyy yksinomaan paksuuden tasaisuuteen eik\u00e4 ota huomioon kiekkojen suuntaa tai py\u00f6rimisk\u00e4ytt\u00e4ytymist\u00e4.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Mittausperiaate<\/h3>\n\n\n\n<p>Paksuuden mittaukset suoritetaan useista pisteist\u00e4 piikiekon pinnalla seuraavien menetelmien avulla:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Kapasitiiviset anturit<\/li>\n\n\n\n<li>Optiset interferometrit<\/li>\n\n\n\n<li>Kosketustyyppiset paksuusmittarit<\/li>\n\n\n\n<li>Lasermittausj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Suurin ja pienin paksuusarvo m\u00e4\u00e4ritet\u00e4\u00e4n, ja niiden ero muodostaa TTV-arvon.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Esimerkki<\/h3>\n\n\n\n<p>Jos kiekkojen paksuus vaihtelee v\u00e4lill\u00e4:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Suurin paksuus: 726 \u03bcm<\/li>\n\n\n\n<li>V\u00e4himm\u00e4ispaksuus: 721 \u03bcm<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Sitten:<\/p>\n\n\n\n<p><strong>TTV = 726 \u2212 721 = 5 \u03bcm<\/strong><\/p>\n\n\n\n<p>Pienempi TTV-arvo osoittaa paksuuden paremman tasaisuuden.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Mik\u00e4 on TIR (Total Indicated Reading)?<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">M\u00e4\u00e4ritelm\u00e4<\/h3>\n\n\n\n<p>TIR mittaa kokonaisvaihtelua, joka havaitaan, kun kiekkoa py\u00f6ritet\u00e4\u00e4n sen keskiakselin ymp\u00e4ri.<\/p>\n\n\n\n<p>Toisin kuin TTV, TIR kuvaa seuraavien tekij\u00f6iden yhteisvaikutusta:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Paksuuden vaihtelu<\/li>\n\n\n\n<li>Pinnan ep\u00e4tasaisuudet<\/li>\n\n\n\n<li>Kiekkojen ep\u00e4keskisyys<\/li>\n\n\n\n<li>Kiinnikkeiden kohdistusvirheet<\/li>\n\n\n\n<li>Pinnan ep\u00e4keskisyys<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>TIR-tekniikkaa k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n yleisesti tarkkuusmekaniikan ja metrologian sovelluksissa.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Mittausperiaate<\/h3>\n\n\n\n<p>Piikiekko on kiinnitetty karaan, ja sit\u00e4 py\u00f6ritet\u00e4\u00e4n 360 astetta samalla, kun siirtym\u00e4anturi tallentaa jatkuvasti pinnan liikett\u00e4.<\/p>\n\n\n\n<p>Py\u00f6rimisen aikana mitattujen korkeimman ja matalimman lukeman v\u00e4linen ero m\u00e4\u00e4ritell\u00e4\u00e4n seuraavasti:<\/p>\n\n\n\n<p><strong>TIR = mittarin suurin lukema \u2013 mittarin pienin lukema<\/strong><\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Esimerkki<\/h3>\n\n\n\n<p>Kierron aikana:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Suurin lukema: +3 \u03bcm<\/li>\n\n\n\n<li>Pienin lukema: \u22124 \u03bcm<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Sitten:<\/p>\n\n\n\n<p><strong>TIR = 3 \u2212 (\u22124) = 7 \u03bcm<\/strong><\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">TTV vs. TIR: Keskeiset erot<\/h2>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><tbody><tr><th>Parametri<\/th><th>TTV<\/th><th>TIR<\/th><\/tr><tr><td>Koko nimi<\/td><td>Kokonaispaksuuden vaihtelu<\/td><td>Ilmoitettu kokonaislukema<\/td><\/tr><tr><td>P\u00e4\u00e4asiallinen tarkoitus<\/td><td>Paksuuden tasaisuus<\/td><td>Py\u00f6riv\u00e4n pinnan vaihtelu<\/td><\/tr><tr><td>Mittaako paksuuden?<\/td><td>Kyll\u00e4<\/td><td>Osittain<\/td><\/tr><tr><td>Vaikuttaako pinnan muoto?<\/td><td>Ei<\/td><td>Kyll\u00e4<\/td><\/tr><tr><td>Vaikuttaako kiekkojen ep\u00e4keskisyys?<\/td><td>Ei<\/td><td>Kyll\u00e4<\/td><\/tr><tr><td>Tarvitseeko se kiert\u00e4mist\u00e4?<\/td><td>Ei<\/td><td>Kyll\u00e4<\/td><\/tr><tr><td>Tyypillinen k\u00e4ytt\u00f6kohde<\/td><td>Puolijohdepiirilevyjen kelpoisuustestaus<\/td><td>Tarkkuusmittaus ja laitteiden suuntaus<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<p>T\u00e4rkein ero on se, ett\u00e4:<\/p>\n\n\n\n<p><strong>TTV mittaa paksuuden vaihtelua suoraan, kun taas TIR mittaa kokonaisasennon vaihtelua py\u00f6rimisen aikana.<\/strong><\/p>\n\n\n\n<p>T\u00e4m\u00e4n seurauksena TIR-arvot ovat usein suurempia kuin TTV-arvot, koska niiss\u00e4 otetaan huomioon my\u00f6s muita geometrisia virheit\u00e4.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">TIR:n ja TTV:n v\u00e4linen suhde<\/h2>\n\n\n\n<p>Vaikka TIR ja TTV liittyv\u00e4t toisiinsa, niit\u00e4 ei voi k\u00e4ytt\u00e4\u00e4 kesken\u00e4\u00e4n vaihdellen.<\/p>\n\n\n\n<p>Ihanteellisessa piikiekossa:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>T\u00e4ydellinen keskitys<\/li>\n\n\n\n<li>Karan t\u00e4ydellinen suuntaus<\/li>\n\n\n\n<li>Pinnassa ei ole ep\u00e4tasaisuuksia<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>TIR-arvo voi l\u00e4hesty\u00e4 TTV-arvoa.<\/p>\n\n\n\n<p>Todellisissa tuotantoymp\u00e4rist\u00f6iss\u00e4 TIR-arvoon vaikuttavat kuitenkin yleens\u00e4 my\u00f6s muut tekij\u00e4t:<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Pinnan ep\u00e4keskisyys<\/h3>\n\n\n\n<p>Mikroskooppisen pienet aaltoilut tai paikalliset viat voivat nostaa mittarin lukemia.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Kiekkojen ep\u00e4keskisyys<\/h3>\n\n\n\n<p>Jos kiekko ei ole t\u00e4ysin linjassa karan akselin kanssa, TIR-arvo kasvaa.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Otteluohjelman virheet<\/h3>\n\n\n\n<p>Kiinnitysalustan tasaisuus ja kiinnityksen tarkkuus voivat vaikuttaa mittaustulosten vaihteluun.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Mekaaniset v\u00e4r\u00e4htelyt<\/h3>\n\n\n\n<p>Laitteiston ep\u00e4vakaus voi aiheuttaa mittaush\u00e4iri\u00f6it\u00e4.<\/p>\n\n\n\n<p>T\u00e4st\u00e4 seuraa, ett\u00e4:<\/p>\n\n\n\n<p><strong>TIR on useimmissa k\u00e4yt\u00e4nn\u00f6n tilanteissa v\u00e4hint\u00e4\u00e4n yht\u00e4 suuri kuin TTV.<\/strong><\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Miksi TIR on t\u00e4rke\u00e4\u00e4 puolijohteiden valmistuksessa<\/h2>\n\n\n\n<p>Kun piikiekkojen halkaisijat kasvavat 150 mm:st\u00e4 ja 200 mm:st\u00e4 300 mm:iin ja sit\u00e4 suuremmiksi, geometrinen tarkkuus tulee yh\u00e4 t\u00e4rke\u00e4mm\u00e4ksi.<\/p>\n\n\n\n<p>TIR-mittauksia k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n yleisesti seuraavissa yhteyksiss\u00e4:<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Kiekkojen hionta<\/h3>\n\n\n\n<p>Karan tarkkuuden seuranta takahiontaprosessien aikana.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Kiekkojen kiillotus<\/h3>\n\n\n\n<p>Py\u00f6rimisvakauden arviointi CMP-prosessien aikana.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Piikiekkojen tarkastusj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/h3>\n\n\n\n<p>Tarkka paikannus ja tarkennus.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Piikiekkojen liimaus<\/h3>\n\n\n\n<p>Kohdistusvirheiden v\u00e4hent\u00e4minen edistyneiss\u00e4 pakkaussovelluksissa.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">MEMS-valmistus<\/h3>\n\n\n\n<p>Mikroelektromekaanisten rakenteiden tiukkojen tasaisuusvaatimusten noudattaminen.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Tyypilliset toimialakohtaiset vaatimukset<\/h2>\n\n\n\n<p>Hyv\u00e4ksytt\u00e4v\u00e4t TTV- ja TIR-arvot riippuvat piikiekkotyypist\u00e4 ja k\u00e4ytt\u00f6tarkoituksesta.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Pii-levyt<\/h3>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><tbody><tr><td>Halkaisija<\/td><td>Tyypillinen TTV<\/td><\/tr><tr><td>150 mm<\/td><td>&lt; 5 \u03bcm<\/td><\/tr><tr><td>200 mm<\/td><td>&lt; 3 \u03bcm<\/td><\/tr><tr><td>300 mm<\/td><td>&lt; 1 \u03bcm<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Kehittyneet SiC-levyt<\/h3>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><tbody><tr><td>Halkaisija<\/td><td>Tyypillinen TTV<\/td><\/tr><tr><td>6 tuumaa<\/td><td>&lt; 10 \u03bcm<\/td><\/tr><tr><td>8 tuumaa<\/td><td>&lt; 5 \u03bcm<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<p>TIR-m\u00e4\u00e4ritykset m\u00e4\u00e4r\u00e4ytyv\u00e4t yleens\u00e4 laitevalmistajien ja prosessivaatimusten perusteella eik\u00e4 pelk\u00e4st\u00e4\u00e4n substraattistandardien perusteella.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">TIR, TTV, kaarevuus ja v\u00e4\u00e4ntyminen: kokonaiskuva<\/h2>\n\n\n\n<p>Mik\u00e4\u00e4n yksitt\u00e4inen parametri ei pysty kuvaamaan piikiekon geometriaa kokonaisuudessaan.<\/p>\n\n\n\n<p>Insin\u00f6\u00f6rit arvioivat yleens\u00e4 seuraavia asioita:<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><tbody><tr><td>Parametri<\/td><td>Kuvaus<\/td><\/tr><tr><td>Paksuus<\/td><td>Kiekkojen keskim\u00e4\u00e4r\u00e4inen paksuus<\/td><\/tr><tr><td>TTV<\/td><td>Paksuuden tasaisuus<\/td><\/tr><tr><td>TIR<\/td><td>Kiertoliikkeen vaihtelu<\/td><\/tr><tr><td>Keula<\/td><td>Keskipisteen siirtym\u00e4 vertailutason suhteen<\/td><\/tr><tr><td>Warp<\/td><td>Kiekkojen kokonaismuodonmuutos<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<p>Yhdess\u00e4 n\u00e4m\u00e4 mittaukset antavat kattavan k\u00e4sityksen piikiekon laadusta ja prosessin yhteensopivuudesta.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">P\u00e4\u00e4telm\u00e4<\/h2>\n\n\n\n<p>TTV ja TIR ovat molemmat keskeisi\u00e4 piikiekkojen mittausparametrej\u00e4, mutta niill\u00e4 on eri k\u00e4ytt\u00f6tarkoitukset.<\/p>\n\n\n\n<p>TTV mittaa paksuuden tasaisuutta piikiekon pinnalla, mink\u00e4 vuoksi se on keskeinen vaatimus substraattivalmistajille ja puolijohdetehtaille. TIR puolestaan mittaa py\u00f6rimisen aikana tapahtuvaa kokonaisasennon vaihtelua ja kuvaa paksuuden vaihtelun, pinnan ep\u00e4tasaisuuksien sek\u00e4 mekaanisen kohdistuksen yhteisvaikutusta.<\/p>\n\n\n\n<p>Kun puolijohteiden valmistuksessa siirryt\u00e4\u00e4n yh\u00e4 suurempiin piikiekkojen halkaisijoihin, edistyneisiin pakkausratkaisuihin ja tiukempiin prosessitoleransseihin, TTV:n ja TIR:n v\u00e4lisen eron ymm\u00e4rt\u00e4minen on yh\u00e4 t\u00e4rke\u00e4mp\u00e4\u00e4 insin\u00f6\u00f6reille, jotka ty\u00f6skentelev\u00e4t piikiekkojen tuotannon, tarkastuksen ja laitteiden valmistuksen parissa.<\/p>\n\n\n\n<p>Arvioimalla molemmat parametrit tarkasti valmistajat voivat parantaa prosessin vakautta, laitteiden suorituskyky\u00e4 ja laitteiden kokonaistuotantoa.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>In semiconductor manufacturing, wafer geometry plays a critical role in determining process stability, lithography accuracy, bonding quality, and ultimately device yield. As wafer diameters continue to increase and advanced packaging technologies become more demanding, the need for precise wafer metrology has never been greater. Among the many parameters used to evaluate wafer quality, Total Thickness [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2559,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[25],"tags":[1522,383,1524,36,195,637,1090,1520,130,1518,372,1515,1521,714,1517,1523,1519,873,131],"class_list":["post-2558","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-technology-applications","tag-cmp-process","tag-precision-metrology","tag-semiconductor-engineering","tag-semiconductor-manufacturing","tag-semiconductor-materials","tag-sic-wafer","tag-silicon-wafer","tag-total-indicated-reading","tag-total-thickness-variation","tag-wafer-bow","tag-wafer-flatness","tag-wafer-geometry","tag-wafer-grinding","tag-wafer-inspection","tag-wafer-metrology","tag-wafer-thickness-measurement","tag-wafer-tir","tag-wafer-ttv","tag-wafer-warp"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2558","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2558"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2558\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2560,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2558\/revisions\/2560"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2559"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2558"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2558"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2558"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}