{"id":2449,"date":"2026-05-06T05:10:20","date_gmt":"2026-05-06T05:10:20","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2449"},"modified":"2026-05-06T05:12:07","modified_gmt":"2026-05-06T05:12:07","slug":"why-silicon-carbide-sic-chips-are-so-difficult-to-manufacture","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/why-silicon-carbide-sic-chips-are-so-difficult-to-manufacture\/","title":{"rendered":"Miksi piikarbidisiruja (SiC) on niin vaikea valmistaa: Syv\u00e4sukellus 20+ laitteiden kysymyksiin ja vastauksiin"},"content":{"rendered":"<p>Piikarbidista (SiC) on tullut yksi t\u00e4rkeimmist\u00e4 materiaaleista seuraavan sukupolven tehoelektroniikassa. Se mahdollistaa korkeamman j\u00e4nnitteen, korkeamman l\u00e4mp\u00f6tilan ja suuremman hy\u00f6tysuhteen laitteet verrattuna perinteiseen piihin. N\u00e4iden etujen takana on kuitenkin karu todellisuus: SiC-siruja on eritt\u00e4in vaikea ja kallis valmistaa mittakaavassa.<\/p>\n\n\n\n<p>Toisin kuin tavanomaisessa piin k\u00e4sittelyss\u00e4, SiC:n valmistuksessa k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n \u00e4\u00e4rimm\u00e4isi\u00e4 l\u00e4mp\u00f6tiloja, eritt\u00e4in kovia materiaaleja ja tiukkoja prosessi-ikkunoita. Pienikin ep\u00e4vakaus laitteistossa voi johtaa kidepoikkeamiin, kiekon rikkoutumiseen tai saannon menetykseen.<\/p>\n\n\n\n<p>T\u00e4ss\u00e4 artikkelissa eritell\u00e4\u00e4n koko SiC:n tuotantoketju rakenteellisen 20+-laitteiston kysymys- ja vastauskehyksen avulla ja selitet\u00e4\u00e4n, miksi t\u00e4m\u00e4n materiaalin muuttaminen luotettaviksi puolijohdekomponenteiksi on niin haastavaa.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image aligncenter size-full\"><a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/tuote\/sic-crystal-growth-furnace-pvt-lpe-ht-cvd-for-high-quality-silicon-carbide-single-crystal-production\/\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"750\" height=\"648\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/sic_crystal_growth_furnace_pvt_lpe_ht_cvd_high_quality_sic_single_crystal_growth_method2.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-2288\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/sic_crystal_growth_furnace_pvt_lpe_ht_cvd_high_quality_sic_single_crystal_growth_method2.webp 750w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/sic_crystal_growth_furnace_pvt_lpe_ht_cvd_high_quality_sic_single_crystal_growth_method2-300x259.webp 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/sic_crystal_growth_furnace_pvt_lpe_ht_cvd_high_quality_sic_single_crystal_growth_method2-14x12.webp 14w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/sic_crystal_growth_furnace_pvt_lpe_ht_cvd_high_quality_sic_single_crystal_growth_method2-600x518.webp 600w\" sizes=\"(max-width: 750px) 100vw, 750px\" \/><\/a><\/figure>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">1. SiC-valmistuksen yleiskatsaus: SiC:n valmistus: Kaksi p\u00e4\u00e4vaihetta<\/h1>\n\n\n\n<p>SiC-laitteiden valmistus jaetaan yleens\u00e4 kahteen p\u00e4\u00e4vaiheeseen:<\/p>\n\n\n\n<ol class=\"wp-block-list\">\n<li><strong>Kiteiden kasvu ja kiekkojen k\u00e4sittely<\/strong><\/li>\n\n\n\n<li><strong>Laitteen valmistus ja pakkaaminen<\/strong><\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n<p>Jokainen vaihe vaatii eritt\u00e4in erikoistuneita laitteita, jotka toimivat \u00e4\u00e4rimm\u00e4isiss\u00e4 fyysisiss\u00e4 olosuhteissa.<\/p>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">2. Miksi SiC-kiteiden kasvu on niin vaikeaa<\/h1>\n\n\n\n<p>Toisin kuin piit\u00e4, SiC:t\u00e4 ei voida kasvattaa yksinkertaisesta sulasta. Se vaatii sublimointiin perustuvaa kasvua eritt\u00e4in korkeissa l\u00e4mp\u00f6tiloissa (&gt; 2000 \u00b0C). T\u00e4m\u00e4 luo useita teknisi\u00e4 haasteita.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q1: Mitk\u00e4 ovat t\u00e4rkeimm\u00e4t SiC-kidekasvatuslaitteistot?<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>SiC-jauheen synteesiuuni<\/li>\n\n\n\n<li><a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/tuote-osasto\/crystal-growth-furnace\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#0693e3\" class=\"has-inline-color\">SiC-ylikiteiden kasvu-uuni<\/mark><\/a><\/li>\n\n\n\n<li>Timanttinen monilankasaha<\/li>\n\n\n\n<li>Hionta- ja kiillotuskoneet<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q2: Miksi SiC-jauheen synteesi on niin vaikeaa?<\/h2>\n\n\n\n<p>Keskeisi\u00e4 haasteita ovat:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Eritt\u00e4in korkea l\u00e4mp\u00f6tilavakaus<\/li>\n\n\n\n<li>Tyhji\u00f6tiivistyksen luotettavuus<\/li>\n\n\n\n<li>Tarkka l\u00e4mm\u00f6ns\u00e4\u00e4t\u00f6<\/li>\n\n\n\n<li>Kemiallisen reaktion tasaisuus<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Pienetkin poikkeamat l\u00e4mp\u00f6tilassa tai paineessa voivat muuttaa jauheen puhtautta, mik\u00e4 vaikuttaa suoraan kiteen laatuun.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Kysymys 3: Miksi SiC-kiteiden kasvu-uunitekniikka on niin monimutkaista?<\/h2>\n\n\n\n<p>T\u00e4rkeimpi\u00e4 vaikeuksia ovat:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Suurikokoinen korkean l\u00e4mp\u00f6tilan uunin rakenne<\/li>\n\n\n\n<li>Vakaa tyhji\u00f6ymp\u00e4rist\u00f6 yli 2000\u00b0C<\/li>\n\n\n\n<li>Upokkaiden materiaalin valinta (grafiittipohjaiset j\u00e4rjestelm\u00e4t)<\/li>\n\n\n\n<li>Tarkka kaasuvirran s\u00e4\u00e4t\u00f6<\/li>\n\n\n\n<li>L\u00e4mp\u00f6kent\u00e4n tasaisuuden hallinta<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Kaikki ep\u00e4vakaus johtaa:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Monikiteiset viat<\/li>\n\n\n\n<li>Siirtym\u00e4t<\/li>\n\n\n\n<li>Kiekkojen tuottoh\u00e4vi\u00f6<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<hr class=\"wp-block-separator has-alpha-channel-opacity\"\/>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">3. Kiekkojen leikkaus ja k\u00e4sittely: SiC:n mekaaniset rajat<\/h1>\n\n\n\n<p>8<\/p>\n\n\n\n<p>SiC on yksi kovimmista puolijohdemateriaaleista, ja se on kovuudeltaan toiseksi kovinta timantin j\u00e4lkeen. T\u00e4m\u00e4 tekee mekaanisesta k\u00e4sittelyst\u00e4 eritt\u00e4in haastavaa.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Kysymys 4: Miksi timanttilankasahaus on vaikeaa SiC:lle?<\/h2>\n\n\n\n<p>Keskeiset tekniset kysymykset:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Langan kireyden ep\u00e4vakaus<\/li>\n\n\n\n<li>Leikkaust\u00e4rin\u00e4n hallinta<\/li>\n\n\n\n<li>Lietteen hiukkasten kuluminen<\/li>\n\n\n\n<li>L\u00e4mm\u00f6n kertyminen viipaloimisen aikana<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Jos sit\u00e4 ei valvota asianmukaisesti:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Reunan lohkeilu lis\u00e4\u00e4ntyy<\/li>\n\n\n\n<li>Sis\u00e4iset mikrohalkeamat muodostuvat<\/li>\n\n\n\n<li>Kiekon lujuus v\u00e4henee<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q5: Mik\u00e4 tekee SiC:n hionnasta vaikeaa?<\/h2>\n\n\n\n<p>Haasteisiin kuuluvat:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Kovuus johtaa materiaalin hitaaseen poistoon<\/li>\n\n\n\n<li>Pintavauriokerroksen muodostuminen<\/li>\n\n\n\n<li>J\u00e4\u00e4nn\u00f6sj\u00e4nnityksen kertyminen<\/li>\n\n\n\n<li>Vakava kiekon v\u00e4\u00e4ntyminen ohentamisen j\u00e4lkeen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Kysymys 6: Miksi SiC:n kiillotus on monimutkaisempaa kuin piin?<\/h2>\n\n\n\n<p>Kiillotushaasteet:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Suuri j\u00e4ykkyys aiheuttaa ep\u00e4tasaista paineen jakautumista<\/li>\n\n\n\n<li>Kiillotustyynyjen l\u00e4mp\u00f6muodonmuutos<\/li>\n\n\n\n<li>Atomitason tasaisuuden saavuttamisen vaikeus<\/li>\n\n\n\n<li>Pinnanalaisten vaurioiden poistaminen on vaikeampaa<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">4. Laitteen valmistus: Plasma- ja l\u00e4mp\u00f6olosuhteet: \u00e4\u00e4rimm\u00e4iset l\u00e4mp\u00f6- ja plasmaolosuhteet<\/h1>\n\n\n\n<p>8<\/p>\n\n\n\n<p>SiC-laitteiden valmistuksessa on kiekon valmistuksen j\u00e4lkeen viel\u00e4 yksi monimutkaisempi vaihe: <strong>\u00e4\u00e4rimm\u00e4iset l\u00e4mp\u00f6- ja plasmak\u00e4sittely-ymp\u00e4rist\u00f6t<\/strong>.<\/p>\n\n\n\n<hr class=\"wp-block-separator has-alpha-channel-opacity\"\/>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q7: Mit\u00e4 laitteita k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n SiC-laitteiden valmistuksessa?<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>SiC-epitaksia-reaktorit<\/li>\n\n\n\n<li>Kuivaetsausj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/li>\n\n\n\n<li>Korkean l\u00e4mp\u00f6tilan ioni-implantointilaitteet<\/li>\n\n\n\n<li>Korkean l\u00e4mp\u00f6tilan hehkutusuunit<\/li>\n\n\n\n<li>Hapetusuunit<\/li>\n\n\n\n<li>Takapuolen hiontaj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">K8: Miksi SiC-epitaksia on vaikeaa?<\/h2>\n\n\n\n<p>Keskeiset haasteet:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Korkean l\u00e4mp\u00f6tilan kasvuymp\u00e4rist\u00f6<\/li>\n\n\n\n<li>Kaasun virtauksen ep\u00e4vakaus<\/li>\n\n\n\n<li>Rajapinnan vikojen valvonta<\/li>\n\n\n\n<li>Paksuuden tasaisuus 200 mm:n kiekoilla<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q9: Mik\u00e4 tekee SiC-plasmasy\u00f6vytyksest\u00e4 vaikeaa?<\/h2>\n\n\n\n<p>Aiheita ovat muun muassa:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>SiC:n vahva kemiallinen kest\u00e4vyys<\/li>\n\n\n\n<li>Aggressiivisen plasman aiheuttama kammion korroosio<\/li>\n\n\n\n<li>Alhainen sy\u00f6vytysnopeus piihin verrattuna<\/li>\n\n\n\n<li>Prosessin ep\u00e4vakaus suurienergisess\u00e4 plasmassa<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q10: Miksi ioni-implantointi on vaikeampaa SiC:lle?<\/h2>\n\n\n\n<p>SiC vaatii:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Korkean l\u00e4mp\u00f6tilan implantointi<\/li>\n\n\n\n<li>Syv\u00e4dopanttien aktivointihehkutus<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Haasteet:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Dopantin aktivointitehokkuus on alhainen<\/li>\n\n\n\n<li>Kristallivaurioiden korjaaminen on vaikeaa<\/li>\n\n\n\n<li>Laitteiden on kestett\u00e4v\u00e4 \u00e4\u00e4rimm\u00e4isi\u00e4 l\u00e4mp\u00f6syklej\u00e4<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q11: Miksi korkean l\u00e4mp\u00f6tilan hehkutus on kriittinen?<\/h2>\n\n\n\n<p>Hehkutuksen on korjattava istutuksen aiheuttamat vauriot, mutta:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Vaatii eritt\u00e4in korkeaa l\u00e4mp\u00f6tilavakautta<\/li>\n\n\n\n<li>Nopea l\u00e4mp\u00f6sykli voi aiheuttaa kiekon halkeilua.<\/li>\n\n\n\n<li>Tasainen l\u00e4mmitys on vaikeaa suurilla kiekoilla.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">5. Back-End-k\u00e4sittely: Tuotto m\u00e4\u00e4r\u00e4\u00e4 voiton<\/h1>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q12: Miksi takapuolen harventaminen on vaikeaa?<\/h2>\n\n\n\n<p>Ongelmia ovat muun muassa:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Paksuuden s\u00e4\u00e4t\u00f6 mikronin tasolla<\/li>\n\n\n\n<li>Mikrohalkeamien muodostuminen<\/li>\n\n\n\n<li>J\u00e4nnityksen aiheuttama kiekon v\u00e4\u00e4ntyminen<\/li>\n\n\n\n<li>Kiekkojen hauras k\u00e4sittely ohentamisen j\u00e4lkeen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q13: Miksi SiC-kiekon v\u00e4\u00e4ntyminen on yleisemp\u00e4\u00e4 kuin piin?<\/h2>\n\n\n\n<p>Koska:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Suurempi sis\u00e4inen stressi<\/li>\n\n\n\n<li>Vahvempi ristikkoj\u00e4ykkyys<\/li>\n\n\n\n<li>Ep\u00e4tasainen materiaalin poisto hionnan aikana<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q14: Miksi kiekkojen k\u00e4sittely on eritt\u00e4in riskialtista?<\/h2>\n\n\n\n<p>Ohuet SiC-kiekot ovat:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Hauras<\/li>\n\n\n\n<li>Stressiherkk\u00e4<\/li>\n\n\n\n<li>Helppo murtua automaation siirron aikana<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Pienikin t\u00e4rin\u00e4 voi johtaa katastrofaaliseen saannon menetykseen.<\/p>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">6. J\u00e4rjestelm\u00e4tason haaste: yli 20 laitteen on toimittava yhdess\u00e4.<\/h1>\n\n\n\n<p>T\u00e4ydellinen SiC-tuotantolinja vaatii yli 20 erilaista tarkkuuslaitetta, jotka toimivat synkronoidusti:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Kristallien kasvatusuunit<\/li>\n\n\n\n<li>Vaijerisahaj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/li>\n\n\n\n<li>Hiontakoneet<\/li>\n\n\n\n<li>Kiillotusj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/li>\n\n\n\n<li>Epitaksia-reaktorit<\/li>\n\n\n\n<li>Sy\u00f6vytysj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/li>\n\n\n\n<li>Ioni-implantointiv\u00e4lineet<\/li>\n\n\n\n<li>Hehkutusuunit<\/li>\n\n\n\n<li>Hapetusuunit<\/li>\n\n\n\n<li>Takahiontaj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Todellinen haaste ei ole vain yksitt\u00e4iset koneet, vaan prosessien integroinnin vakaus koko ketjussa.<\/p>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">7. Miksi SiC-valmistus on niin kallista<\/h1>\n\n\n\n<p>Keskeiset kustannustekij\u00e4t:<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">1. \u00c4\u00e4rimm\u00e4iset laitevaatimukset<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Korkeat l\u00e4mp\u00f6tilat (&gt;2000\u00b0C j\u00e4rjestelm\u00e4t)<\/li>\n\n\n\n<li>Korkean tyhji\u00f6n ymp\u00e4rist\u00f6t<\/li>\n\n\n\n<li>Korroosionkest\u00e4v\u00e4t materiaalit<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">2. Alhainen tuottoaste<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Virheherkkyys<\/li>\n\n\n\n<li>Kiekkojen rikkoutumisriski<\/li>\n\n\n\n<li>Prosessin vaihtelevuus<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">3. Hidas l\u00e4pimeno<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Kova materiaali hidastaa kaikkia mekaanisia vaiheita<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4. Korkea T&amp;K-intensiteetti<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Jatkuva prosessin optimointi vaaditaan<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">P\u00e4\u00e4telm\u00e4<\/h1>\n\n\n\n<p>SiC-sirujen valmistaminen ei ole vaikeaa yhden pullonkaulan vuoksi, vaan siksi, ett\u00e4 jokainen vaihe kiteen kasvattamisesta kiekon lopulliseen ohentamiseen vie nykyiset puolijohdelaitteet fyysisille ja teknisille rajoilleen.<\/p>\n\n\n\n<p>Yhdistelm\u00e4:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>k\u00e4sittely \u00e4\u00e4rimm\u00e4isiss\u00e4 l\u00e4mp\u00f6tiloissa<\/li>\n\n\n\n<li>eritt\u00e4in kovan materiaalin k\u00e4ytt\u00e4ytyminen<\/li>\n\n\n\n<li>tiukka virhetoleranssi<\/li>\n\n\n\n<li>monivaiheisen prosessin monimutkaisuus<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>tekee SiC:st\u00e4 yhden haastavimmista massatuotannossa olevista puolijohdemateriaaleista.<\/p>\n\n\n\n<p>Laiteteknologian kehittyess\u00e4 - erityisesti kiteiden kasvun hallinnan, laseravusteisen k\u00e4sittelyn ja kehittyneiden etsausj\u00e4rjestelmien osalta - piikiteist\u00e4 on kuitenkin tulossa v\u00e4hitellen entist\u00e4 skaalautuvampia, mik\u00e4 mahdollistaa sen nopean k\u00e4ytt\u00f6\u00f6noton s\u00e4hk\u00f6ajoneuvoissa, uusiutuvan energian j\u00e4rjestelmiss\u00e4 ja korkeaj\u00e4nnitteisess\u00e4 tehoelektroniikassa.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Silicon carbide (SiC) has become one of the most important materials in next-generation power electronics. It enables higher voltage, higher temperature, and higher efficiency devices compared with traditional silicon. However, behind these advantages lies a harsh reality: SiC chips are extremely difficult and expensive to manufacture at scale. Unlike conventional silicon processing, SiC manufacturing involves [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[24],"tags":[1319,1317,1321,1323,1318,368,867,1313,1320,1322],"class_list":["post-2449","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-industry-news","tag-diamond-wire-saw-cutting","tag-ilicon-carbide-manufacturing","tag-ion-implantation-sic","tag-power-electronics-semiconductors","tag-semiconductor-fabrication-equipment","tag-sic-crystal-growth","tag-sic-wafer-processing","tag-wafer-dicing-process","tag-wafer-polishing-process","tag-wafer-warpage"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2449","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2449"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2449\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2450,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2449\/revisions\/2450"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2449"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2449"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2449"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}