{"id":2360,"date":"2026-04-22T07:08:49","date_gmt":"2026-04-22T07:08:49","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2360"},"modified":"2026-04-22T07:13:29","modified_gmt":"2026-04-22T07:13:29","slug":"ai350ht-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-sic-and-silicon-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/product\/ai350ht-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-sic-and-silicon-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Sistema de implantaci\u00f3n i\u00f3nica de alta temperatura y haz medio Ai350HT para el procesamiento de obleas de silicio y SiC de 6\/8 pulgadas"},"content":{"rendered":"

\"SistemaEl sistema de implantaci\u00f3n de iones de alta temperatura Ai350HT (Medium Beam) est\u00e1 dise\u00f1ado para l\u00edneas de fabricaci\u00f3n de semiconductores de obleas de silicio de 6 y 8 pulgadas, as\u00ed como para aplicaciones de proceso de SiC. Es un implantador de iones de corriente media desarrollado para procesos de dopaje de alta energ\u00eda y alta temperatura en la fabricaci\u00f3n avanzada de semiconductores.<\/p>\n

El sistema admite una gama de energ\u00edas de 5 keV a 350 keV, lo que permite procesos de implantaci\u00f3n tanto superficiales como profundos. Est\u00e1 equipado con un mandril electrost\u00e1tico de alta temperatura capaz de funcionar hasta 500 \u00b0C, lo que permite mejorar la activaci\u00f3n del dopante y reducir los da\u00f1os en la red durante la implantaci\u00f3n. Combinado con un rendimiento estable del haz y un control de alta precisi\u00f3n, el sistema es adecuado tanto para la fabricaci\u00f3n de semiconductores basados en silicio como para la fabricaci\u00f3n de semiconductores de banda ancha.<\/p>\n

\n

Caracter\u00edsticas<\/h2>\n

Capacidad de implantaci\u00f3n a alta temperatura<\/h3>\n

Equipado con un mandril electrost\u00e1tico de alta temperatura que soporta hasta 500\u00b0C, lo que permite mejorar la eficacia de la implantaci\u00f3n y la activaci\u00f3n de dopantes para procesos avanzados.<\/p>\n

Amplia gama de energ\u00eda<\/h3>\n

La gama de energ\u00eda de 5-350 keV permite satisfacer requisitos de implantaci\u00f3n flexibles, desde la formaci\u00f3n de uniones poco profundas hasta procesos de implantaci\u00f3n profunda.<\/p>\n

Control del haz de alta precisi\u00f3n<\/h3>\n

Proporciona un rendimiento de implantaci\u00f3n preciso con exactitud de \u00e1ngulo \u2264 0,2\u00ba, paralelismo de haz \u2264 0,2\u00ba, uniformidad \u2264 0,5% y repetibilidad \u2264 0,5%.<\/p>\n

Rendimiento estable del haz<\/h3>\n

La estabilidad del haz se controla dentro de 10% por hora, lo que garantiza una calidad constante del proceso durante ciclos de producci\u00f3n largos.<\/p>\n

Fuente de iones de larga duraci\u00f3n<\/h3>\n

Equipado con una fuente de iones de metal Al con una vida \u00fatil de \u2265150 horas, lo que reduce la frecuencia de mantenimiento y mejora el tiempo de actividad.<\/p>\n

Alta capacidad de producci\u00f3n<\/h3>\n

Admite un rendimiento de \u2265 200 obleas por hora, adecuado para entornos de producci\u00f3n de semiconductores.<\/p>\n

Compatibilidad con procesos avanzados<\/h3>\n

Compatible con los procesos SiC y la fabricaci\u00f3n convencional de semiconductores basados en silicio.<\/p>\n

\"\"\"\"<\/p>\n

\n

Especificaciones<\/h2>\n

Par\u00e1metros del proceso<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Art\u00edculo<\/th>\nEspecificaci\u00f3n<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Tama\u00f1o de la oblea<\/td>\n6-8 pulgadas<\/td>\n<\/tr>\n
Gama energ\u00e9tica<\/td>\n5-350 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Elementos implantados<\/td>\nC, Al, B, P, N, He, Ar<\/td>\n<\/tr>\n
Gama de dosis<\/td>\n1E11-1E17 iones\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Rendimiento del haz<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n
Art\u00edculo<\/th>\nEspecificaci\u00f3n<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Estabilidad de la viga<\/td>\n\u2264 10% \/ hora (\u22641 interrupci\u00f3n del haz o arco por hora)<\/td>\n<\/tr>\n
Paralelismo de vigas<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Precisi\u00f3n de implantaci\u00f3n<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Art\u00edculo<\/th>\nEspecificaci\u00f3n<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Gama de \u00e1ngulos de implante<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Precisi\u00f3n del \u00e1ngulo<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Uniformidad (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (P+, 1E14, 100 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Repetibilidad (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Rendimiento del sistema<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Art\u00edculo<\/th>\nEspecificaci\u00f3n<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Rendimiento<\/td>\n\u2265 200 obleas por hora<\/td>\n<\/tr>\n
Temperatura m\u00e1xima del mandril<\/td>\n500\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
Tama\u00f1o del equipo<\/td>\n6270 \u00d7 3500 \u00d7 3000 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Nivel de vac\u00edo<\/td>\n5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
Fuga de rayos X<\/td>\n\u2264 0,3 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Modo de exploraci\u00f3n<\/td>\nBarrido electrost\u00e1tico horizontal + barrido mec\u00e1nico vertical<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Campos de aplicaci\u00f3n<\/h2>\n

Fabricaci\u00f3n de semiconductores SiC<\/h3>\n

Se utiliza en la fabricaci\u00f3n de dispositivos de carburo de silicio que requieren procesos de implantaci\u00f3n i\u00f3nica a alta temperatura.<\/p>\n

Procesado de semiconductores a base de silicio<\/h3>\n

Aplicable a la fabricaci\u00f3n de CMOS y circuitos integrados en obleas de 6 y 8 pulgadas.<\/p>\n

Procesos de implantaci\u00f3n a alta temperatura<\/h3>\n

Adecuado para procesos que requieren una temperatura elevada para reducir el da\u00f1o cristalino y mejorar la activaci\u00f3n del dopante.<\/p>\n

Fabricaci\u00f3n de dispositivos de potencia<\/h3>\n

Se utiliza en dispositivos semiconductores de potencia que requieren procesos de implantaci\u00f3n profunda y alta energ\u00eda.<\/p>\n

Ingenier\u00eda avanzada de materiales<\/h3>\n

Apoya la implantaci\u00f3n de iones en materiales semiconductores avanzados y entornos de desarrollo de procesos.<\/p>\n

\n

Preguntas frecuentes<\/h2>\n

1. \u00bfQu\u00e9 tama\u00f1os de oblea admite el Ai350HT?<\/h3>\n

El sistema admite obleas de 6 y 8 pulgadas y es apto tanto para l\u00edneas de fabricaci\u00f3n de semiconductores de silicio como de SiC.<\/p>\n

2. \u00bfCu\u00e1l es la temperatura m\u00e1xima soportada durante la implantaci\u00f3n<\/h3>\n

El sistema admite la implantaci\u00f3n a alta temperatura, hasta 500 \u00b0C, mediante un mandril electrost\u00e1tico calentado con sujeci\u00f3n mec\u00e1nica.<\/p>\n

3. Cu\u00e1les son las principales ventajas de este sistema para los procesos de SiC<\/h3>\n

El sistema combina capacidad para altas temperaturas, rendimiento estable del haz y compatibilidad con procesos de SiC, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de semiconductores de banda ancha.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

El sistema de implantaci\u00f3n de iones de alta temperatura Ai350HT (Medium Beam) est\u00e1 dise\u00f1ado para l\u00edneas de fabricaci\u00f3n de semiconductores de obleas de silicio de 6 y 8 pulgadas, as\u00ed como para aplicaciones de proceso de SiC. 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semiconductores.<\/p>","protected":false},"featured_media":2361,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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