{"id":2354,"date":"2026-04-22T06:34:59","date_gmt":"2026-04-22T06:34:59","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2354"},"modified":"2026-04-22T07:16:34","modified_gmt":"2026-04-22T07:16:34","slug":"ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/product\/ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Sistema de implantaci\u00f3n i\u00f3nica de alta temperatura Ai300 (haz medio) para el procesamiento de obleas de 12 pulgadas"},"content":{"rendered":"

\"SistemaEl sistema de implantaci\u00f3n de iones de alta temperatura Ai300 (haz medio) est\u00e1 dise\u00f1ado para l\u00edneas de fabricaci\u00f3n de semiconductores de obleas de silicio de 12 pulgadas. Se trata de un implantador de iones de corriente media desarrollado para procesos de dopaje avanzados en aplicaciones de semiconductores basados en silicio y de banda prohibida ancha, incluidas las l\u00edneas de proceso de SiC.<\/p>\n

El sistema admite una gama de energ\u00edas de 5 keV a 300 keV, lo que permite una implantaci\u00f3n flexible desde la formaci\u00f3n de uniones poco profundas hasta aplicaciones de dopaje profundo. Est\u00e1 equipado con una etapa de oblea calentada a alta temperatura con una temperatura m\u00e1xima de hasta 400 \u00b0C, lo que permite mejorar la activaci\u00f3n del dopante y reducir los da\u00f1os en la red durante la implantaci\u00f3n.<\/p>\n

Con un rendimiento estable del haz, un control de alta precisi\u00f3n y compatibilidad con procesos de circuitos integrados a gran escala, el sistema Ai300 es adecuado para entornos avanzados de fabricaci\u00f3n de semiconductores.<\/p>\n

\n

Caracter\u00edsticas<\/h2>\n

Capacidad de implante a alta temperatura<\/h3>\n

Equipado con una etapa de oblea calentada que soporta temperaturas de hasta 400\u00b0C, mejorando la calidad de la implantaci\u00f3n y la eficacia de la activaci\u00f3n del dopante.<\/p>\n

Amplia gama de energ\u00eda<\/h3>\n

La gama de energ\u00eda de 5-300 keV admite procesos de implantaci\u00f3n superficial y profunda para estructuras de dispositivos avanzados.<\/p>\n

Control del haz de alta precisi\u00f3n<\/h3>\n

Proporciona una implantaci\u00f3n de alta precisi\u00f3n con exactitud angular \u2264 0,1\u00b0, paralelismo del haz \u2264 0,1\u00b0, uniformidad \u2264 0,5% y repetibilidad \u2264 0,5%.<\/p>\n

Alto rendimiento<\/h3>\n

Admite un rendimiento de hasta \u2265 500 obleas por hora, adecuado para la fabricaci\u00f3n de semiconductores de gran volumen.<\/p>\n

Capacidad de fuente de iones avanzada<\/h3>\n

Admite m\u00faltiples elementos implantados, incluidos C, B, P, N, He y Ar, cumpliendo diversos requisitos de procesos de semiconductores.<\/p>\n

Compatibilidad de procesos LSI<\/h3>\n

Totalmente compatible con procesos de fabricaci\u00f3n de circuitos integrados a gran escala y fabricaci\u00f3n avanzada de dispositivos.<\/p>\n

\"\" \"\"<\/p>\n

\n

Especificaciones<\/h2>\n

Par\u00e1metros del proceso<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Art\u00edculo<\/th>\nEspecificaci\u00f3n<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Tama\u00f1o de la oblea<\/td>\n12 pulgadas<\/td>\n<\/tr>\n
Gama energ\u00e9tica<\/td>\n5-300 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Elementos implantados<\/td>\nC, B, P, N, He, Ar<\/td>\n<\/tr>\n
Gama de dosis<\/td>\n1E11-1E16 iones\/cm\u00b2.<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Rendimiento del haz<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n
Art\u00edculo<\/th>\nEspecificaci\u00f3n<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Estabilidad de la viga<\/td>\n\u2264 10% \/ hora (\u22641 interrupci\u00f3n del haz o arco por hora)<\/td>\n<\/tr>\n
Paralelismo de vigas<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Precisi\u00f3n de implantaci\u00f3n<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Art\u00edculo<\/th>\nEspecificaci\u00f3n<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Gama de \u00e1ngulos de implante<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Precisi\u00f3n del \u00e1ngulo<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Uniformidad (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (P+, 1E14, 100 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Repetibilidad (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Rendimiento del sistema<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Art\u00edculo<\/th>\nEspecificaci\u00f3n<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Rendimiento<\/td>\n\u2265 500 obleas por hora<\/td>\n<\/tr>\n
Temperatura m\u00e1xima del implante<\/td>\n400\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
Tama\u00f1o del equipo<\/td>\n6400 \u00d7 3640 \u00d7 3100 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Nivel de vac\u00edo<\/td>\n5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
Fuga de rayos X<\/td>\n\u2264 0,3 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Modo de exploraci\u00f3n<\/td>\nBarrido electrost\u00e1tico horizontal + barrido mec\u00e1nico vertical<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Campos de aplicaci\u00f3n<\/h2>\n

Procesado de semiconductores SiC<\/h3>\n

Se utiliza en la fabricaci\u00f3n de dispositivos de carburo de silicio, apoyando los procesos de implantaci\u00f3n a alta temperatura necesarios para los materiales de banda prohibida ancha.<\/p>\n

Fabricaci\u00f3n de semiconductores a base de silicio<\/h3>\n

Aplicable a l\u00edneas de producci\u00f3n de obleas de silicio de 12 pulgadas para la fabricaci\u00f3n de CMOS y circuitos integrados avanzados.<\/p>\n

Procesos de implantaci\u00f3n a alta temperatura<\/h3>\n

Admite procesos de implantaci\u00f3n que requieren una temperatura elevada de la oblea para reducir los defectos y mejorar la activaci\u00f3n del dopante.<\/p>\n

Fabricaci\u00f3n de dispositivos de potencia<\/h3>\n

Adecuado para dispositivos semiconductores de potencia en los que se requiere un dopaje preciso y una implantaci\u00f3n de alta energ\u00eda.<\/p>\n

Producci\u00f3n avanzada de circuitos integrados<\/h3>\n

Admite la integraci\u00f3n de procesos LSI con requisitos de alta precisi\u00f3n y alto rendimiento.<\/p>\n

\n

Preguntas frecuentes<\/h2>\n

1. \u00bfQu\u00e9 tama\u00f1o de oblea admite el sistema Ai300?<\/h3>\n

El sistema est\u00e1 dise\u00f1ado para obleas de silicio de 12 pulgadas y es adecuado para l\u00edneas avanzadas de fabricaci\u00f3n de semiconductores.<\/p>\n

2. Cu\u00e1l es la ventaja clave de la capacidad de implantaci\u00f3n a alta temperatura<\/h3>\n

El sistema admite implantaciones de hasta 400 \u00b0C, lo que ayuda a reducir los da\u00f1os en la red, mejorar la activaci\u00f3n de dopantes y aumentar el rendimiento general del dispositivo.<\/p>\n

3. \u00bfQu\u00e9 nivel de precisi\u00f3n y eficacia de producci\u00f3n proporciona el sistema?<\/h3>\n

El sistema proporciona una precisi\u00f3n angular de 0,1 grados, un paralelismo del haz de 0,1 grados y una uniformidad y repetibilidad de 0,5 por ciento, con un rendimiento de hasta 500 obleas por hora.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

El sistema de implantaci\u00f3n de iones de alta temperatura Ai300 (haz medio) est\u00e1 dise\u00f1ado para l\u00edneas de fabricaci\u00f3n de semiconductores de obleas de silicio de 12 pulgadas. 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