{"id":2346,"date":"2026-04-22T05:56:29","date_gmt":"2026-04-22T05:56:29","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2346"},"modified":"2026-04-22T07:25:08","modified_gmt":"2026-04-22T07:25:08","slug":"ai250-medium-beam-room-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-silicon-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/product\/ai250-medium-beam-room-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-silicon-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Sistema de implantaci\u00f3n i\u00f3nica a temperatura ambiente Ai250 (haz medio) para el procesamiento de obleas de silicio de 6-8 pulgadas"},"content":{"rendered":"

\"\"El sistema de implantaci\u00f3n i\u00f3nica Ai250 (haz medio) est\u00e1 dise\u00f1ado para l\u00edneas de fabricaci\u00f3n de semiconductores de obleas de silicio de 6 y 8 pulgadas. Se trata de un implantador de iones de corriente media utilizado en procesos avanzados de fabricaci\u00f3n de circuitos integrados, que proporciona un rendimiento estable del haz, una alta precisi\u00f3n de implantaci\u00f3n y un control fiable de la dosis.<\/p>\n

El sistema admite una gama de energ\u00edas de 5 keV a 250 keV, lo que permite aplicaciones de implantaci\u00f3n de iones superficiales y profundas. Es apto para una amplia gama de procesos de dopaje de semiconductores y totalmente compatible con los requisitos de fabricaci\u00f3n de LSI.<\/p>\n

\n

Caracter\u00edsticas<\/h2>\n

Rendimiento estable de los haces medios<\/h3>\n

Garantiza una salida estable del haz de iones durante ciclos de producci\u00f3n largos, mejorando la consistencia del proceso y reduciendo la variabilidad.<\/p>\n

Amplia gama de energ\u00eda<\/h3>\n

El rango de energ\u00eda de 5-250 keV permite requisitos de implantaci\u00f3n flexibles para diferentes estructuras de dispositivos y nodos de proceso.<\/p>\n

Control de procesos de alta precisi\u00f3n<\/h3>\n

Proporciona un rendimiento de implantaci\u00f3n de alta precisi\u00f3n con precisi\u00f3n de \u00e1ngulo \u2264 0,2\u00ba, paralelismo del haz \u2264 0,2\u00ba, uniformidad \u2264 0,5% y repetibilidad \u2264 0,5%.<\/p>\n

Alta capacidad de producci\u00f3n<\/h3>\n

Soporta \u2265 200 obleas por hora, adecuada para la producci\u00f3n de semiconductores de volumen medio a alto.<\/p>\n

Patr\u00f3n Funci\u00f3n del implante<\/h3>\n

Admite la implantaci\u00f3n de varias zonas y cuadrantes en una sola oblea, lo que mejora la flexibilidad del proceso y reduce el coste de desarrollo.<\/p>\n

Compatibilidad de procesos LSI<\/h3>\n

Totalmente compatible con los procesos de fabricaci\u00f3n de semiconductores LSI.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

\n

Especificaciones<\/h2>\n

Par\u00e1metros del proceso<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Art\u00edculo<\/th>\nEspecificaci\u00f3n<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Tama\u00f1o de la oblea<\/td>\nObleas de silicio de 6-8 pulgadas<\/td>\n<\/tr>\n
Gama energ\u00e9tica<\/td>\n5-250 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Elementos implantados<\/td>\nB+, P+, As+, Ar+, N+, H+<\/td>\n<\/tr>\n
Gama de dosis<\/td>\n5E11-1E16 iones\/cm\u00b2.<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Rendimiento del haz<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n
Art\u00edculo<\/th>\nEspecificaci\u00f3n<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Corriente m\u00e1xima del haz<\/td>\nAr+ \u2265 1300 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nB+ \u2265 1000 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nP+ \u2265 1300 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nN+ \u2265 1000 \u03bcA @ \u2265220 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Estabilidad de la viga<\/td>\n\u2264 15% \/ hora (interrupci\u00f3n del haz y arco el\u00e9ctrico \u2264 1 vez por hora)<\/td>\n<\/tr>\n
Paralelismo de vigas<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Precisi\u00f3n de implantaci\u00f3n<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Art\u00edculo<\/th>\nEspecificaci\u00f3n<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Gama de \u00e1ngulos de implante<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Precisi\u00f3n del \u00e1ngulo<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Uniformidad (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (B+, 2E14, 150 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Repetibilidad (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Rendimiento del sistema<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Art\u00edculo<\/th>\nEspecificaci\u00f3n<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Rendimiento<\/td>\n\u2265 200 obleas por hora<\/td>\n<\/tr>\n
Nivel de vac\u00edo<\/td>\n< 5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
Fuga de rayos X<\/td>\n\u2264 0,6 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Modo de exploraci\u00f3n<\/td>\nBarrido electrost\u00e1tico horizontal + barrido mec\u00e1nico vertical<\/td>\n<\/tr>\n
Tama\u00f1o del equipo<\/td>\n5600 \u00d7 3300 \u00d7 2600 mm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Campos de aplicaci\u00f3n<\/h2>\n

Fabricaci\u00f3n de dispositivos semiconductores<\/h3>\n

Se utiliza en la producci\u00f3n de dispositivos l\u00f3gicos CMOS, proporcionando una implantaci\u00f3n precisa de dopantes para la formaci\u00f3n de transistores.<\/p>\n

Fabricaci\u00f3n de circuitos integrados<\/h3>\n

Se aplica en procesos de fabricaci\u00f3n de LSI y circuitos integrados avanzados que requieren un control del dopaje de alta precisi\u00f3n.<\/p>\n

Formaci\u00f3n de uniones superficiales y profundas<\/h3>\n

Apoya los procesos de implantaci\u00f3n para la ingenier\u00eda de la fuente\/drenaje y el control de la profundidad de la uni\u00f3n.<\/p>\n

Ingenier\u00eda de dopantes<\/h3>\n

Se utiliza para controlar las propiedades el\u00e9ctricas de las obleas de silicio mediante la implantaci\u00f3n precisa de iones.<\/p>\n

Desarrollo de procesos e I+D<\/h3>\n

Adecuado para el desarrollo de procesos de semiconductores, producci\u00f3n piloto y fabricaci\u00f3n experimental de dispositivos.<\/p>\n

\n

Preguntas frecuentes<\/h2>\n

1. \u00bfQu\u00e9 tama\u00f1os de oblea admite el Ai250?<\/h3>\n

El sistema admite obleas de silicio de 6 y 8 pulgadas y es adecuado para las principales l\u00edneas de fabricaci\u00f3n de semiconductores.<\/p>\n

2. \u00bfCu\u00e1l es el rango de energ\u00eda del sistema<\/h3>\n

La gama de energ\u00eda va de 5 keV a 250 keV, lo que permite procesos de implantaci\u00f3n superficial y profunda para la fabricaci\u00f3n de dispositivos semiconductores.<\/p>\n

3. \u00bfQu\u00e9 nivel de precisi\u00f3n del proceso proporciona el sistema?<\/h3>\n

El sistema proporciona una precisi\u00f3n angular de 0,2\u00ba, un paralelismo del haz de 0,2\u00ba y una uniformidad y repetibilidad de 0,5%, lo que garantiza un rendimiento de producci\u00f3n estable y de alto rendimiento.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

El sistema de implantaci\u00f3n i\u00f3nica Ai250 (haz medio) est\u00e1 dise\u00f1ado para l\u00edneas de fabricaci\u00f3n de semiconductores de obleas de silicio de 6 y 8 pulgadas. 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