{"id":2342,"date":"2026-04-22T05:35:46","date_gmt":"2026-04-22T05:35:46","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&#038;p=2342"},"modified":"2026-04-22T07:27:32","modified_gmt":"2026-04-22T07:27:32","slug":"high-efficiency-ai80hchigh-beam-ion-implantation-equipment-for-advanced-silicon-wafer-doping","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/product\/high-efficiency-ai80hchigh-beam-ion-implantation-equipment-for-advanced-silicon-wafer-doping\/","title":{"rendered":"Equipo de implantaci\u00f3n i\u00f3nica de alta eficiencia Ai80HC(High Beam) para dopaje avanzado de obleas de silicio"},"content":{"rendered":"<p data-start=\"153\" data-end=\"528\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" class=\"alignright wp-image-2343 size-medium\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-300x300.png\" alt=\"Equipo de implantaci\u00f3n i\u00f3nica de alta eficiencia Ai80HC(High Beam) para dopaje avanzado de obleas de silicio\" width=\"300\" height=\"300\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-300x300.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-150x150.png 150w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-768x768.png 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-12x12.png 12w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-600x600.png 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-100x100.png 100w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC.png 1000w\" sizes=\"(max-width: 300px) 100vw, 300px\" \/>El equipo de implantaci\u00f3n i\u00f3nica Ai80HC (High Beam) es un implantador i\u00f3nico de alta corriente dise\u00f1ado espec\u00edficamente para l\u00edneas de producci\u00f3n de semiconductores de obleas de silicio de 12 pulgadas. Est\u00e1 dise\u00f1ado para procesos avanzados de dopaje de precisi\u00f3n en la fabricaci\u00f3n moderna de circuitos integrados, ofreciendo un rendimiento estable del haz, una alta repetibilidad del proceso y una excelente precisi\u00f3n en el control de la dosis.<\/p>\n<p data-start=\"530\" data-end=\"891\">El sistema funciona dentro de una amplia gama de energ\u00edas de 0,5 keV a 80 keV, lo que permite unas condiciones de implantaci\u00f3n flexibles para la ingenier\u00eda de uniones superficiales y de profundidad media. Admite m\u00faltiples especies de implantaci\u00f3n, como \u00b9\u00b9B\u207a, \u2074\u2079BF\u2082\u207a, \u00b3\u00b9P\u207a, \u2077\u2075As\u207a, \u00b9\u2074N\u207a y \u00b9H\u207a, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de procesos de fabricaci\u00f3n de dispositivos CMOS y l\u00f3gicos avanzados.<\/p>\n<p data-start=\"893\" data-end=\"1243\">Con una gama de \u00e1ngulos de implantaci\u00f3n de 0\u00b0 a 45\u00b0 y una elevada precisi\u00f3n angular de \u2264 0,1\u00b0, el sistema garantiza un control preciso de la distribuci\u00f3n del dopante y la ingenier\u00eda del perfil de uni\u00f3n. Combinado con un paralelismo del haz de \u2264 0,3\u00b0 y una uniformidad de \u2264 1% (1\u03c3), Ai80HC (High Beam) ofrece una estabilidad de proceso constante entre obleas y dentro de cada oblea.<\/p>\n<p data-start=\"1245\" data-end=\"1496\">Dise\u00f1ado para entornos de producci\u00f3n de alta eficiencia, el sistema alcanza un rendimiento de \u2265 200 obleas por hora (WPH) a la vez que mantiene una estricta estabilidad del proceso, lo que lo hace adecuado para l\u00edneas de fabricaci\u00f3n de semiconductores avanzados compatibles con LSI.<\/p>\n<h2 data-section-id=\"12rj9ab\" data-start=\"1101\" data-end=\"1126\">Arquitectura del sistema<\/h2>\n<p data-start=\"1128\" data-end=\"1199\">El Ai80HC adopta un dise\u00f1o de l\u00ednea de luz maduro y fiable, que consta de:<\/p>\n<ul data-start=\"1201\" data-end=\"1436\">\n<li data-section-id=\"1kfcth9\" data-start=\"1201\" data-end=\"1215\">Fuente de iones<\/li>\n<li data-section-id=\"1r1hm7c\" data-start=\"1216\" data-end=\"1237\">Sistema de extracci\u00f3n<\/li>\n<li data-section-id=\"1twz66q\" data-start=\"1238\" data-end=\"1255\">Analizador de masas<\/li>\n<li data-section-id=\"ywuuxz\" data-start=\"1256\" data-end=\"1280\">Sistema de lentes magn\u00e9ticas<\/li>\n<li data-section-id=\"1s57tik\" data-start=\"1281\" data-end=\"1302\">Tubo de aceleraci\u00f3n<\/li>\n<li data-section-id=\"pg1cgy\" data-start=\"1303\" data-end=\"1336\">Sistema de escaneado electrost\u00e1tico<\/li>\n<li data-section-id=\"1iwk7km\" data-start=\"1337\" data-end=\"1367\">Lente de conformaci\u00f3n de haces paralelos<\/li>\n<li data-section-id=\"1cur4hx\" data-start=\"1368\" data-end=\"1401\">C\u00e1mara de proceso (estaci\u00f3n final)<\/li>\n<li data-section-id=\"qtlnqu\" data-start=\"1402\" data-end=\"1436\">Cassette de obleas \/ Sistema de carga<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"1438\" data-end=\"1458\">Est\u00e1 equipado con:<\/p>\n<ul data-start=\"1459\" data-end=\"1572\">\n<li data-section-id=\"1jzaueb\" data-start=\"1459\" data-end=\"1494\">Plato electrost\u00e1tico para obleas<\/li>\n<li data-section-id=\"1s8wavu\" data-start=\"1495\" data-end=\"1530\">Tecnolog\u00eda de fuente de iones de larga duraci\u00f3n<\/li>\n<li data-section-id=\"6mih95\" data-start=\"1531\" data-end=\"1572\">Sistema de manipulaci\u00f3n de obleas totalmente automatizado<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"1574\" data-end=\"1686\">Esta arquitectura garantiza una gran estabilidad del haz, reduce los tiempos de inactividad por mantenimiento y mejora la repetibilidad del proceso.<\/p>\n<p data-start=\"1574\" data-end=\"1686\"><img decoding=\"async\" class=\"aligncenter wp-image-2371 size-large\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs-1024x388.png\" alt=\"\" width=\"1024\" height=\"388\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs-1024x388.png 1024w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs-300x114.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs-768x291.png 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs-18x7.png 18w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs-600x227.png 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/rs.png 1216w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/p>\n<h2 data-section-id=\"106914\" data-start=\"1693\" data-end=\"1727\">Especificaciones t\u00e9cnicas<\/h2>\n<table>\n<thead>\n<tr>\n<th>Art\u00edculo<\/th>\n<th>Especificaci\u00f3n<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody>\n<tr>\n<td>Tama\u00f1o de la oblea<\/td>\n<td>12 pulgadas<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Gama energ\u00e9tica<\/td>\n<td>0,5 - 80 keV<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Elementos implantados<\/td>\n<td>\u00b9\u00b9B\u207a, \u2074\u2079BF\u2082\u207a, \u00b3\u00b9P\u207a, \u2077\u2075As\u207a, \u00b9\u2074N\u207a, \u00b9H\u207a<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>\u00c1ngulo del implante<\/td>\n<td>0\u00b0 - 45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Precisi\u00f3n del \u00e1ngulo<\/td>\n<td>\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Gama de dosis<\/td>\n<td>5E11 - 1E17 iones\/cm\u00b2.<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Estabilidad de la viga<\/td>\n<td>\u2264 10% \/ hora (en 60 minutos; interrupci\u00f3n del haz y arco el\u00e9ctrico \u2264 1 vez)<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Paralelismo de vigas<\/td>\n<td>\u2264 0.3\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Rendimiento (WPH)<\/td>\n<td>\u2265 200 obleas\/hora<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Uniformidad (1\u03c3)<\/td>\n<td>\u2264 1%<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Repetibilidad (1\u03c3)<\/td>\n<td>\u2264 1%<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Compatibilidad de procesos<\/td>\n<td>Compatible con el proceso LSI<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h2 data-section-id=\"yb78ly\" data-start=\"2475\" data-end=\"2506\">Principales caracter\u00edsticas y ventajas<\/h2>\n<h3 data-section-id=\"13hha2k\" data-start=\"2508\" data-end=\"2541\">1. Sistema de control inteligente<\/h3>\n<p data-start=\"2542\" data-end=\"2706\">Equipada con una plataforma de software visualizada e inteligente, que permite un funcionamiento simplificado, un r\u00e1pido diagn\u00f3stico de fallos y una gran estabilidad del sistema durante la producci\u00f3n.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"1cy4f9q\" data-start=\"2713\" data-end=\"2740\">2. Fuente de iones de larga duraci\u00f3n<\/h3>\n<p data-start=\"2741\" data-end=\"2863\">Adopta un dise\u00f1o avanzado de fuente de iones con una vida \u00fatil de \u2265500 horas, lo que reduce significativamente el tiempo de inactividad y el coste de mantenimiento.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"4euk5j\" data-start=\"2870\" data-end=\"2903\">3. Capacidad de diagn\u00f3stico del haz<\/h3>\n<p data-start=\"2904\" data-end=\"2988\">Sistema de medici\u00f3n del perfil del haz 2D integrado, capaz de supervisar con precisi\u00f3n:<\/p>\n<ul data-start=\"2989\" data-end=\"3019\">\n<li data-section-id=\"1ct5xfp\" data-start=\"2989\" data-end=\"3003\">Anchura del haz<\/li>\n<li data-section-id=\"1vm2uvw\" data-start=\"3004\" data-end=\"3019\">Altura de la viga<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"3021\" data-end=\"3092\">Esto mejora la precisi\u00f3n de la implantaci\u00f3n y aumenta la repetibilidad del proceso.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"qq9ajq\" data-start=\"3099\" data-end=\"3132\">4. Alta eficiencia de producci\u00f3n<\/h3>\n<p data-start=\"3133\" data-end=\"3310\">La Ai80HC ofrece un rendimiento superior en m\u00e1s de 1,5 veces al de los sistemas convencionales, lo que la hace id\u00f3nea para entornos de fabricaci\u00f3n de semiconductores de gran volumen.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"1h2ge5m\" data-start=\"3317\" data-end=\"3357\">5. Funci\u00f3n de implante de patr\u00f3n avanzado<\/h3>\n<p data-start=\"3358\" data-end=\"3429\">Admite la implantaci\u00f3n de iones con patr\u00f3n, lo que permite la distribuci\u00f3n de dosis en:<\/p>\n<ul data-start=\"3430\" data-end=\"3488\">\n<li data-section-id=\"fqh2r6\" data-start=\"3430\" data-end=\"3450\">Regiones circulares<\/li>\n<li data-section-id=\"1aoby05\" data-start=\"3451\" data-end=\"3488\">Segmentaci\u00f3n de obleas por cuadrantes<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"3490\" data-end=\"3502\">Esto permite:<\/p>\n<ul data-start=\"3503\" data-end=\"3617\">\n<li data-section-id=\"chxy3y\" data-start=\"3503\" data-end=\"3552\">M\u00faltiples condiciones de proceso en una sola oblea<\/li>\n<li data-section-id=\"z1xkzj\" data-start=\"3553\" data-end=\"3589\">Reducci\u00f3n del coste de desarrollo del proceso<\/li>\n<li data-section-id=\"15uh0gh\" data-start=\"3590\" data-end=\"3617\">Mejora de la eficacia de la I+D<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"3619\" data-end=\"3780\">Ejemplo: Una \u00fanica oblea puede recibir simult\u00e1neamente cuatro condiciones de implantaci\u00f3n diferentes en cuatro cuadrantes, lo que acelera considerablemente la optimizaci\u00f3n del proceso.<\/p>\n<h2 data-section-id=\"18zz1hm\" data-start=\"3787\" data-end=\"3810\">Aplicaci\u00f3n<\/h2>\n<ul data-start=\"3812\" data-end=\"4005\">\n<li data-section-id=\"16inq9u\" data-start=\"3812\" data-end=\"3839\">Fabricaci\u00f3n de dispositivos CMOS<\/li>\n<li data-section-id=\"xjegvm\" data-start=\"3840\" data-end=\"3875\">Fabricaci\u00f3n de circuitos integrados l\u00f3gicos avanzados<\/li>\n<li data-section-id=\"1xlm3tz\" data-start=\"3876\" data-end=\"3906\">Dopaje de semiconductores de potencia<\/li>\n<li data-section-id=\"1ursyu4\" data-start=\"3907\" data-end=\"3959\">Investigaci\u00f3n y desarrollo de l\u00edneas piloto de semiconductores<\/li>\n<li data-section-id=\"1k6v1m6\" data-start=\"3960\" data-end=\"4005\">Producci\u00f3n de circuitos integrados de silicio<\/li>\n<\/ul>\n<h2 data-section-id=\"1idaiwr\" data-start=\"58\" data-end=\"95\">Preguntas m\u00e1s frecuentes (FAQ)<\/h2>\n<h3 data-section-id=\"squ7m7\" data-start=\"97\" data-end=\"166\">1. Para qu\u00e9 tama\u00f1o de oblea est\u00e1 dise\u00f1ado el sistema Ai80HC (High Beam)?<\/h3>\n<p data-start=\"167\" data-end=\"381\">El sistema de implantaci\u00f3n i\u00f3nica Ai80HC (High Beam) est\u00e1 dise\u00f1ado para l\u00edneas de producci\u00f3n de obleas de silicio de 12 pulgadas, lo que lo hace id\u00f3neo para la fabricaci\u00f3n avanzada de semiconductores y la fabricaci\u00f3n de circuitos integrados de gran volumen.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"foelcb\" data-start=\"388\" data-end=\"458\">2. \u00bfCu\u00e1l es la gama energ\u00e9tica y la capacidad de proceso de este sistema?<\/h3>\n<p data-start=\"459\" data-end=\"716\">El sistema funciona en un intervalo de energ\u00eda de 0,5 keV a 80 keV y admite la implantaci\u00f3n superficial y de profundidad media. Es compatible con los procesos LSI, incluida la formaci\u00f3n de uniones poco profundas y la ingenier\u00eda de fuente\/drenaje en estructuras de dispositivos avanzados.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"jluc3f\" data-start=\"723\" data-end=\"792\">3. \u00bfQu\u00e9 nivel de precisi\u00f3n y estabilidad ofrece el sistema?<\/h3>\n<p data-start=\"793\" data-end=\"850\">Ai80HC (High Beam) garantiza una alta consistencia del proceso con:<\/p>\n<ul data-start=\"851\" data-end=\"965\">\n<li data-section-id=\"8ldlzj\" data-start=\"851\" data-end=\"878\">Precisi\u00f3n del \u00e1ngulo \u2264 0,1\u00b0.<\/li>\n<li data-section-id=\"nyztaj\" data-start=\"879\" data-end=\"905\">Uniformidad (1\u03c3) \u2264 1%<\/li>\n<li data-section-id=\"ai4v3y\" data-start=\"906\" data-end=\"935\">Repetibilidad (1\u03c3) \u2264 1%<\/li>\n<li data-section-id=\"1hjdqzq\" data-start=\"936\" data-end=\"965\">Paralelismo del haz \u2264 0,3\u00b0.<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"967\" data-end=\"1069\">Estas especificaciones garantizan un rendimiento estable de oblea a oblea y una producci\u00f3n de semiconductores de alto rendimiento.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>El sistema de implantaci\u00f3n i\u00f3nica de la serie Ai80HC (High Beam) es un implantador i\u00f3nico de alta corriente dise\u00f1ado espec\u00edficamente para l\u00edneas de producci\u00f3n de semiconductores de obleas de silicio de 12 pulgadas. Est\u00e1 dise\u00f1ado para procesos avanzados de dopaje de precisi\u00f3n en la fabricaci\u00f3n moderna de circuitos integrados, ofreciendo un rendimiento estable del haz, una alta repetibilidad del proceso y una excelente precisi\u00f3n en el control de la dosis.<\/p>","protected":false},"featured_media":2343,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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