{"id":2196,"date":"2026-04-14T06:34:45","date_gmt":"2026-04-14T06:34:45","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2196"},"modified":"2026-04-14T06:34:48","modified_gmt":"2026-04-14T06:34:48","slug":"2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/product\/2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer\/","title":{"rendered":"Oblea de carburo de silicio 6H-N de 2 pulgadas"},"content":{"rendered":"

\"ObleaLa oblea de carburo de silicio 6H-N de 2 pulgadas es un sustrato monocristalino dise\u00f1ado tanto para aplicaciones de investigaci\u00f3n como de dispositivos. El politipo 6H presenta una estructura cristalina hexagonal que proporciona una conductividad el\u00e9ctrica estable y un buen rendimiento t\u00e9rmico en condiciones exigentes.<\/p>\n

Con un bandgap de aproximadamente 3,02 eV, el 6H-SiC permite el funcionamiento en entornos en los que los materiales de silicio tradicionales fallan, especialmente en condiciones de alta tensi\u00f3n, alta temperatura y alta frecuencia. Esto lo hace id\u00f3neo para la creaci\u00f3n de prototipos de dispositivos en fase inicial, el ensayo de materiales y la fabricaci\u00f3n de componentes electr\u00f3nicos especializados.<\/p>\n

Las obleas de SiC ZMSH se fabrican utilizando t\u00e9cnicas de crecimiento controlado de cristales para garantizar una resistividad constante, una baja densidad de defectos y una alta calidad superficial. Estos par\u00e1metros son fundamentales para garantizar resultados experimentales reproducibles y un rendimiento estable de los dispositivos.<\/p>\n

Caracter\u00edsticas principales<\/h2>\n

Estructura conductora de tipo N<\/h3>\n

La oblea est\u00e1 dopada como tipo N, lo que proporciona v\u00edas estables de conducci\u00f3n de electrones adecuadas para la fabricaci\u00f3n de dispositivos semiconductores y experimentos de caracterizaci\u00f3n el\u00e9ctrica.<\/p>\n

Material semiconductor de banda prohibida ancha<\/h3>\n

Con un bandgap de ~3,02 eV, el SiC soporta una intensidad de campo el\u00e9ctrico significativamente mayor que el silicio, lo que permite un funcionamiento a alto voltaje y una mayor eficiencia del dispositivo.<\/p>\n

Alta conductividad t\u00e9rmica<\/h3>\n

El SiC presenta una excelente conductividad t\u00e9rmica, lo que permite una disipaci\u00f3n eficaz del calor de las regiones activas del dispositivo. Esto mejora la fiabilidad del dispositivo y prolonga su vida \u00fatil en aplicaciones de alta potencia.<\/p>\n

Alta resistencia mec\u00e1nica<\/h3>\n

Con una dureza Mohs de aproximadamente 9,2, las obleas de SiC ofrecen una gran resistencia a los da\u00f1os mec\u00e1nicos, al desgaste superficial y a las tensiones de procesamiento durante la fabricaci\u00f3n.<\/p>\n

Alto campo el\u00e9ctrico de ruptura<\/h3>\n

La alta intensidad del campo de ruptura permite estructuras de dispositivos compactas manteniendo una alta tolerancia a la tensi\u00f3n, lo que hace que el SiC sea ideal para la electr\u00f3nica de potencia avanzada.<\/p>\n

Especificaciones t\u00e9cnicas<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Par\u00e1metro<\/th>\nEspecificaci\u00f3n<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Material<\/td>\nCarburo de silicio monocristalino<\/td>\n<\/tr>\n
Marca<\/td>\nZMSH<\/td>\n<\/tr>\n
Polytype<\/td>\n6H-N<\/td>\n<\/tr>\n
Di\u00e1metro<\/td>\n2 pulgadas (50,8 mm)<\/td>\n<\/tr>\n
Espesor<\/td>\n350 \u03bcm \/ 650 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Tipo de conductividad<\/td>\nTipo N<\/td>\n<\/tr>\n
Acabado superficial<\/td>\nCMP Cara Si pulida<\/td>\n<\/tr>\n
Tratamiento de la cara C<\/td>\nPulido mec\u00e1nico<\/td>\n<\/tr>\n
Rugosidad superficial<\/td>\nRa < 0,2 nm (cara Si)<\/td>\n<\/tr>\n
Resistividad<\/td>\n0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n
Color<\/td>\nTransparente \/ Verde claro<\/td>\n<\/tr>\n
Embalaje<\/td>\nContenedor de oblea individual<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Propiedades del material 6H-SiC<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Propiedad<\/th>\nValor<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Par\u00e1metros de red<\/td>\na = 3,073 \u00c5, c = 15,117 \u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
Dureza Mohs<\/td>\n\u2248 9.2<\/td>\n<\/tr>\n
Densidad<\/td>\n3,21 g\/cm\u00b3<\/td>\n<\/tr>\n
Coeficiente de dilataci\u00f3n t\u00e9rmica<\/td>\n4-5 \u00d710-\u2076 \/K<\/td>\n<\/tr>\n
\u00cdndice de refracci\u00f3n (750 nm)<\/td>\nn\u2080 = 2,60, n\u2091 = 2,65<\/td>\n<\/tr>\n
Constante diel\u00e9ctrica<\/td>\n\u2248 9.66<\/td>\n<\/tr>\n
Conductividad t\u00e9rmica<\/td>\n~3,7-3,9 W\/cm-K<\/td>\n<\/tr>\n
Bandgap<\/td>\n3,02 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Campo el\u00e9ctrico de ruptura<\/td>\n3-5 \u00d710\u2076 V\/cm<\/td>\n<\/tr>\n
Velocidad de deriva de saturaci\u00f3n<\/td>\n2,0 \u00d710\u2075 m\/s<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Estas propiedades f\u00edsicas intr\u00ednsecas hacen que el 6H-SiC sea adecuado para aplicaciones que requieren un rendimiento estable en condiciones el\u00e9ctricas y t\u00e9rmicas extremas.<\/p>\n

\"ObleaProceso de fabricaci\u00f3n<\/h2>\n

Las obleas monocristalinas de SiC se fabrican normalmente mediante el procedimiento M\u00e9todo de transporte f\u00edsico de vapor (PVT)<\/strong>, un proceso industrial maduro para el crecimiento de cristales semiconductores de banda ancha.<\/p>\n

En este proceso, el material fuente de SiC de gran pureza se sublima a temperaturas superiores a 2000\u00b0C. Las especies de vapor se transportan a trav\u00e9s de un gradiente t\u00e9rmico cuidadosamente controlado y se recristalizan en un cristal semilla, formando un lingote monocristalino (boule). Tras el crecimiento, el lingote se transforma en obleas mediante los pasos de corte, lapeado, pulido y limpieza.<\/p>\n

Para aplicaciones de dispositivos, las obleas pueden someterse a Crecimiento epitaxial por deposici\u00f3n qu\u00edmica en fase vapor (CVD)<\/strong>, que permite un control preciso de la concentraci\u00f3n de dopaje y del grosor de la capa. Este paso es esencial para la fabricaci\u00f3n de MOSFET y diodos.<\/p>\n

Aplicaciones<\/h2>\n

Electr\u00f3nica de potencia<\/h3>\n

Las obleas de SiC 6H-N de 2 pulgadas se utilizan en el desarrollo y la creaci\u00f3n de prototipos de dispositivos semiconductores de potencia, como diodos, estructuras MOSFET y m\u00f3dulos de potencia. Estos dispositivos son esenciales para los sistemas de conversi\u00f3n de energ\u00eda y los circuitos de gesti\u00f3n de potencia.<\/p>\n

Electr\u00f3nica de alta temperatura<\/h3>\n

Los materiales de SiC mantienen un rendimiento el\u00e9ctrico estable a temperaturas elevadas, lo que los hace adecuados para la electr\u00f3nica aeroespacial, los sistemas de control industrial y las aplicaciones de infraestructuras energ\u00e9ticas.<\/p>\n

Investigaci\u00f3n y desarrollo de semiconductores<\/h3>\n

Debido a su disponibilidad y rentabilidad, las obleas de 2 pulgadas se utilizan ampliamente en laboratorios universitarios, institutos de investigaci\u00f3n y entornos de producci\u00f3n piloto para estudios de materiales y experimentaci\u00f3n de dispositivos.<\/p>\n

Optoelectr\u00f3nica y aplicaciones especiales<\/h3>\n

El SiC tambi\u00e9n presenta transparencia \u00f3ptica en determinados rangos de longitud de onda, lo que permite su uso en aplicaciones especializadas de investigaci\u00f3n fot\u00f3nica y optoelectr\u00f3nica.<\/p>\n

Ventajas\"Oblea<\/h2>\n

La plataforma de obleas de SiC de 2 pulgadas ofrece varias ventajas para la investigaci\u00f3n y el desarrollo:<\/p>\n

    \n
  • Menor coste en comparaci\u00f3n con obleas de mayor tama\u00f1o<\/li>\n
  • Manejo m\u00e1s sencillo para experimentos a escala de laboratorio<\/li>\n
  • Adecuado para la creaci\u00f3n r\u00e1pida de prototipos y el ensayo de procesos<\/li>\n
  • Calidad de cristal estable para resultados reproducibles<\/li>\n
  • Opciones de personalizaci\u00f3n flexibles para las necesidades de investigaci\u00f3n<\/li>\n<\/ul>\n

    PREGUNTAS FRECUENTES<\/h2>\n

    P1: \u00bfCu\u00e1l es la diferencia entre 6H-SiC y 4H-SiC?<\/h3>\n

    El 6H-SiC y el 4H-SiC son diferentes tipos de cristal. El 4H-SiC ofrece generalmente una mayor movilidad de electrones y se utiliza ampliamente en dispositivos comerciales de potencia, mientras que el 6H-SiC ofrece un comportamiento el\u00e9ctrico estable y se utiliza habitualmente en investigaci\u00f3n y aplicaciones electr\u00f3nicas espec\u00edficas.<\/p>\n

    P2: \u00bfQu\u00e9 tratamiento superficial se aplica a la oblea?<\/h3>\n

    La cara de Si se pule mediante pulido mec\u00e1nico qu\u00edmico (CMP) para conseguir una calidad de superficie ultrasuave (Ra < 0,2 nm). La cara C se pule mec\u00e1nicamente para satisfacer diferentes requisitos de procesamiento.<\/p>\n

    P3: \u00bfSe pueden personalizar las especificaciones de las obleas?<\/h3>\n

    S\u00ed. ZMSH ofrece opciones de personalizaci\u00f3n que incluyen el grosor, la concentraci\u00f3n de dopaje, el rango de resistividad y la preparaci\u00f3n de la superficie seg\u00fan los requisitos del cliente.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    ZMSH suministra obleas de carburo de silicio (SiC) 6H-N de 2 pulgadas de alta calidad dise\u00f1adas para la investigaci\u00f3n de semiconductores, el desarrollo de electr\u00f3nica de potencia y la fabricaci\u00f3n de dispositivos electr\u00f3nicos de alto rendimiento. El carburo de silicio es un material semiconductor de banda prohibida ancha que ofrece propiedades el\u00e9ctricas, t\u00e9rmicas y mec\u00e1nicas superiores a las de los sustratos de silicio (Si) convencionales.<\/p>","protected":false},"featured_media":2197,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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