{"id":2183,"date":"2026-04-14T05:20:25","date_gmt":"2026-04-14T05:20:25","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2183"},"modified":"2026-04-14T05:20:28","modified_gmt":"2026-04-14T05:20:28","slug":"8-inch-sic-epitaxial-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/product\/8-inch-sic-epitaxial-wafer\/","title":{"rendered":"Oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas y 200 mm"},"content":{"rendered":"

\"ObleaLa oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas representa el \u00faltimo avance en tecnolog\u00eda de semiconductores de banda prohibida ancha. Construido sobre un sustrato de SiC de 200 mm con una capa epitaxial de alta calidad, este producto est\u00e1 dise\u00f1ado para soportar la fabricaci\u00f3n de dispositivos de potencia escalables y de alta eficiencia.<\/p>\n

En comparaci\u00f3n con los tama\u00f1os de oblea m\u00e1s peque\u00f1os, las obleas de SiC de 8 pulgadas aumentan significativamente la superficie \u00fatil, lo que permite una mayor producci\u00f3n de dispositivos por oblea y reduce el coste por chip. Esto las convierte en una soluci\u00f3n fundamental para las industrias que est\u00e1n en transici\u00f3n hacia la producci\u00f3n a gran escala de dispositivos de potencia de carburo de silicio.<\/p>\n

Las obleas epitaxiales de SiC combinan las ventajas intr\u00ednsecas del carburo de silicio, como la amplia banda prohibida, el elevado campo el\u00e9ctrico de ruptura y la excelente conductividad t\u00e9rmica, con capas epitaxiales controladas con precisi\u00f3n y adaptadas a la fabricaci\u00f3n de dispositivos. Estas obleas se utilizan ampliamente en MOSFET de nueva generaci\u00f3n, diodos Schottky y m\u00f3dulos de potencia integrados.<\/p>\n

\n

Especificaciones<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Par\u00e1metro<\/th>\nValor<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Di\u00e1metro<\/td>\n200 \u00b1 0,5 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Polytype<\/td>\n4H-SiC<\/td>\n<\/tr>\n
Tipo de conductividad<\/td>\nTipo N<\/td>\n<\/tr>\n
Espesor<\/td>\n700 \u00b1 50 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Acabado superficial<\/td>\nDoble cara CMP pulida<\/td>\n<\/tr>\n
Orientaci\u00f3n<\/td>\n4,0\u00b0 fuera del eje \u00b10,5<\/td>\n<\/tr>\n
Muesca<\/td>\nOrientaci\u00f3n est\u00e1ndar de la muesca<\/td>\n<\/tr>\n
Perfil del borde<\/td>\nChafl\u00e1n \/ Canto redondeado<\/td>\n<\/tr>\n
Rugosidad superficial<\/td>\nNivel subnanom\u00e9trico<\/td>\n<\/tr>\n
Embalaje<\/td>\nCassette o contenedor de oblea individual<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Resistividad t\u00edpica:<\/p>\n

    \n
  • Tipo N: 0,015-0,028 \u03a9-cm<\/li>\n
  • Semiaislante: \u22651E7 \u03a9-cm<\/li>\n<\/ul>\n

    Grados disponibles:<\/p>\n

      \n
    • Grado MPD cero<\/li>\n
    • Grado de producci\u00f3n<\/li>\n
    • Grado de investigaci\u00f3n<\/li>\n
    • Grado ficticio<\/li>\n<\/ul>\n

      \"ObleaCapacidades de la capa epitaxial<\/h2>\n

      La capa epitaxial se cultiva mediante una avanzada tecnolog\u00eda de deposici\u00f3n qu\u00edmica en fase vapor (CVD) que permite controlar con precisi\u00f3n el grosor, la concentraci\u00f3n de dopaje y la uniformidad.<\/p>\n

      La personalizaci\u00f3n disponible incluye:<\/p>\n

        \n
      • Capas epitaxiales de tipo N o de tipo P<\/li>\n
      • Grosor de epi ajustable para diferentes estructuras de dispositivos<\/li>\n
      • Perfiles de dopaje uniformes en toda la oblea<\/li>\n
      • Baja densidad de defectos para un alto rendimiento del dispositivo<\/li>\n<\/ul>\n

        La epitaxia de alta calidad es esencial para lograr un rendimiento el\u00e9ctrico estable y una fiabilidad a largo plazo en los dispositivos de potencia.<\/p>\n

        \"ObleaProceso de fabricaci\u00f3n<\/h2>\n

        Preparaci\u00f3n del sustrato<\/strong>
        Los sustratos de SiC monocristalino de gran pureza se fabrican mediante m\u00e9todos de crecimiento a alta temperatura y se pulen para conseguir una rugosidad superficial ultrabaja.<\/p>\n

        Crecimiento epitaxial<\/strong>
        La capa epitaxial se deposita a alta temperatura mediante sistemas CVD, lo que garantiza un grosor uniforme y unas propiedades del material homog\u00e9neas en toda la oblea de 200 mm.<\/p>\n

        Control antidopaje<\/strong>
        Durante el crecimiento epitaxial se aplica un dopaje preciso para satisfacer los requisitos de diferentes arquitecturas de dispositivos.<\/p>\n

        Metrolog\u00eda e inspecci\u00f3n<\/strong>
        Cada oblea se somete a pruebas exhaustivas, como an\u00e1lisis de superficie, mapeo de defectos y caracterizaci\u00f3n el\u00e9ctrica, para garantizar una calidad constante.<\/p>\n

        Ventajas<\/h2>\n

        Fabricaci\u00f3n escalable<\/strong>
        El tama\u00f1o de oblea de 8 pulgadas aumenta significativamente la producci\u00f3n de chips por oblea, mejorando la eficiencia de la producci\u00f3n y reduciendo el coste por dispositivo.<\/p>\n

        Alto rendimiento<\/strong>
        Las propiedades del material SiC permiten reducir las p\u00e9rdidas de conmutaci\u00f3n, aumentar la densidad de potencia y mejorar la eficiencia energ\u00e9tica.<\/p>\n

        Excelente gesti\u00f3n t\u00e9rmica<\/strong>
        Su elevada conductividad t\u00e9rmica favorece un funcionamiento estable en condiciones de alta potencia y reduce las necesidades de refrigeraci\u00f3n.<\/p>\n

        Baja densidad de defectos<\/strong>
        Los avanzados procesos de crecimiento cristalino y epitaxial garantizan un alto rendimiento y unas prestaciones fiables de los dispositivos.<\/p>\n

        Plataforma preparada para el futuro<\/strong>
        Las obleas de SiC de 8 pulgadas se ajustan a la tendencia de la industria de semiconductores hacia formatos de oblea m\u00e1s grandes y la producci\u00f3n en masa automatizada.<\/p>\n

        \"\"<\/p>\n

        Aplicaciones<\/h2>\n

        Veh\u00edculos el\u00e9ctricos<\/strong>
        Se utiliza en inversores de tracci\u00f3n, cargadores de a bordo y convertidores CC-CC. El mayor tama\u00f1o de las obleas permite la producci\u00f3n en masa de dispositivos de alimentaci\u00f3n de alta eficiencia para plataformas de veh\u00edculos el\u00e9ctricos.<\/p>\n

        Sistemas de energ\u00eda renovable<\/strong>
        Se aplica en inversores solares y convertidores e\u00f3licos, donde la eficiencia y la fiabilidad son fundamentales para un funcionamiento a largo plazo.<\/p>\n

        Electr\u00f3nica de potencia industrial<\/strong>
        Admite accionamientos de motores, sistemas de automatizaci\u00f3n y equipos de alta potencia que requieren una conversi\u00f3n de energ\u00eda estable y eficiente.<\/p>\n

        5G e infraestructura de radiofrecuencia<\/strong>
        Permite componentes de RF de alta frecuencia y potencia utilizados en sistemas de comunicaci\u00f3n y estaciones base.<\/p>\n

        Electr\u00f3nica de consumo<\/strong>
        Se utiliza en fuentes de alimentaci\u00f3n compactas de alta eficiencia y en sistemas de carga r\u00e1pida.<\/p>\n

        PREGUNTAS FRECUENTES<\/h2>\n

        P1: \u00bfCu\u00e1l es la principal ventaja de las obleas de SiC de 8 pulgadas?
        El mayor tama\u00f1o de las obleas aumenta el n\u00famero de chips por oblea, lo que reduce significativamente el coste de fabricaci\u00f3n por dispositivo y mejora la eficiencia de la producci\u00f3n.<\/p>\n

        P2: \u00bfEst\u00e1 madura la tecnolog\u00eda SiC de 8 pulgadas?
        En la actualidad est\u00e1 pasando de la producci\u00f3n piloto a la producci\u00f3n en serie en fase inicial, con una adopci\u00f3n cada vez mayor en la fabricaci\u00f3n de semiconductores avanzados.<\/p>\n

        P3: \u00bfSe pueden personalizar las capas epitaxiales?
        S\u00ed, el tipo de dopaje, el grosor y las propiedades el\u00e9ctricas pueden adaptarse a los requisitos espec\u00edficos de cada dispositivo.<\/p>\n

        P4: \u00bfSon compatibles las l\u00edneas de producci\u00f3n existentes con las obleas de 8 pulgadas?
        Es posible que sea necesario actualizar algunos equipos, pero muchas f\u00e1bricas modernas ya se est\u00e1n preparando para procesar SiC de 200 mm.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

        La oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas representa el \u00faltimo avance en tecnolog\u00eda de semiconductores de banda prohibida ancha. 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