{"id":2173,"date":"2026-04-14T03:08:56","date_gmt":"2026-04-14T03:08:56","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2173"},"modified":"2026-04-14T03:08:59","modified_gmt":"2026-04-14T03:08:59","slug":"4-inch-100mm-hpsi-silicon-carbide-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/product\/4-inch-100mm-hpsi-silicon-carbide-wafer\/","title":{"rendered":"Oblea de carburo de silicio HPSI de 4 pulgadas y 100 mm"},"content":{"rendered":"

\"ObleaLa oblea de carburo de silicio HPSI de 4 pulgadas es un sustrato semiaislante de gran pureza dise\u00f1ado para aplicaciones avanzadas de RF, microondas y optoelectr\u00f3nica. HPSI es un material semiaislante de gran pureza, caracterizado por una resistividad extremadamente alta y un excelente aislamiento el\u00e9ctrico.<\/p>\n

El carburo de silicio es un semiconductor de banda prohibida ancha compuesto de silicio y carbono. En comparaci\u00f3n con las obleas de silicio convencionales, ofrece una conductividad t\u00e9rmica superior, un mayor campo el\u00e9ctrico de ruptura y un mejor rendimiento en condiciones de funcionamiento extremas. En forma de semiaislante, el SiC reduce significativamente la conducci\u00f3n par\u00e1sita, lo que lo convierte en una plataforma ideal para dispositivos electr\u00f3nicos de alta frecuencia y potencia.<\/p>\n

Este formato de oblea de 4 pulgadas se utiliza ampliamente tanto en investigaci\u00f3n como en producci\u00f3n industrial debido a su equilibrio entre coste, madurez y compatibilidad de procesos. Es especialmente adecuado para dispositivos de radiofrecuencia, sistemas de comunicaci\u00f3n 5G, m\u00f3dulos de radar y tecnolog\u00edas \u00f3pticas emergentes, como los componentes de gu\u00eda de ondas AR.<\/p>\n

Especificaciones<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Par\u00e1metro<\/th>\nValor<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Di\u00e1metro<\/td>\n100 \u00b1 0,5 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Espesor<\/td>\n350 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Material<\/td>\nSiC monocristalino<\/td>\n<\/tr>\n
Tipo<\/td>\nHPSI (semiaislante)<\/td>\n<\/tr>\n
Resistividad<\/td>\n\u22651E5 a \u22651E10 ohm-cm<\/td>\n<\/tr>\n
Rugosidad superficial<\/td>\nCMP Ra \u2264 0,2 nm<\/td>\n<\/tr>\n
TTV<\/td>\n\u2264 10 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Warp<\/td>\n\u2264 30 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Orientaci\u00f3n<\/td>\nOpciones en el eje o fuera del eje<\/td>\n<\/tr>\n
Borde<\/td>\nBisel est\u00e1ndar SEMI<\/td>\n<\/tr>\n
Grado<\/td>\nProducci\u00f3n \/ Investigaci\u00f3n \/ Dummy<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Estos par\u00e1metros garantizan la alta calidad de la superficie, la baja densidad de defectos y las propiedades mec\u00e1nicas estables necesarias para el crecimiento epitaxial y la fabricaci\u00f3n de dispositivos de precisi\u00f3n.<\/p>\n

Caracter\u00edsticas de los materiales\"\"<\/h2>\n

El carburo de silicio es uno de los materiales semiconductores de tercera generaci\u00f3n m\u00e1s importantes. Su amplia banda prohibida permite que los dispositivos funcionen a voltajes m\u00e1s altos con menores corrientes de fuga que los de silicio.<\/p>\n

En el caso de las obleas HPSI, la caracter\u00edstica que las define es su alt\u00edsima resistividad. Esta propiedad minimiza el flujo de corriente no deseada dentro del sustrato, lo que es fundamental para mantener la integridad de la se\u00f1al en aplicaciones de RF y microondas.<\/p>\n

La conductividad t\u00e9rmica es significativamente superior a la de los materiales semiconductores tradicionales, lo que permite una disipaci\u00f3n eficaz del calor durante el funcionamiento a alta potencia. Esto reduce el estr\u00e9s t\u00e9rmico y mejora la fiabilidad a largo plazo.<\/p>\n

El SiC tambi\u00e9n presenta un elevado campo el\u00e9ctrico de ruptura, lo que permite a los dispositivos manejar altos voltajes sin aumentar su tama\u00f1o. Adem\u00e1s, el material mantiene un rendimiento estable en condiciones de alta temperatura, alta frecuencia y exposici\u00f3n a radiaciones, lo que lo hace adecuado para entornos exigentes.<\/p>\n

Aplicaciones<\/h2>\n

Dispositivos de RF y microondas<\/strong>
Las obleas de carburo de silicio HPSI se utilizan ampliamente como sustratos para amplificadores de RF y circuitos de alta frecuencia. Su alta resistividad reduce las p\u00e9rdidas par\u00e1sitas y mejora la eficiencia de la transmisi\u00f3n de se\u00f1ales, lo que las hace esenciales para la electr\u00f3nica de comunicaciones avanzada.<\/p>\n

Infraestructura de comunicaci\u00f3n 5G<\/strong>
En los sistemas 5G, los dispositivos funcionan a frecuencias m\u00e1s altas y requieren materiales con un excelente aislamiento el\u00e9ctrico. Las obleas de SiC HPSI favorecen un rendimiento estable en estaciones base y m\u00f3dulos inal\u00e1mbricos, lo que permite aumentar la eficiencia de la transmisi\u00f3n de datos y reducir la p\u00e9rdida de energ\u00eda.<\/p>\n

Gafas AR y sistemas \u00f3pticos<\/strong>
En los dispositivos de realidad aumentada, las obleas de SiC se utilizan en componentes \u00f3pticos y relacionados con gu\u00edas de ondas. Su estabilidad estructural y compatibilidad con tecnolog\u00edas de procesamiento de precisi\u00f3n favorecen el desarrollo de sistemas \u00f3pticos compactos y de alto rendimiento.<\/p>\n

Radares y sistemas de defensa<\/strong>
Los sustratos HPSI SiC son adecuados para radares y electr\u00f3nica de defensa que requieren alta potencia, alta frecuencia y fiabilidad. Mantienen un funcionamiento estable en condiciones ambientales extremas, incluidas las altas temperaturas y la radiaci\u00f3n.<\/p>\n

Dispositivos optoelectr\u00f3nicos<\/strong>
Estas obleas tambi\u00e9n se utilizan en dispositivos optoelectr\u00f3nicos y fot\u00f3nicos en los que el aislamiento el\u00e9ctrico y el rendimiento t\u00e9rmico son fundamentales para la eficacia y estabilidad del dispositivo.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

Grados disponibles<\/h2>\n

Grado de producci\u00f3n
Se utiliza para la fabricaci\u00f3n de dispositivos comerciales con un estricto control de calidad y baja densidad de defectos.<\/p>\n

Grado de investigaci\u00f3n
Adecuado para desarrollo en laboratorio, pruebas y optimizaci\u00f3n de procesos.<\/p>\n

Grado ficticio
Se aplica en la calibraci\u00f3n de equipos, pruebas de procesos y uso no funcional.<\/p>\n

Comparaci\u00f3n Si vs SiC<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Propiedad<\/th>\nSilicio<\/th>\nCarburo de silicio<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Bandgap<\/td>\n1,12 eV<\/td>\n~3,26 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Resistividad<\/td>\nBajo<\/td>\nMuy alto (HPSI)<\/td>\n<\/tr>\n
Conductividad t\u00e9rmica<\/td>\nModerado<\/td>\nAlta<\/td>\n<\/tr>\n
Capacidad de frecuencia<\/td>\nLimitado<\/td>\nExcelente<\/td>\n<\/tr>\n
Enfoque de la aplicaci\u00f3n<\/td>\nL\u00f3gica e IC<\/td>\nRF y alta frecuencia<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

El silicio sigue dominando la electr\u00f3nica convencional, mientras que el carburo de silicio se utiliza cada vez m\u00e1s en sistemas de alta frecuencia y alto rendimiento.<\/p>\n

PREGUNTAS FRECUENTES<\/h2>\n

P: \u00bfQu\u00e9 es una oblea de carburo de silicio HPSI?
Una oblea HPSI es un sustrato de carburo de silicio semiaislante de alta pureza con una resistividad el\u00e9ctrica muy elevada, dise\u00f1ado para aplicaciones de RF, microondas y optoelectr\u00f3nica.<\/p>\n

P: \u00bfPor qu\u00e9 es importante una alta resistividad?
La alta resistividad reduce la conducci\u00f3n par\u00e1sita y las interferencias de se\u00f1al, lo que resulta cr\u00edtico para mantener la eficiencia y la integridad de la se\u00f1al en dispositivos de alta frecuencia.<\/p>\n

P: \u00bfEs adecuado el carburo de silicio para aplicaciones \u00f3pticas?
S\u00ed, el carburo de silicio puede utilizarse en determinadas aplicaciones \u00f3pticas y fot\u00f3nicas debido a su estabilidad t\u00e9rmica y compatibilidad con procesos de fabricaci\u00f3n avanzados.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

La oblea de carburo de silicio HPSI de 4 pulgadas es un material clave para los sistemas electr\u00f3nicos de alta frecuencia y de pr\u00f3xima generaci\u00f3n. Su combinaci\u00f3n de alta resistividad, rendimiento t\u00e9rmico y estabilidad estructural lo convierte en la opci\u00f3n ideal para dispositivos de radiofrecuencia, infraestructuras de comunicaci\u00f3n y tecnolog\u00edas \u00f3pticas emergentes. A medida que crece la demanda de sistemas de alta eficiencia y alta frecuencia, los sustratos de SiC HPSI adquieren cada vez m\u00e1s importancia en las aplicaciones de semiconductores avanzados.<\/p>","protected":false},"featured_media":2174,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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