{"id":2167,"date":"2026-04-14T02:28:42","date_gmt":"2026-04-14T02:28:42","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2167"},"modified":"2026-04-14T02:28:45","modified_gmt":"2026-04-14T02:28:45","slug":"4-inch-4h-n-silicon-carbide-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/product\/4-inch-4h-n-silicon-carbide-wafer\/","title":{"rendered":"Oblea de carburo de silicio de 4 pulgadas 100 mm 4H-N"},"content":{"rendered":"

\"ObleaLa oblea de carburo de silicio 4H-N de 4 pulgadas es un sustrato de SiC conductor dise\u00f1ado para aplicaciones avanzadas de semiconductores de potencia. Se basa en el polit\u00edpo de cristal 4H, ampliamente reconocido en la industria por su rendimiento el\u00e9ctrico y t\u00e9rmico superior.<\/p>\n

El carburo de silicio pertenece a la tercera generaci\u00f3n de materiales semiconductores y ofrece importantes ventajas sobre el silicio tradicional. Su amplio bandgap, su elevado campo el\u00e9ctrico de ruptura y su excelente conductividad t\u00e9rmica lo hacen muy adecuado para dispositivos que funcionan en condiciones de alta tensi\u00f3n, alta frecuencia y alta temperatura.<\/p>\n

Esta oblea se utiliza habitualmente para fabricar dispositivos de potencia como MOSFET, diodos de barrera Schottky, JFET e IGBT. Estos dispositivos son componentes cr\u00edticos en los sistemas energ\u00e9ticos modernos, donde la eficiencia, la fiabilidad y el dise\u00f1o compacto son esenciales. El formato de 4 pulgadas ofrece un equilibrio entre la rentabilidad y el rendimiento de los dispositivos, por lo que es ampliamente adoptado tanto en entornos de investigaci\u00f3n como de producci\u00f3n industrial.<\/p>\n

Especificaciones<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Par\u00e1metro<\/th>\nValor<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Di\u00e1metro<\/td>\n100 \u00b1 0,5 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Espesor<\/td>\n350 \u00b1 25 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Polytype<\/td>\n4H<\/td>\n<\/tr>\n
Tipo de conductividad<\/td>\nTipo N<\/td>\n<\/tr>\n
Rugosidad superficial<\/td>\nRa \u2264 0,2 nm<\/td>\n<\/tr>\n
TTV<\/td>\n\u2264 10 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Warp<\/td>\n\u2264 30 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Densidad de defectos<\/td>\nMPD < 1 ea\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n
Borde<\/td>\nBisel de 45\u00b0, norma SEMI<\/td>\n<\/tr>\n
Grado<\/td>\nProducci\u00f3n \/ Investigaci\u00f3n \/ Dummy<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Estos par\u00e1metros garantizan una alta calidad superficial y estabilidad dimensional, esenciales para el crecimiento epitaxial y los procesos de fabricaci\u00f3n de dispositivos.<\/p>\n

Caracter\u00edsticas de los materiales<\/h2>\n

El carburo de silicio presenta una amplia banda prohibida (bandgap) de aproximadamente 3,26 eV, lo que permite que los dispositivos funcionen a tensiones mucho m\u00e1s altas que los de silicio. Esto se traduce en una mejora de la capacidad de manejo de potencia y una reducci\u00f3n de las p\u00e9rdidas por conducci\u00f3n.\"\"<\/p>\n

Otra propiedad importante es su elevado campo el\u00e9ctrico de ruptura, que puede ser casi diez veces mayor que el del silicio. Esto permite estructuras de dispositivos m\u00e1s delgadas y una mayor eficiencia en los sistemas de conversi\u00f3n de energ\u00eda.<\/p>\n

La conductividad t\u00e9rmica tambi\u00e9n es una ventaja clave. El SiC conduce el calor unas tres veces m\u00e1s eficazmente que el silicio, lo que permite a los dispositivos mantener un rendimiento estable en condiciones de carga elevada. Esto reduce la necesidad de complejos sistemas de refrigeraci\u00f3n y mejora la fiabilidad general del sistema.<\/p>\n

Adem\u00e1s, el carburo de silicio mantiene unas caracter\u00edsticas el\u00e9ctricas estables a temperaturas superiores a 600\u00b0C. Esto lo hace especialmente adecuado para aplicaciones en entornos dif\u00edciles, como los sistemas de alimentaci\u00f3n de autom\u00f3viles, los accionamientos industriales y la electr\u00f3nica aeroespacial.<\/p>\n

El material tambi\u00e9n ofrece una alta movilidad de electrones y una baja resistencia a la conexi\u00f3n, lo que contribuye a acelerar la velocidad de conmutaci\u00f3n y reducir la p\u00e9rdida de energ\u00eda en los dispositivos de potencia.<\/p>\n

Tama\u00f1os de oblea disponibles<\/h2>\n

Las obleas de carburo de silicio est\u00e1n disponibles en m\u00faltiples di\u00e1metros para satisfacer las distintas necesidades de aplicaci\u00f3n:<\/p>\n

\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Talla<\/th>\nDi\u00e1metro<\/th>\nGama de espesores<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
2 pulgadas<\/td>\n50,8 mm<\/td>\n330-350 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
3 pulgadas<\/td>\n76,2 mm<\/td>\n350-500 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
4 pulgadas<\/td>\n100 mm<\/td>\n350-500 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
6 pulgadas<\/td>\n150 mm<\/td>\n350-500 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
8 pulgadas<\/td>\n200 mm<\/td>\n350-500 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Entre los tipos m\u00e1s comunes se encuentran el 4H-N conductivo, el HPSI semiaislante y otras variantes especializadas para aplicaciones de RF y potencia.<\/p>\n

Aplicaciones<\/h2>\n

En los veh\u00edculos el\u00e9ctricos, las obleas de SiC se utilizan en inversores de tracci\u00f3n, cargadores de a bordo y convertidores CC-CC. Mejoran la eficiencia energ\u00e9tica, reducen la generaci\u00f3n de calor y permiten dise\u00f1ar sistemas m\u00e1s compactos.\"\"<\/p>\n

En los sistemas de energ\u00edas renovables, los dispositivos de SiC se aplican en inversores solares y convertidores e\u00f3licos. Su alta eficiencia contribuye a reducir las p\u00e9rdidas de energ\u00eda y a mejorar el rendimiento del sistema.<\/p>\n

Los sistemas industriales tambi\u00e9n se benefician de la tecnolog\u00eda SiC, especialmente en accionamientos de motores de alta potencia y equipos de automatizaci\u00f3n en los que la fiabilidad y la durabilidad son fundamentales.<\/p>\n

En la infraestructura de las redes el\u00e9ctricas, el carburo de silicio se utiliza en sistemas de redes inteligentes y equipos de transmisi\u00f3n de alta tensi\u00f3n para mejorar la eficiencia de conversi\u00f3n de la energ\u00eda y reducir las p\u00e9rdidas del sistema.<\/p>\n

Las aplicaciones aeroespaciales y de defensa utilizan SiC para componentes electr\u00f3nicos de alta fiabilidad que deben funcionar en condiciones ambientales y de temperatura extremas.<\/p>\n

Comparaci\u00f3n Si vs SiC<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Propiedad<\/th>\nSilicio<\/th>\nCarburo de silicio<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Bandgap<\/td>\n1,12 eV<\/td>\n3,26 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Campo de desglose<\/td>\nBajo<\/td>\nAlta<\/td>\n<\/tr>\n
Conductividad t\u00e9rmica<\/td>\nModerado<\/td>\nAlta<\/td>\n<\/tr>\n
Temperatura m\u00e1xima<\/td>\n~150\u00b0C<\/td>\n>600\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
Eficacia<\/td>\nEst\u00e1ndar<\/td>\nAlta<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

El silicio sigue siendo adecuado para la electr\u00f3nica convencional y de baja potencia, mientras que el carburo de silicio se prefiere cada vez m\u00e1s para los sistemas de alta potencia y eficacia.<\/p>\n

PREGUNTAS FRECUENTES<\/h2>\n

P: \u00bfCu\u00e1l es la diferencia entre las obleas de silicio y las de carburo de silicio?<\/strong>
Las obleas de silicio se utilizan ampliamente en circuitos integrados y dispositivos electr\u00f3nicos est\u00e1ndar. Las obleas de carburo de silicio est\u00e1n dise\u00f1adas para la electr\u00f3nica de potencia, donde se requieren alta tensi\u00f3n, alta temperatura y alta eficiencia.<\/p>\n

P: \u00bfEn qu\u00e9 se diferencia el SiC del GaN?<\/strong>
El SiC se utiliza normalmente en aplicaciones de alta tensi\u00f3n y alta potencia, como veh\u00edculos el\u00e9ctricos y redes el\u00e9ctricas. El GaN es m\u00e1s adecuado para aplicaciones de alta frecuencia y bajo voltaje, como los sistemas de RF y los dispositivos de carga r\u00e1pida.<\/p>\n

P: \u00bfEl carburo de silicio es una cer\u00e1mica o un semiconductor?<\/strong>
El carburo de silicio es a la vez una cer\u00e1mica y un semiconductor. Combina una gran resistencia mec\u00e1nica con excelentes propiedades el\u00e9ctricas, lo que lo hace id\u00f3neo para aplicaciones electr\u00f3nicas exigentes.<\/p>\n

","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

La oblea de carburo de silicio 4H-N de 4 pulgadas es un material clave para la electr\u00f3nica de potencia moderna. Su combinaci\u00f3n de eficiencia el\u00e9ctrica, rendimiento t\u00e9rmico y fiabilidad lo convierten en un sustrato esencial para los dispositivos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n. A medida que las industrias siguen exigiendo una mayor eficiencia energ\u00e9tica y rendimiento de los sistemas, las obleas de SiC adquieren cada vez m\u00e1s importancia en las aplicaciones comerciales e industriales.<\/p>","protected":false},"featured_media":2168,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[729],"product_tag":[930,929,935,931,932,934,933,928,927,692],"class_list":{"0":"post-2167","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-wafer","7":"product_tag-4-inch-sic-wafer","8":"product_tag-4h-n-sic","9":"product_tag-ev-power-electronics-material","10":"product_tag-n-type-sic-wafer","11":"product_tag-power-semiconductor-material","12":"product_tag-schottky-diode-substrate","13":"product_tag-sic-mosfet-wafer","14":"product_tag-sic-substrate","15":"product_tag-silicon-carbide-wafer","16":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor","17":"desktop-align-left","18":"tablet-align-left","19":"mobile-align-left","20":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","21":"ast-product-tabs-layout-horizontal","23":"first","24":"instock","25":"shipping-taxable","26":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2167","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2167"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2167\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2172,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2167\/revisions\/2172"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2168"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2167"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2167"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2167"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2167"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}