![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262693-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x199.webp\")
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El horno de crecimiento de monocristales de carburo de silicio ZMSH es un sistema de crecimiento de cristales a alta temperatura dise\u00f1ado espec\u00edficamente para la producci\u00f3n de monocristales de carburo de silicio de gran di\u00e1metro, que admite la fabricaci\u00f3n de obleas de carburo de silicio de 6, 8 y 12 pulgadas.<\/p>\n
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uring.<\/p>\n
El horno se ha dise\u00f1ado bas\u00e1ndose en el principio de crecimiento de cristales por transporte f\u00edsico de vapor (PVT), integrando un control preciso del calentamiento por resistencia, una distribuci\u00f3n estable del campo t\u00e9rmico, una gesti\u00f3n del entorno de alto vac\u00edo y una regulaci\u00f3n precisa de la presi\u00f3n.
Esta configuraci\u00f3n permite el crecimiento de monocristales de SiC de alta pureza y baja densidad de defectos adecuados para aplicaciones avanzadas de semiconductores de potencia y dispositivos electr\u00f3nicos.<\/p>\n
El sistema se ha desarrollado para cumplir los requisitos de la producci\u00f3n industrial, garantizando la estabilidad del proceso, la repetibilidad y la fiabilidad operativa a largo plazo en entornos de crecimiento de cristales de SiC a gran escala.<\/p>\n
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El horno adopta una estructura de calentamiento por resistencia multizona para lograr una distribuci\u00f3n axial y radial uniforme de la temperatura. Esto minimiza los gradientes t\u00e9rmicos, reduce la tensi\u00f3n interna y mejora la integridad estructural del cristal durante el proceso de crecimiento.<\/p>\n
Temperatura m\u00e1xima de funcionamiento hasta 2500\u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
Precisi\u00f3n del control de temperatura: \u00b11\u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
Amplio rango de regulaci\u00f3n de presi\u00f3n: 1-700 mbar<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Estos par\u00e1metros proporcionan un entorno termodin\u00e1mico estable esencial para la sublimaci\u00f3n controlada, el transporte de vapor y la recristalizaci\u00f3n de cristales en el crecimiento del SiC.<\/p>\n
Con un di\u00e1metro de crisol de 900 mm, el sistema admite el crecimiento de lingotes de SiC de 8 y 12 pulgadas de nueva generaci\u00f3n, lo que permite a los fabricantes escalar la producci\u00f3n al tiempo que mejoran el rendimiento y la consistencia de las obleas.<\/p>\n
El horno mantiene una c\u00e1mara de crecimiento de bajo nivel de fugas y alto vac\u00edo, lo que garantiza un menor riesgo de contaminaci\u00f3n, una mayor pureza de los cristales y un funcionamiento estable de larga duraci\u00f3n.<\/p>\n
![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262670-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x300.webp\")
<\/h2>\n<\/p>\n
Sustratos semiconductores de potencia<\/p>\n<\/li>\n
M\u00f3dulos de potencia para veh\u00edculos el\u00e9ctricos<\/p>\n<\/li>\n
Dispositivos MOSFET y diodos de alta tensi\u00f3n<\/p>\n<\/li>\n
Sistemas de conversi\u00f3n de energ\u00eda renovable<\/p>\n<\/li>\n
Componentes electr\u00f3nicos de alta frecuencia y RF<\/p>\n<\/li>\n
Electr\u00f3nica de potencia industrial<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
<\/p>\n
<\/p>\n
| No.<\/th>\n | Especificaci\u00f3n<\/th>\n | Detalles<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| 1<\/td>\n | Modelo<\/td>\n | PVT-RS-40<\/td>\n<\/tr>\n |
| 2<\/td>\n | Dimensiones del horno (L \u00d7 A \u00d7 A)<\/td>\n | 2500 \u00d7 2400 \u00d7 3456 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 3<\/td>\n | Di\u00e1metro del crisol<\/td>\n | 900 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 4<\/td>\n | Presi\u00f3n de vac\u00edo m\u00e1xima<\/td>\n | 6 \u00d7 10-\u2074 Pa (tras 1,5 h de vac\u00edo)<\/td>\n<\/tr>\n |
| 5<\/td>\n | Tasa de fuga<\/td>\n | \u22645 Pa \/ 12 h (horneado)<\/td>\n<\/tr>\n |
| 6<\/td>\n | Di\u00e1metro del eje de rotaci\u00f3n<\/td>\n | 50 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 7<\/td>\n | Velocidad de rotaci\u00f3n<\/td>\n | 0,5-5 rpm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 8<\/td>\n | M\u00e9todo de calentamiento<\/td>\n | Calefacci\u00f3n por resistencia el\u00e9ctrica<\/td>\n<\/tr>\n |
| 9<\/td>\n | Temperatura m\u00e1xima del horno<\/td>\n | 2500\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 10<\/td>\n | Potencia calor\u00edfica<\/td>\n | 40 kW \u00d7 2 + 20 kW<\/td>\n<\/tr>\n |
| 11<\/td>\n | Medici\u00f3n de la temperatura<\/td>\n | Pir\u00f3metro de infrarrojos de dos colores<\/td>\n<\/tr>\n |
| 12<\/td>\n | Temperatura<\/td>\n | 900-3000\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 13<\/td>\n | Precisi\u00f3n de temperatura<\/td>\n | \u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 14<\/td>\n | Rango de presi\u00f3n<\/td>\n | 1-700 mbar<\/td>\n<\/tr>\n |
| 15<\/td>\n | Precisi\u00f3n del control de presi\u00f3n<\/td>\n | \u00b10,5% escala completa<\/td>\n<\/tr>\n |
| 16<\/td>\n | Tipo de operaci\u00f3n<\/td>\n | Carga inferior, modos de seguridad manual o autom\u00e1tico<\/td>\n<\/tr>\n |
| 17<\/td>\n | Configuraciones opcionales<\/td>\n | Calefacci\u00f3n multizona, doble control de temperatura<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/h2>\n |