{"id":2504,"date":"2026-06-01T02:33:36","date_gmt":"2026-06-01T02:33:36","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2504"},"modified":"2026-06-01T02:38:59","modified_gmt":"2026-06-01T02:38:59","slug":"through-glass-via-tgv-technology","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/through-glass-via-tgv-technology\/","title":{"rendered":"Tecnolog\u00eda Through Glass Via (TGV): una soluci\u00f3n de interconexi\u00f3n fundamental para el encapsulado 2.5D\/3D de \u00faltima generaci\u00f3n y la integraci\u00f3n de chiplets"},"content":{"rendered":"

Con el r\u00e1pido crecimiento de la inform\u00e1tica basada en la inteligencia artificial, las comunicaciones 5G\/6G y las aplicaciones de radiofrecuencia de alta frecuencia, las interconexiones tradicionales basadas en silicio (TSV) se ven cada vez m\u00e1s limitadas por la p\u00e9rdida de se\u00f1al, el estr\u00e9s t\u00e9rmico y las restricciones de coste. En este contexto, Tecnolog\u00eda Through Glass Via (TGV)<\/strong> <\/mark>i<\/a>se perfila como un avance clave en el encapsulado avanzado de semiconductores.<\/p>\n\n\n\n

La tecnolog\u00eda TGV permite la interconexi\u00f3n el\u00e9ctrica vertical mediante la formaci\u00f3n y metalizaci\u00f3n de microv\u00edas en sustratos de vidrio ultrafinos. Se considera ampliamente una tecnolog\u00eda clave para el encapsulado 2.5D\/3D y las arquitecturas de chiplets.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

1. \u00bfQu\u00e9 es TGV (Through Glass Via)?<\/h2>\n\n\n\n

TGV se refiere al proceso de creaci\u00f3n de v\u00edas verticales a escala microm\u00e9trica (10-50 \u03bcm)<\/strong> en sustratos de vidrio ultrafinos (100\u2013700 \u03bcm)<\/strong> como el vidrio borosilicato o la s\u00edlice fundida, seguido de un proceso de metalizaci\u00f3n (normalmente un recubrimiento de cobre) para formar v\u00edas conductoras.<\/p>\n\n\n\n

Sustituye a los interpositores TSV (Through Silicon Via) tradicionales y ofrece ventajas como:<\/p>\n\n\n\n

    \n
  • Menor p\u00e9rdida de se\u00f1al<\/li>\n\n\n\n
  • Menor estr\u00e9s t\u00e9rmico<\/li>\n\n\n\n
  • Menor coste de fabricaci\u00f3n<\/li>\n\n\n\n
  • Mejor rendimiento en las frecuencias altas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    2. Principio b\u00e1sico de funcionamiento<\/h2>\n\n\n\n

    Una estructura t\u00edpica del TGV consta de:<\/p>\n\n\n\n

      \n
    • Sustrato de vidrio (soporte diel\u00e9ctrico)<\/strong><\/li>\n\n\n\n
    • Estructura de microv\u00edas verticales<\/strong><\/li>\n\n\n\n
    • V\u00edas conductoras rellenas de metal (cobre)<\/strong><\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      Estas estructuras permiten interconexiones verticales de alta densidad entre chips o m\u00f3dulos, lo que las hace especialmente adecuadas para la transmisi\u00f3n de se\u00f1ales de alta velocidad y alta frecuencia.<\/p>\n\n\n\n

      3. Flujo de trabajo est\u00e1ndar del TGV<\/h2>\n\n\n\n

      1) Preparaci\u00f3n del sustrato<\/h3>\n\n\n\n
        \n
      • Limpieza y secado<\/li>\n\n\n\n
      • Aplicaci\u00f3n de fotorresina \/ litograf\u00eda<\/li>\n\n\n\n
      • Eliminaci\u00f3n de contaminantes superficiales<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

        2) Perforaci\u00f3n de v\u00edas con l\u00e1ser (proceso clave)<\/h3>\n\n\n\n

        El procesamiento con l\u00e1ser ultrarr\u00e1pido (l\u00e1seres de picosegundos o femtosegundos) se utiliza para modificar las estructuras internas del vidrio:<\/p>\n\n\n\n

          \n
        • Provoca microfisuras o zonas alteradas<\/li>\n\n\n\n
        • Crea una relaci\u00f3n de aspecto elevada mediante canales<\/li>\n\n\n\n
        • Alcanza di\u00e1metros de hasta 3 \u03bcm<\/strong><\/li>\n\n\n\n
        • Relaci\u00f3n de aspecto de hasta 150:1<\/strong><\/li>\n\n\n\n
        • A trav\u00e9s de la uniformidad > 95%<\/strong><\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

          Este es el paso m\u00e1s importante en la fabricaci\u00f3n del TGV.<\/p>\n\n\n\n

          3) Grabado h\u00famedo y limpieza<\/h3>\n\n\n\n
            \n
          • Grabado qu\u00edmico con HF\/BHF<\/li>\n\n\n\n
          • Eliminaci\u00f3n de las zonas modificadas por l\u00e1ser<\/li>\n\n\n\n
          • Suavizado mediante las paredes laterales<\/li>\n\n\n\n
          • Control preciso del di\u00e1metro<\/li>\n\n\n\n
          • Eliminaci\u00f3n de contaminantes<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

            4) Metalizaci\u00f3n (paso cr\u00edtico)<\/h3>\n\n\n\n

            (1) Deposici\u00f3n de capas de semillas<\/h4>\n\n\n\n
              \n
            • Deposici\u00f3n por pulverizaci\u00f3n cat\u00f3dica de capas de Ti\/Cu o AlN\/Cu<\/li>\n\n\n\n
            • Garantiza la adherencia y la conductividad<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

              (2) Galvanoplastia de cobre<\/h4>\n\n\n\n
                \n
              • Galvanoplastia por impulsos o en corriente continua<\/li>\n\n\n\n
              • Sin huecos gracias al relleno<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                (3) Planificaci\u00f3n de superficies<\/h4>\n\n\n\n
                  \n
                • Pulido qu\u00edmico-mec\u00e1nico (CMP)<\/li>\n\n\n\n
                • Tratamiento superficial antioxidante<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                  5) Capa de redistribuci\u00f3n (RDL) y \u00abbumping\u00bb<\/h3>\n\n\n\n
                    \n
                  • Cableado RDL ultrafino<\/li>\n\n\n\n
                  • Saltar una l\u00ednea\/espacio hasta \u22642 \u03bcm<\/strong><\/li>\n\n\n\n
                  • Enrutamiento multicapa (hasta 6 capas RDL)<\/li>\n\n\n\n
                  • Pilares de cobre o protuberancias de soldadura para la uni\u00f3n<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                    6) Pruebas y corte en dados<\/h3>\n\n\n\n
                      \n
                    • Pruebas el\u00e9ctricas<\/li>\n\n\n\n
                    • Corte de obleas<\/li>\n\n\n\n
                    • Inspecci\u00f3n final y embalaje<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                      4. Comparaci\u00f3n de las principales tecnolog\u00edas de formaci\u00f3n de v\u00edas<\/h2>\n\n\n\n
                      Tecnolog\u00eda<\/th>Ventajas<\/th>Desventajas<\/th>Aplicaciones<\/th><\/tr><\/thead>
                      L\u00e1ser ultrarr\u00e1pido + grabado h\u00famedo<\/td>Alta precisi\u00f3n, v\u00edas de 3-10 \u03bcm, alta relaci\u00f3n de aspecto, excelente uniformidad<\/td>Alto coste de los equipos, proceso complejo<\/td>Chips de IA, HBM, aplicaciones de RF<\/td><\/tr>
                      Perforaci\u00f3n directa con l\u00e1ser<\/td>Bajo coste, alta velocidad<\/td>Flancos rugosos, relaci\u00f3n de aspecto baja (<20:1)<\/td>V\u00edas grandes, uso a baja frecuencia<\/td><\/tr>
                      Grabado en seco (RIE\/ICP)<\/td>Alta precisi\u00f3n, paredes laterales verticales<\/td>Lento y caro<\/td>V\u00edas ultrapeque\u00f1as (<5 \u03bcm)<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                      5. Tecnolog\u00eda de metalizaci\u00f3n PVD sobre vidrio<\/h2>\n\n\n\n

                      En la fabricaci\u00f3n de trenes de alta velocidad, tecnolog\u00eda de recubrimiento PVD sobre vidrio<\/strong> desempe\u00f1a un papel fundamental a la hora de conseguir estructuras de interconexi\u00f3n fiables.<\/p>\n\n\n\n

                      Caracter\u00edsticas del proceso<\/h3>\n\n\n\n
                        \n
                      • Pulverizaci\u00f3n cat\u00f3dica PVD de grado semiconductor realizada internamente<\/li>\n\n\n\n
                      • Deposici\u00f3n de cobre de alta adherencia<\/li>\n\n\n\n
                      • Espesor m\u00e1ximo del cobre de hasta 10 \u03bcm<\/strong><\/li>\n\n\n\n
                      • Excelente uniformidad del espesor<\/li>\n\n\n\n
                      • Baja deformaci\u00f3n y alta planitud<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                        Ventajas del material<\/h3>\n\n\n\n
                          \n
                        • Alta dureza<\/li>\n\n\n\n
                        • Excelente resistencia al desgaste<\/li>\n\n\n\n
                        • Gran resistencia a la corrosi\u00f3n<\/li>\n\n\n\n
                        • Propiedades qu\u00edmicas estables<\/li>\n\n\n\n
                        • Rendimiento duradero del recubrimiento<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                          6. Principales ventajas de la tecnolog\u00eda TGV<\/h2>\n\n\n\n

                          En comparaci\u00f3n con la tecnolog\u00eda TSV tradicional, la TGV ofrece:<\/p>\n\n\n\n

                            \n
                          • Menor p\u00e9rdida en la transmisi\u00f3n de la se\u00f1al (ideal para aplicaciones de alta frecuencia)<\/li>\n\n\n\n
                          • Menor tensi\u00f3n t\u00e9rmica (mejor adaptaci\u00f3n del coeficiente de expansi\u00f3n t\u00e9rmica del vidrio)<\/li>\n\n\n\n
                          • Posibilidad de reducir los costes de fabricaci\u00f3n<\/li>\n\n\n\n
                          • Gran estabilidad dimensional<\/li>\n\n\n\n
                          • Mayor idoneidad para arquitecturas de interconexi\u00f3n densas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                            7. \u00c1mbitos de aplicaci\u00f3n<\/h2>\n\n\n\n

                            La tecnolog\u00eda TGV se est\u00e1 expandiendo r\u00e1pidamente en:<\/p>\n\n\n\n

                              \n
                            • Encapsulado de chips inform\u00e1ticos para IA<\/li>\n\n\n\n
                            • Memoria de gran ancho de banda (HBM)<\/li>\n\n\n\n
                            • M\u00f3dulos de interfaz de radio 5G\/6G<\/li>\n\n\n\n
                            • Fot\u00f3nica de silicio e interconexi\u00f3n \u00f3ptica (CPO)<\/li>\n\n\n\n
                            • Integraci\u00f3n heterog\u00e9nea de chiplets<\/li>\n\n\n\n
                            • Interconexiones de alta velocidad para centros de datos<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                              8. Perspectivas del sector<\/h2>\n\n\n\n

                              A medida que los sistemas de encapsulado avanzados siguen evolucionando hacia una mayor densidad, un menor consumo energ\u00e9tico y un funcionamiento a frecuencias m\u00e1s altas, la tecnolog\u00eda TGV se est\u00e1 convirtiendo en una tecnolog\u00eda fundamental para:<\/p>\n\n\n\n

                              \n

                              Arquitecturas de interconexi\u00f3n 3D en la era posterior a Moore<\/strong><\/p>\n<\/blockquote>\n\n\n\n

                              Entre las tendencias de desarrollo futuras se incluyen:<\/p>\n\n\n\n

                                \n
                              • Estructuras de v\u00edas de menos de 5 \u03bcm<\/li>\n\n\n\n
                              • Integraci\u00f3n RDL de mayor densidad<\/li>\n\n\n\n
                              • Mayor uniformidad en la producci\u00f3n en serie<\/li>\n\n\n\n
                              • Integraci\u00f3n profunda con sistemas basados en chiplets<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                Conclusi\u00f3n<\/h2>\n\n\n\n

                                La tecnolog\u00eda TGV (Through Glass Via) se est\u00e1 imponiendo como una soluci\u00f3n de interconexi\u00f3n de \u00faltima generaci\u00f3n gracias a su rendimiento en altas frecuencias, su bajo estr\u00e9s t\u00e9rmico y su rentabilidad.<\/p>\n\n\n\n

                                Sus principales avances residen en:<\/p>\n\n\n\n

                                  \n
                                • Formaci\u00f3n de v\u00edas mediante l\u00e1ser ultrarr\u00e1pido<\/li>\n\n\n\n
                                • Galvanoplastia de cobre sin poros<\/li>\n\n\n\n
                                • Fresado RDL multicapa de gran precisi\u00f3n<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                  Dado que se prev\u00e9 su implantaci\u00f3n a escala comercial en los pr\u00f3ximos a\u00f1os, la tecnolog\u00eda TGV desempe\u00f1ar\u00e1 un papel fundamental en el desarrollo de los sistemas inform\u00e1ticos basados en la inteligencia artificial y de las comunicaciones de alta velocidad.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                                  With the rapid growth of AI computing, 5G\/6G communications, and high-frequency RF applications, traditional silicon-based interconnects (TSV) are increasingly limited by signal loss, thermal stress, and cost constraints. Against this backdrop, Through Glass Via (TGV) technology is emerging as a key breakthrough in advanced semiconductor packaging. TGV enables vertical electrical interconnection by forming and metallizing […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2507,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[25],"tags":[1354,1410,44,1412,1411,1414,1409,1415,1417,1418,214,1407,1408,1416,1413],"class_list":["post-2504","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-technology-applications","tag-2-5d-packaging","tag-3d-packaging","tag-advanced-packaging","tag-borosilicate-glass","tag-chiplet-integration","tag-fused-silica","tag-glass-interposer","tag-glass-via","tag-high-frequency-interconnect","tag-low-signal-loss","tag-semiconductor-packaging","tag-tgv","tag-through-glass-via","tag-tsv-alternative","tag-ultra-thin-glass-substrate"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2504","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2504"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2504\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2510,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2504\/revisions\/2510"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2507"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2504"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2504"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2504"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}