{"id":2280,"date":"2026-04-17T02:27:09","date_gmt":"2026-04-17T02:27:09","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2280"},"modified":"2026-04-17T02:28:35","modified_gmt":"2026-04-17T02:28:35","slug":"tgv-technology-for-advanced-packaging","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/tgv-technology-for-advanced-packaging\/","title":{"rendered":"Tecnolog\u00eda TGV (Through Glass Via) para envases avanzados"},"content":{"rendered":"<h2 class=\"wp-block-heading\">1. 1. Introducci\u00f3n: Contexto industrial y antecedentes de ingenier\u00eda<\/h2>\n\n\n\n<p>En el envasado de semiconductores avanzados, la continua demanda de mayor ancho de banda, menor p\u00e9rdida de se\u00f1al y mayor estabilidad t\u00e9rmica est\u00e1 impulsando la transici\u00f3n de los sustratos org\u00e1nicos tradicionales a materiales de interconexi\u00f3n m\u00e1s avanzados.<\/p>\n\n\n\n<p>Bas\u00e1ndose en las tendencias de desarrollo industrial observadas en las l\u00edneas avanzadas de envasado y fabricaci\u00f3n de sustratos, los sustratos de vidrio han demostrado cada vez m\u00e1s un fuerte potencial en aplicaciones de alta frecuencia y alta densidad debido a su:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Baja constante diel\u00e9ctrica (Dk)<\/li>\n\n\n\n<li>Baja p\u00e9rdida diel\u00e9ctrica (Df)<\/li>\n\n\n\n<li>Gran estabilidad dimensional<\/li>\n\n\n\n<li>Excelentes propiedades de aislamiento el\u00e9ctrico<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Entre las tecnolog\u00edas de interconexi\u00f3n basadas en vidrio, la TGV (Through Glass Via) se ha revelado como una soluci\u00f3n clave para las arquitecturas de envasado de nueva generaci\u00f3n, como los interpositores 2,5D, los m\u00f3dulos de radiofrecuencia y los sistemas inform\u00e1ticos de alto rendimiento.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image aligncenter size-large\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"1024\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-1024x1024.jpg\" alt=\"\" class=\"wp-image-2281\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-1024x1024.jpg 1024w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-300x300.jpg 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-150x150.jpg 150w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-768x768.jpg 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-12x12.jpg 12w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-600x600.jpg 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-100x100.jpg 100w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging.jpg 1120w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">2. Definici\u00f3n t\u00e9cnica de TGV (Through Glass Via)<\/h2>\n\n\n\n<p><strong>A trav\u00e9s del cristal (TGV)<\/strong> se refiere a una estructura de interconexi\u00f3n vertical formada mediante la creaci\u00f3n de v\u00edas a microescala en un sustrato de vidrio, seguida de metalizaci\u00f3n para establecer la conectividad el\u00e9ctrica entre ambas superficies.<\/p>\n\n\n\n<p>Desde el punto de vista de la fabricaci\u00f3n, el TGV no es un proceso \u00fanico, sino un sistema integrado de varias fases que combina las tecnolog\u00edas de modificaci\u00f3n por l\u00e1ser, grabado h\u00famedo, metalizaci\u00f3n, galvanoplastia y planarizaci\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n<p>En comparaci\u00f3n con la tecnolog\u00eda de v\u00eda de silicio (TSV), la TGV proporciona:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Menor atenuaci\u00f3n de la se\u00f1al de RF<\/li>\n\n\n\n<li>Capacidad par\u00e1sita reducida<\/li>\n\n\n\n<li>Mayor estabilidad de la transmisi\u00f3n de alta frecuencia<\/li>\n\n\n\n<li>Mayor control dimensional en las obleas<\/li>\n\n\n\n<li>Mejor compatibilidad de integraci\u00f3n \u00f3ptica y el\u00e9ctrica<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Estas caracter\u00edsticas hacen que el TGV sea especialmente adecuado para m\u00f3dulos frontales de RF, intercaladores de envasado de AI y plataformas de integraci\u00f3n optoelectr\u00f3nica.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">3. Capacidades de ingenier\u00eda de formaci\u00f3n de v\u00edas (vista a nivel de proceso)<\/h2>\n\n\n\n<p>En entornos de producci\u00f3n industrial, la formaci\u00f3n de la v\u00eda TGV se consigue normalmente mediante un proceso h\u00edbrido de modificaci\u00f3n por l\u00e1ser y grabado qu\u00edmico.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">3.1 Capacidad de procesamiento estructural<\/h3>\n\n\n\n<p>Las gamas actuales de capacidades de proceso maduras incluyen:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li><strong>Relaci\u00f3n de aspecto hasta 15:1<\/strong><br>Apoyo a la formaci\u00f3n de v\u00edas profundas en sustratos de vidrio delgados.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>Gama de espesores de vidrio: 0,2 mm a 1,5 mm<\/strong><br>Cubre dispositivos ultrafinos y plataformas de interposici\u00f3n est\u00e1ndar.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>Control de alta precisi\u00f3n geom\u00e9trica:<\/strong>\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Circularidad &gt; 95%<\/li>\n\n\n\n<li>\u00cdndice de cintura &gt; 0,9<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Estos par\u00e1metros indican una morfolog\u00eda estable de la v\u00eda, que es fundamental para garantizar una metalizaci\u00f3n uniforme y minimizar la variaci\u00f3n de la resistencia el\u00e9ctrica.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">3.2 Perspectiva t\u00e9cnica (consideraci\u00f3n de la estabilidad del proceso)<\/h3>\n\n\n\n<p>Desde el punto de vista de la fabricaci\u00f3n, mantener la coherencia de la geometr\u00eda de las v\u00edas es uno de los factores determinantes del rendimiento. Los perfiles de v\u00eda incoherentes pueden provocar:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Deposici\u00f3n no uniforme de la capa de siembra<\/li>\n\n\n\n<li>Vaciado durante la galvanoplastia<\/li>\n\n\n\n<li>Mayor variaci\u00f3n de la resistencia el\u00e9ctrica<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Por lo tanto, la precisi\u00f3n de la alineaci\u00f3n l\u00e1ser y el control de la isotrop\u00eda del grabado son par\u00e1metros cr\u00edticos del proceso.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">4. Tecnolog\u00eda de metalizaci\u00f3n y llenado de cobre<\/h2>\n\n\n\n<p>La metalizaci\u00f3n TGV est\u00e1 ampliamente reconocida como uno de los pasos t\u00e9cnicamente m\u00e1s desafiantes debido a la alta relaci\u00f3n de aspecto y la geometr\u00eda confinada de las v\u00edas de vidrio.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4.1 Proceso de deposici\u00f3n de cobre multicapa<\/h3>\n\n\n\n<p>Un flujo de proceso industrial t\u00edpico incluye:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Pulverizaci\u00f3n cat\u00f3dica (formaci\u00f3n de la capa inicial)<\/li>\n\n\n\n<li>Deposici\u00f3n de cobre qu\u00edmico<\/li>\n\n\n\n<li>Galvanoplastia (mediante relleno)<\/li>\n\n\n\n<li>Pulido qu\u00edmico-mec\u00e1nico (CMP)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Este planteamiento en varias fases garantiza:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>V\u00edas conductoras continuas<\/li>\n\n\n\n<li>Distribuci\u00f3n uniforme del cobre a lo largo de las paredes laterales de la v\u00eda<\/li>\n\n\n\n<li>Rendimiento el\u00e9ctrico estable en estructuras a nivel de oblea<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4.2 Retos de la ingenier\u00eda de procesos<\/h3>\n\n\n\n<p>En funci\u00f3n de las caracter\u00edsticas de los procesos industriales, los principales retos t\u00e9cnicos son los siguientes:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Limitaci\u00f3n del transporte de masas en v\u00edas de alta relaci\u00f3n de aspecto<\/li>\n\n\n\n<li>Uniformidad de la distribuci\u00f3n de iones durante la galvanoplastia<\/li>\n\n\n\n<li>Acumulaci\u00f3n de tensiones durante la deposici\u00f3n de cobre<\/li>\n\n\n\n<li>Fiabilidad de la adherencia de la interfaz entre las capas de vidrio y metal<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Para mitigar estos efectos suele ser necesario un dise\u00f1o avanzado del sistema de revestimiento y la optimizaci\u00f3n del campo de flujo.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">5. Arquitectura de sistemas de equipos e integraci\u00f3n de procesos<\/h2>\n\n\n\n<p>En las l\u00edneas industriales de fabricaci\u00f3n de TGV, el rendimiento de los equipos determina directamente el rendimiento del proceso, especialmente en entornos de proceso h\u00famedos.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">5.1 Sistema de secado y control de defectos<\/h3>\n\n\n\n<p>Tras las fases de tratamiento en h\u00famedo, se utilizan sistemas de secado por v\u00eda:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Reduce las microfisuras inducidas por residuos l\u00edquidos<\/li>\n\n\n\n<li>Mejora de la estabilidad estructural de las v\u00edas grabadas<\/li>\n\n\n\n<li>Aumentar el rendimiento global en los procesos posteriores al grabado<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">5.2 Optimizaci\u00f3n del proceso del cobre y de la fiabilidad mec\u00e1nica<\/h3>\n\n\n\n<p>Los equipos de proceso relacionados con el cobre contribuyen a:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Reducci\u00f3n de las roturas mec\u00e1nicas durante el pulido<\/li>\n\n\n\n<li>Mayor fuerza de adherencia entre capas<\/li>\n\n\n\n<li>Mayor fiabilidad de la v\u00eda en ciclos t\u00e9rmicos<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">5.3 Control de precisi\u00f3n de la modificaci\u00f3n l\u00e1ser<\/h3>\n\n\n\n<p>Los sistemas l\u00e1ser utilizados en la formaci\u00f3n de TGV proporcionan:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>V\u00edas de modificaci\u00f3n estables en materiales v\u00edtreos quebradizos<\/li>\n\n\n\n<li>Elevada perpendicularidad de las paredes laterales de la v\u00eda<\/li>\n\n\n\n<li>Alineaci\u00f3n posicional precisa en sustratos de gran superficie<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Estos factores influyen significativamente en la uniformidad del grabado posterior y en la tasa de \u00e9xito de la metalizaci\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">6. Flujo del proceso integrado de fabricaci\u00f3n del TAV<\/h2>\n\n\n\n<p>Un sistema t\u00edpico de producci\u00f3n industrial de TAV puede dividirse en tres grandes m\u00f3dulos:<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">6.1 M\u00f3dulo de formaci\u00f3n de v\u00edas<\/h3>\n\n\n\n<p>Secuencia del proceso:<\/p>\n\n\n\n<p>Modificaci\u00f3n l\u00e1ser \u2192 Grabado h\u00famedo \u2192 Inspecci\u00f3n AOI<\/p>\n\n\n\n<p>Transformaci\u00f3n del material:<\/p>\n\n\n\n<p>Sustrato de vidrio \u2192 Estructura de v\u00edas de vidrio de alta precisi\u00f3n<\/p>\n\n\n\n<p>Equipamiento b\u00e1sico:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Sistema de grabado sobre vidrio (banco h\u00famedo)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">6.2 M\u00f3dulo de metalizaci\u00f3n y relleno<\/h3>\n\n\n\n<p>Secuencia del proceso:<\/p>\n\n\n\n<p>Pulverizaci\u00f3n cat\u00f3dica \u2192 Electrodeposici\u00f3n \u2192 Galvanoplastia \u2192 CMP<\/p>\n\n\n\n<p>Equipamiento b\u00e1sico:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Sistema de banco h\u00famedo de prelimpieza<\/li>\n\n\n\n<li>Sistema de cobreado qu\u00edmico<\/li>\n\n\n\n<li>Sistema de galvanoplastia de doble cara (configuraci\u00f3n de galvanoplastia en bastidor)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Este m\u00f3dulo determina la conductividad el\u00e9ctrica y la fiabilidad a largo plazo.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">6.3 M\u00f3dulo de formaci\u00f3n de la capa de redistribuci\u00f3n (RDL)<\/h3>\n\n\n\n<p>Secuencia del proceso:<\/p>\n\n\n\n<p>Recubrimiento fotorresistente \u2192 Litograf\u00eda \u2192 Desarrollo \u2192 Grabado<\/p>\n\n\n\n<p>Equipamiento b\u00e1sico:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Sistema de banco h\u00famedo de desarrollo<\/li>\n\n\n\n<li>Sistema de grabado UBM (procesamiento de vidrio de una oblea)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Esta etapa permite el enrutamiento de interconexi\u00f3n lateral para la integraci\u00f3n a nivel de chip.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">7. Fiabilidad y retos de fabricaci\u00f3n<\/h2>\n\n\n\n<p>A pesar de sus ventajas, la tecnolog\u00eda del TAV sigue enfrent\u00e1ndose a varios retos de ingenier\u00eda e industrializaci\u00f3n:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Control de vac\u00edos de cobre de alta relaci\u00f3n de aspecto<\/li>\n\n\n\n<li>Gesti\u00f3n de la tensi\u00f3n t\u00e9rmica en materiales de vidrio quebradizos<\/li>\n\n\n\n<li>Supresi\u00f3n de microgrietas en transiciones h\u00famedo\/seco<\/li>\n\n\n\n<li>Control de la contaminaci\u00f3n cruzada en entornos de bancos h\u00famedos<\/li>\n\n\n\n<li>Control de uniformidad de sustratos de gran superficie<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Desde el punto de vista del rendimiento industrial, estos retos se abordan principalmente mediante la optimizaci\u00f3n de los equipos y la integraci\u00f3n de los procesos, m\u00e1s que con mejoras en un solo paso.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">8. Tendencias de desarrollo de la industria y perspectivas de futuro<\/h2>\n\n\n\n<p>Bas\u00e1ndose en las actuales trayectorias de desarrollo de los envases de semiconductores, se espera que la tecnolog\u00eda TGV evolucione hacia:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Relaciones de aspecto superiores a 20:1<\/li>\n\n\n\n<li>Plataformas de integraci\u00f3n del proceso h\u00famedo totalmente automatizadas<\/li>\n\n\n\n<li>Materiales de relleno de cobre de baja tensi\u00f3n y sistemas de barrera<\/li>\n\n\n\n<li>Estructuras de interposici\u00f3n optimizadas para alta frecuencia (RF\/ondas milim\u00e9tricas)<\/li>\n\n\n\n<li>Integraci\u00f3n de la inform\u00e1tica de IA y los paquetes HPC<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Con la r\u00e1pida expansi\u00f3n de la infraestructura inform\u00e1tica impulsada por la IA, se espera que la TGV se convierta en una tecnolog\u00eda facilitadora clave en los ecosistemas de envasado avanzado de pr\u00f3xima generaci\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">9. Conclusi\u00f3n<\/h2>\n\n\n\n<p><a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/categoria-producto\/laser-drilling-machine\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#0693e3\" class=\"has-inline-color\">Tecnolog\u00eda Through Glass Via (TGV) <\/mark><\/a>representa un avance decisivo en la ingenier\u00eda de interconexi\u00f3n de semiconductores, ya que transforma los sustratos de vidrio de materiales aislantes pasivos en plataformas funcionales de interconexi\u00f3n de alta densidad.<\/p>\n\n\n\n<p>Sus principales ventajas t\u00e9cnicas son:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Capacidad de interconexi\u00f3n vertical de alta densidad<\/li>\n\n\n\n<li>Excelente rendimiento el\u00e9ctrico y de RF<\/li>\n\n\n\n<li>Estabilidad dimensional superior<\/li>\n\n\n\n<li>Gran compatibilidad con arquitecturas de envasado avanzadas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Desde una perspectiva industrial, el \u00e9xito de la implantaci\u00f3n del TGV depende en gran medida de la integraci\u00f3n de sistemas de procesamiento l\u00e1ser, equipos de grabado h\u00famedo y plataformas avanzadas de galvanoplastia.<\/p>\n\n\n\n<p>A medida que el envasado avanzado siga evolucionando hacia requisitos de mayor rendimiento y menor p\u00e9rdida de se\u00f1al, se espera que el TGV desempe\u00f1e un papel cada vez m\u00e1s importante en los sistemas de integraci\u00f3n de IA, RF y optoelectr\u00f3nica.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>1. Introduction: Industry Context and Engineering Background In advanced semiconductor packaging, the continuous demand for higher bandwidth, lower signal loss, and improved thermal stability is driving a transition from traditional organic substrates toward more advanced interconnect materials. Based on observed industrial development trends in advanced packaging and substrate manufacturing lines, glass substrates have increasingly demonstrated [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2281,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[24],"tags":[1107,1112,1106,1108,1110,1111,1109,1105,1104,1113],"class_list":["post-2280","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news","tag-advanced-semiconductor-packaging","tag-ai-chip-packaging-interposer","tag-glass-interposer-technology","tag-high-aspect-ratio-glass-via","tag-laser-drilling-glass-via-process","tag-rf-glass-substrate-interconnect","tag-tgv-electroplating-system","tag-tgv-manufacturing-process","tag-through-glass-via-technology","tag-wet-bench-tgv-process-equipment"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2280","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2280"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2280\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2282,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2280\/revisions\/2282"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2281"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2280"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2280"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2280"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}