{"id":2138,"date":"2026-04-08T06:57:45","date_gmt":"2026-04-08T06:57:45","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2138"},"modified":"2026-04-08T07:00:29","modified_gmt":"2026-04-08T07:00:29","slug":"wafer-back-grinding-and-polishing","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wafer-back-grinding-and-polishing\/","title":{"rendered":"Rectificado y pulido del dorso de las obleas: tecnolog\u00edas b\u00e1sicas para el envasado avanzado de semiconductores"},"content":{"rendered":"<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>1. 1. Introducci\u00f3n: Por qu\u00e9 es importante el adelgazamiento de las obleas<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p>En la fabricaci\u00f3n moderna de semiconductores, la transici\u00f3n del procesamiento frontal al envasado final comienza con dos pasos cr\u00edticos: <a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/categoria-producto\/grinding-machine\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#0693e3\" class=\"has-inline-color\">rectificado posterior (adelgazamiento de la oblea) y <strong>pulido<\/strong><\/mark><\/a>.<\/p>\n\n\n\n<p>Una vez que las obleas han superado la fase de fabricaci\u00f3n y las pruebas el\u00e9ctricas, deben someterse a un adelgazamiento controlado para cumplir los requisitos cada vez m\u00e1s exigentes de:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Envases avanzados<\/li>\n\n\n\n<li>Gesti\u00f3n t\u00e9rmica<\/li>\n\n\n\n<li>Miniaturizaci\u00f3n de dispositivos<\/li>\n\n\n\n<li>Rendimiento de alta frecuencia<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>El grosor de las obleas ya no es s\u00f3lo un par\u00e1metro estructural, sino que influye directamente en el rendimiento, la fiabilidad y la rentabilidad de los chips.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image aligncenter size-large\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"681\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/640-1024x681.jpg\" alt=\"\" class=\"wp-image-2139\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/640-1024x681.jpg 1024w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/640-300x199.jpg 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/640-768x511.jpg 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/640-18x12.jpg 18w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/640-600x399.jpg 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/640.jpg 1080w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>2. Objetivos principales del esmerilado y pulido posterior de obleas<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>2.1 Rendimiento t\u00e9rmico mejorado<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<p>Las obleas m\u00e1s finas mejoran la disipaci\u00f3n del calor al reducir el recorrido t\u00e9rmico. Esto es especialmente cr\u00edtico en:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Dispositivos de potencia (Si, SiC)<\/li>\n\n\n\n<li>CI de alta densidad<\/li>\n\n\n\n<li>Aplicaciones RF<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>La eliminaci\u00f3n eficaz del calor evita el sobrecalentamiento y prolonga la vida \u00fatil del dispositivo.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>2.2 Compatibilidad con envases avanzados<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<p>Las modernas tecnolog\u00edas de envasado, como:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Apilamiento 3D (Stacking)<\/li>\n\n\n\n<li>Sistema en paquete (SiP)<\/li>\n\n\n\n<li>Flip-chip<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>-requieren obleas ultrafinas (a menudo inferiores a 100 \u03bcm).<\/p>\n\n\n\n<p>Permite el adelgazamiento:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Factores de forma m\u00e1s peque\u00f1os<\/li>\n\n\n\n<li>Peso reducido del envase<\/li>\n\n\n\n<li>Mayor densidad de integraci\u00f3n<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>2.3 Mayor flexibilidad mec\u00e1nica<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<p>Las obleas m\u00e1s finas presentan una mayor flexibilidad, lo que permite aplicaciones en:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Electr\u00f3nica port\u00e1til<\/li>\n\n\n\n<li>Dispositivos flexibles<\/li>\n\n\n\n<li>Sensores avanzados<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>2.4 Optimizaci\u00f3n del rendimiento el\u00e9ctrico<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<p>El adelgazamiento de las obleas reduce la capacitancia par\u00e1sita, que es cr\u00edtica en:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Circuitos de alta frecuencia<\/li>\n\n\n\n<li>Dispositivos de RF y microondas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Esto mejora la integridad de la se\u00f1al y la eficiencia del dispositivo.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>2.5 Mejora del rendimiento<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<p>El pulido elimina:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Defectos superficiales<\/li>\n\n\n\n<li>Capas de tensi\u00f3n residual<\/li>\n\n\n\n<li>Microfisuras por amolado<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Esto mejora significativamente <strong>rendimiento y fiabilidad de la viruta final<\/strong>.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>3. Flujo est\u00e1ndar del proceso de adelgazamiento de obleas<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p>Un proceso t\u00edpico de rectificado y pulido posterior consta de cuatro pasos clave:<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>Paso 1: Adhesi\u00f3n temporal<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>La oblea se fija a un soporte mediante:\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Cinta adhesiva (laminaci\u00f3n de cinta)<\/li>\n\n\n\n<li>Adhesi\u00f3n de cera a sustratos de vidrio\/cer\u00e1mica<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Esto protege la parte delantera durante el adelgazamiento.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>Paso 2: Rectificado posterior (eliminaci\u00f3n de material)<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Se utilizan m\u00e9todos mec\u00e1nicos o qu\u00edmicos para eliminar el material a granel.<\/li>\n\n\n\n<li>Se trata de la primera etapa de reducci\u00f3n del espesor.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>Paso 3: Pulido<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Elimina:\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Marcas de amolado<\/li>\n\n\n\n<li>Da\u00f1os subterr\u00e1neos<\/li>\n\n\n\n<li>Tensi\u00f3n residual<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Garantiza una superficie lisa y sin defectos.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>Etapa 4: Despegado<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>La oblea se separa de la v\u00eda portadora:\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Exposici\u00f3n UV<\/li>\n\n\n\n<li>Disoluci\u00f3n qu\u00edmica<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>4. Las cuatro principales tecnolog\u00edas de adelgazamiento de obleas<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>4.1 Rectificado mec\u00e1nico<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<p><strong>Principio:<\/strong><br>Eliminaci\u00f3n de material mediante muelas de diamante.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Ventajas:<\/strong><\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Alta eficacia<\/li>\n\n\n\n<li>Adecuado para la retirada a granel<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p><strong>Limitaciones:<\/strong><\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Capa de da\u00f1os superficiales<\/li>\n\n\n\n<li>Microfisuras<\/li>\n\n\n\n<li>Requiere seguimiento de pulido<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>4.2 Lapeado (pulido mec\u00e1nico)<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<p><strong>Principio:<\/strong><br>Las part\u00edculas abrasivas ruedan y micro-cortan la superficie.<\/p>\n\n\n\n<p><strong>Caracter\u00edsticas:<\/strong><\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Produce superficies mates y uniformes<\/li>\n\n\n\n<li>Menos agresivo que la molienda<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p><strong>Lo mejor para:<\/strong><\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Raleo controlado<\/li>\n\n\n\n<li>Acabado intermedio<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>4.3 Pulido qu\u00edmico-mec\u00e1nico (CMP)<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<p><strong>Principio:<\/strong><br>Combina:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Reacci\u00f3n qu\u00edmica (reblandecimiento de la superficie)<\/li>\n\n\n\n<li>Eliminaci\u00f3n mec\u00e1nica<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p><strong>Ventajas:<\/strong><\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>\u0909\u0924\u094d\u0915\u0943\u0937\u094d\u091f planitud de la superficie<\/li>\n\n\n\n<li>Rugosidad nanom\u00e9trica<\/li>\n\n\n\n<li>Planarizaci\u00f3n global<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p><strong>Limitaciones:<\/strong><\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Mayor coste<\/li>\n\n\n\n<li>Control de procesos complejos<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image aligncenter size-full\"><img decoding=\"async\" width=\"880\" height=\"556\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6402.png\" alt=\"\" class=\"wp-image-2140\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6402.png 880w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6402-300x190.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6402-768x485.png 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6402-18x12.png 18w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6402-600x379.png 600w\" sizes=\"(max-width: 880px) 100vw, 880px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>4.4 Grabado h\u00famedo y seco<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<h4 class=\"wp-block-heading\"><strong>Aguafuerte h\u00famedo<\/strong><\/h4>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Utiliza soluciones qu\u00edmicas<\/li>\n\n\n\n<li>Bajo coste, instalaci\u00f3n sencilla<\/li>\n\n\n\n<li>Control deficiente de la uniformidad<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h4 class=\"wp-block-heading\"><strong>Grabado en seco<\/strong><\/h4>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Utiliza reacciones basadas en plasma<\/li>\n\n\n\n<li>Alta precisi\u00f3n (en teor\u00eda)<\/li>\n\n\n\n<li>Caro y complejo<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p><strong>Conclusi\u00f3n:<\/strong><br>El grabado se utiliza raramente como m\u00e9todo de adelgazamiento primario para obleas de alta precisi\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>5. Resumen comparativo de procesos<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><thead><tr><th>M\u00e9todo<\/th><th>Eficacia<\/th><th>Calidad de la superficie<\/th><th>Coste<\/th><th>Uso t\u00edpico<\/th><\/tr><\/thead><tbody><tr><td>Rectificado<\/td><td>Alta<\/td><td>Bajo<\/td><td>Medio<\/td><td>Eliminaci\u00f3n a granel<\/td><\/tr><tr><td>Lapeado<\/td><td>Medio<\/td><td>Medio<\/td><td>Medio<\/td><td>Intermedio<\/td><\/tr><tr><td>CMP<\/td><td>Bajo<\/td><td>Muy alta<\/td><td>Alta<\/td><td>Pulido final<\/td><\/tr><tr><td>Grabado<\/td><td>Bajo<\/td><td>Bajo<\/td><td>Variable<\/td><td>Casos especiales<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>6. Principales retos en el adelgazamiento de obleas<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>6.1 Uniformidad de espesor (Control TTV)<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<p>Mantener bajos <strong>Variaci\u00f3n del espesor total (VET)<\/strong> es fundamental para la coherencia del dispositivo.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>6.2 Control de defectos superficiales<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<p>Los problemas m\u00e1s comunes son:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Ara\u00f1azos<\/li>\n\n\n\n<li>Microfisuras<\/li>\n\n\n\n<li>Contaminaci\u00f3n por part\u00edculas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>6.3 Gesti\u00f3n del estr\u00e9s<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<p>Las tensiones mec\u00e1nicas y t\u00e9rmicas pueden provocar:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Alabeo<\/li>\n\n\n\n<li>Cracking<\/li>\n\n\n\n<li>Fallo del dispositivo<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>7. C\u00f3mo mejorar la calidad del adelgazamiento de las obleas<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>7.1 Optimizar los consumibles<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Adaptar el tama\u00f1o del abrasivo a la dureza del material<\/li>\n\n\n\n<li>Reducci\u00f3n de grano en varias etapas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>7.2 Ajuste de los par\u00e1metros del equipo<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<p>Par\u00e1metros clave:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Presi\u00f3n de descenso<\/li>\n\n\n\n<li>Velocidad de rotaci\u00f3n<\/li>\n\n\n\n<li>Velocidad de avance<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>7.3 Introducir pasos de pulido<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<p>Pulido posterior:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Elimina la capa de da\u00f1os<\/li>\n\n\n\n<li>Reduce el estr\u00e9s<\/li>\n\n\n\n<li>Mejora la rugosidad de la superficie<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>8. Capacidad del equipo y resultados del proceso<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p>Rendimiento t\u00edpico del sector:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Tama\u00f1o de la oblea: hasta <strong>6 pulgadas (compatible con muestras m\u00e1s peque\u00f1as)<\/strong><\/li>\n\n\n\n<li>Tama\u00f1o m\u00ednimo de la muestra: <strong>1 cm \u00d7 1 cm<\/strong><\/li>\n\n\n\n<li>Materiales admitidos:\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Silicio (Si)<\/li>\n\n\n\n<li>Arseniuro de galio (GaAs)<\/li>\n\n\n\n<li>Fosfuro de indio (InP)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>Precisi\u00f3n del proceso<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Oblea de 4 pulgadas TTV: \u00b13 \u03bcm<\/li>\n\n\n\n<li>Oblea de 6 pulgadas TTV: \u00b15 \u03bcm<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>Calidad de la superficie<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Rugosidad de la superficie: <strong>Ra \u2264 0,5 nm (@1 \u03bcm\u00b2)<\/strong><\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\"><strong>Espesor final<\/strong><\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Obleas est\u00e1ndar: ~100 \u03bcm<\/li>\n\n\n\n<li>Obleas adheridas: ~50 \u03bcm<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>9. Visi\u00f3n de la industria: El equilibrio entre grosor y rendimiento<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p>A medida que los dispositivos semiconductores evolucionan hacia:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Mayor integraci\u00f3n<\/li>\n\n\n\n<li>Apilamiento 3D<\/li>\n\n\n\n<li>Envases avanzados<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>El adelgazamiento de obleas se convierte en un paso estrat\u00e9gico del proceso, no s\u00f3lo en una operaci\u00f3n mec\u00e1nica.<\/p>\n\n\n\n<p>Sin embargo, existe una importante contrapartida:<\/p>\n\n\n\n<blockquote class=\"wp-block-quote is-layout-flow wp-block-quote-is-layout-flow\">\n<p>Las obleas m\u00e1s delgadas permiten una mayor integraci\u00f3n, pero un adelgazamiento excesivo puede degradar la estabilidad mec\u00e1nica y el rendimiento del dispositivo.<\/p>\n<\/blockquote>\n\n\n\n<p>Por lo tanto, seleccionar el m\u00e9todo de adelgazamiento y la ventana de proceso adecuados es esencial para:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Control de costes<\/li>\n\n\n\n<li>Optimizaci\u00f3n del rendimiento<\/li>\n\n\n\n<li>Fiabilidad a largo plazo<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\"><strong>10. Conclusi\u00f3n<\/strong><\/h2>\n\n\n\n<p>El esmerilado y el pulido del dorso de las obleas son tecnolog\u00edas fundamentales que sirven de puente entre la fabricaci\u00f3n del front-end y el envasado avanzado.<\/p>\n\n\n\n<p>Un proceso de aclareo bien optimizado puede:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Mejorar el rendimiento t\u00e9rmico y el\u00e9ctrico<\/li>\n\n\n\n<li>Permitir arquitecturas de envasado avanzadas<\/li>\n\n\n\n<li>Aumentar el rendimiento y reducir los costes<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>A medida que avanza la tecnolog\u00eda de semiconductores, <strong>precisi\u00f3n, estabilidad e integraci\u00f3n de procesos<\/strong> en el adelgazamiento de obleas seguir\u00e1 definiendo la ventaja competitiva.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>1. Introduction: Why Wafer Thinning Matters In modern semiconductor manufacturing, the transition from front-end processing to back-end packaging begins with two critical steps: back grinding (wafer thinning) and polishing. After wafers complete front-end fabrication and electrical testing, they must undergo controlled thinning to meet increasingly demanding requirements in: Wafer thickness is no longer just a [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2139,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[25],"tags":[44,870,404,869,334,864,875,36,868,867,876,866,872,877,871,196,874,865,873],"class_list":["post-2138","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-technology-applications","tag-advanced-packaging","tag-back-grinding","tag-chemical-mechanical-polishing-2","tag-chip-stacking","tag-cmp","tag-gaas-wafer-thinning","tag-inp-wafer-polishing","tag-semiconductor-manufacturing","tag-semiconductor-process-flow","tag-sic-wafer-processing","tag-thin-wafer-technology","tag-wafer-bonding-and-debonding","tag-wafer-etching","tag-wafer-grinding-process","tag-wafer-lapping","tag-wafer-polishing","tag-wafer-surface-roughness","tag-wafer-thinning","tag-wafer-ttv"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2138","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2138"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2138\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2142,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2138\/revisions\/2142"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2139"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2138"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2138"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2138"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}