{"id":2360,"date":"2026-04-22T07:08:49","date_gmt":"2026-04-22T07:08:49","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2360"},"modified":"2026-04-22T07:13:29","modified_gmt":"2026-04-22T07:13:29","slug":"ai350ht-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-sic-and-silicon-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/product\/ai350ht-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-sic-and-silicon-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Ai350HT Mittelstrahl-Hochtemperatur-Ionenimplantationssystem f\u00fcr die Bearbeitung von 6\/8-Zoll-SiC- und Siliziumwafern"},"content":{"rendered":"

\"Ai350HTDas Hochtemperatur-Ionenimplantationssystem Ai350HT (Medium Beam) ist f\u00fcr Halbleiterfertigungslinien f\u00fcr 6- und 8-Zoll-Siliziumwafer sowie f\u00fcr SiC-Prozessanwendungen konzipiert. Es handelt sich um einen Mittelstrom-Ionenimplantator, der f\u00fcr Hochenergie- und Hochtemperatur-Dotierungsprozesse in der modernen Halbleiterfertigung entwickelt wurde.<\/p>\n

Das System unterst\u00fctzt einen Energiebereich von 5 keV bis 350 keV und erm\u00f6glicht sowohl flache als auch tiefe Implantationsprozesse. Es ist mit einem elektrostatischen Hochtemperatur-Chuck ausgestattet, der bis zu 500\u00b0C arbeiten kann und eine verbesserte Dotierstoffaktivierung und geringere Gittersch\u00e4den w\u00e4hrend der Implantation erm\u00f6glicht. In Verbindung mit einer stabilen Strahlleistung und einer hochpr\u00e4zisen Steuerung eignet sich das System sowohl f\u00fcr die Herstellung von Halbleitern auf Siliziumbasis als auch f\u00fcr solche mit gro\u00dfem Bandabstand.<\/p>\n

\n

Eigenschaften<\/h2>\n

F\u00e4higkeit zur Hochtemperatur-Implantation<\/h3>\n

Ausgestattet mit einem elektrostatischen Hochtemperatur-Chuck, der bis zu 500\u00b0C unterst\u00fctzt und eine verbesserte Implantationseffizienz und Dotierstoffaktivierung f\u00fcr fortschrittliche Prozesse erm\u00f6glicht.<\/p>\n

Breiter Energiebereich<\/h3>\n

Der Energiebereich von 5-350 keV unterst\u00fctzt flexible Implantationsanforderungen von der Bildung flacher \u00dcberg\u00e4nge bis zu tiefen Implantationsprozessen.<\/p>\n

Hochpr\u00e4zise Strahlsteuerung<\/h3>\n

Bietet pr\u00e4zise Implantationsleistung mit Winkelgenauigkeit \u2264 0,2\u00b0, Strahlparallelit\u00e4t \u2264 0,2\u00b0, Gleichm\u00e4\u00dfigkeit \u2264 0,5% und Wiederholbarkeit \u2264 0,5%.<\/p>\n

Stabile Strahlleistung<\/h3>\n

Die Strahlstabilit\u00e4t wird innerhalb von 10% pro Stunde kontrolliert, was eine gleichbleibende Prozessqualit\u00e4t bei langen Produktionszyklen gew\u00e4hrleistet.<\/p>\n

Langlebige Ionenquelle<\/h3>\n

Ausgestattet mit einer Metall-Al-Ionenquelle mit einer Lebensdauer von \u2265150 Stunden, wodurch die Wartungsh\u00e4ufigkeit reduziert und die Betriebszeit verbessert wird.<\/p>\n

Hohe Durchsatzleistung<\/h3>\n

Unterst\u00fctzt einen Durchsatz von \u2265 200 Wafern pro Stunde, geeignet f\u00fcr Halbleiterproduktionsumgebungen.<\/p>\n

Erweiterte Prozesskompatibilit\u00e4t<\/h3>\n

Kompatibel mit SiC-Prozessen und konventioneller Halbleiterfertigung auf Siliziumbasis.<\/p>\n

\"\"\"\"<\/p>\n

\n

Wichtige Spezifikationen<\/h2>\n

Prozess-Parameter<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Artikel<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Wafer Gr\u00f6\u00dfe<\/td>\n6-8 Zoll<\/td>\n<\/tr>\n
Energiebereich<\/td>\n5-350 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Implantierte Elemente<\/td>\nC, Al, B, P, N, He, Ar<\/td>\n<\/tr>\n
Dosisbereich<\/td>\n1E11-1E17 Ionen\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Strahlenleistung<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n
Artikel<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Balkenstabilit\u00e4t<\/td>\n\u2264 10% \/ Stunde (\u22641 Strahlunterbrechung oder Lichtbogenbildung pro Stunde)<\/td>\n<\/tr>\n
Parallelit\u00e4t der Strahlen<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Implantationsgenauigkeit<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Artikel<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Implantat-Winkelbereich<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Winkel-Genauigkeit<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Gleichm\u00e4\u00dfigkeit (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (P+, 1E14, 100 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Reproduzierbarkeit (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Systemleistung<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Artikel<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Durchsatz<\/td>\n\u2265 200 Wafer pro Stunde<\/td>\n<\/tr>\n
Maximale Futtertemperatur<\/td>\n500\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
Ausr\u00fcstung Gr\u00f6\u00dfe<\/td>\n6270 \u00d7 3500 \u00d7 3000 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Vakuum Niveau<\/td>\n5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
R\u00f6ntgenstrahlung Leckage<\/td>\n\u2264 0,3 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Modus \"Scannen<\/td>\nHorizontale elektrostatische Abtastung + vertikale mechanische Abtastung<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Anwendungsbereiche<\/h2>\n

SiC-Halbleiterherstellung<\/h3>\n

Wird bei der Herstellung von Siliziumkarbid-Bauteilen verwendet, die Hochtemperatur-Ionenimplantationsverfahren erfordern.<\/p>\n

Halbleiterverarbeitung auf Siliziumbasis<\/h3>\n

Anwendbar f\u00fcr die Herstellung von CMOS und integrierten Schaltungen auf 6- und 8-Zoll-Wafern.<\/p>\n

Hochtemperatur-Implantationsverfahren<\/h3>\n

Geeignet f\u00fcr Prozesse, die eine erh\u00f6hte Temperatur erfordern, um Kristallsch\u00e4den zu verringern und die Aktivierung von Dotierstoffen zu verbessern.<\/p>\n

Herstellung von Leistungsger\u00e4ten<\/h3>\n

Wird in Leistungshalbleiterger\u00e4ten verwendet, die eine tiefe Implantation und Hochenergieprozesse erfordern.<\/p>\n

Fortgeschrittene Werkstofftechnik<\/h3>\n

Unterst\u00fctzt die Ionenimplantation in modernen Halbleitermaterialien und Prozessentwicklungsumgebungen.<\/p>\n

\n

H\u00e4ufig gestellte Fragen<\/h2>\n

1. Welche Wafergr\u00f6\u00dfen unterst\u00fctzt der Ai350HT?<\/h3>\n

Das System unterst\u00fctzt 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafer und eignet sich sowohl f\u00fcr Silizium- als auch f\u00fcr SiC-Halbleiterproduktionslinien.<\/p>\n

2. Welche Temperatur ist w\u00e4hrend der Implantation maximal zul\u00e4ssig?<\/h3>\n

Das System unterst\u00fctzt die Hochtemperatur-Implantation bei bis zu 500\u00b0C unter Verwendung eines beheizten elektrostatischen Spannfutters mit mechanischer Klemmung.<\/p>\n

3. Was sind die Hauptvorteile dieses Systems f\u00fcr SiC-Prozesse?<\/h3>\n

Das System kombiniert Hochtemperaturf\u00e4higkeit, stabile Strahlleistung und Kompatibilit\u00e4t mit SiC-Prozessen, wodurch es sich f\u00fcr Halbleiteranwendungen mit gro\u00dfem Bandabstand eignet.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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