{"id":2354,"date":"2026-04-22T06:34:59","date_gmt":"2026-04-22T06:34:59","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2354"},"modified":"2026-04-22T07:16:34","modified_gmt":"2026-04-22T07:16:34","slug":"ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/product\/ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Ai300 (Mittelstrahl) Hochtemperatur-Ionenimplantationssystem f\u00fcr die Bearbeitung von 12-Zoll-Wafern"},"content":{"rendered":"

\"Ai300Das Hochtemperatur-Ionenimplantationssystem Ai300 (Medium Beam) ist f\u00fcr 12-Zoll-Siliziumwafer-Halbleiterfertigungslinien konzipiert. Es handelt sich um einen Mittelstrom-Ionenimplantator, der f\u00fcr fortschrittliche Dotierungsprozesse in siliziumbasierten und Wide-Bandgap-Halbleiteranwendungen, einschlie\u00dflich SiC-Prozesslinien, entwickelt wurde.<\/p>\n

Das System unterst\u00fctzt einen Energiebereich von 5 keV bis 300 keV und erm\u00f6glicht eine flexible Implantation von der Bildung flacher \u00dcberg\u00e4nge bis hin zu Tiefdotierungsanwendungen. Es ist mit einem beheizten Hochtemperatur-Wafertisch mit einer H\u00f6chsttemperatur von bis zu 400 \u00b0C ausgestattet, der eine verbesserte Dotierstoffaktivierung und geringere Gittersch\u00e4den w\u00e4hrend der Implantation erm\u00f6glicht.<\/p>\n

Mit seiner stabilen Strahlleistung, der hochpr\u00e4zisen Steuerung und der Kompatibilit\u00e4t mit gro\u00df angelegten Prozessen f\u00fcr integrierte Schaltkreise eignet sich das Ai300-System f\u00fcr fortschrittliche Halbleiterproduktionsumgebungen.<\/p>\n

\n

Eigenschaften<\/h2>\n

Hochtemperatur-Implantat-F\u00e4higkeit<\/h3>\n

Ausgestattet mit einem beheizten Wafertisch, der Temperaturen von bis zu 400\u00b0C unterst\u00fctzt und die Implantationsqualit\u00e4t und die Effizienz der Dotierstoffaktivierung verbessert.<\/p>\n

Breiter Energiebereich<\/h3>\n

Der Energiebereich von 5-300 keV unterst\u00fctzt sowohl flache als auch tiefe Implantationsprozesse f\u00fcr fortschrittliche Bauelementstrukturen.<\/p>\n

Hochpr\u00e4zise Strahlsteuerung<\/h3>\n

Erm\u00f6glicht eine hochpr\u00e4zise Implantation mit einer Winkelgenauigkeit \u2264 0,1\u00b0, einer Strahlparallelit\u00e4t \u2264 0,1\u00b0, einer Gleichm\u00e4\u00dfigkeit \u2264 0,5% und einer Wiederholbarkeit \u2264 0,5%.<\/p>\n

Hohe Durchsatzleistung<\/h3>\n

Unterst\u00fctzt einen Durchsatz von bis zu \u2265 500 Wafern pro Stunde, geeignet f\u00fcr die Halbleiterfertigung in hohen St\u00fcckzahlen.<\/p>\n

Fortgeschrittene Ionenquellen-F\u00e4higkeit<\/h3>\n

Unterst\u00fctzt mehrere implantierte Elemente, einschlie\u00dflich C, B, P, N, He und Ar, und erf\u00fcllt damit die Anforderungen verschiedener Halbleiterprozesse.<\/p>\n

LSI-Prozess-Kompatibilit\u00e4t<\/h3>\n

Vollst\u00e4ndig kompatibel mit gro\u00df angelegten Herstellungsverfahren f\u00fcr integrierte Schaltkreise und fortschrittlicher Ger\u00e4tefertigung.<\/p>\n

\"\" \"\"<\/p>\n

\n

Wichtige Spezifikationen<\/h2>\n

Prozess-Parameter<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Artikel<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Wafer Gr\u00f6\u00dfe<\/td>\n12 Zoll<\/td>\n<\/tr>\n
Energiebereich<\/td>\n5-300 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Implantierte Elemente<\/td>\nC, B, P, N, He, Ar<\/td>\n<\/tr>\n
Dosisbereich<\/td>\n1E11-1E16 Ionen\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Strahlenleistung<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n
Artikel<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Balkenstabilit\u00e4t<\/td>\n\u2264 10% \/ Stunde (\u22641 Strahlunterbrechung oder Lichtbogenbildung pro Stunde)<\/td>\n<\/tr>\n
Parallelit\u00e4t der Strahlen<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Implantationsgenauigkeit<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Artikel<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Implantat-Winkelbereich<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Winkel-Genauigkeit<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Gleichm\u00e4\u00dfigkeit (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (P+, 1E14, 100 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Reproduzierbarkeit (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Systemleistung<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Artikel<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Durchsatz<\/td>\n\u2265 500 Wafer pro Stunde<\/td>\n<\/tr>\n
Maximale Implantattemperatur<\/td>\n400\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
Ausr\u00fcstung Gr\u00f6\u00dfe<\/td>\n6400 \u00d7 3640 \u00d7 3100 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Vakuum Niveau<\/td>\n5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
R\u00f6ntgenstrahlung Leckage<\/td>\n\u2264 0,3 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Modus \"Scannen<\/td>\nHorizontale elektrostatische Abtastung + vertikale mechanische Abtastung<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Anwendungsbereiche<\/h2>\n

SiC-Halbleiterverarbeitung<\/h3>\n

Wird bei der Herstellung von Siliziumkarbid-Bauelementen verwendet und unterst\u00fctzt Hochtemperatur-Implantationsprozesse, die f\u00fcr Materialien mit gro\u00dfer Bandl\u00fccke erforderlich sind.<\/p>\n

Halbleiterherstellung auf Siliziumbasis<\/h3>\n

Anwendbar auf 12-Zoll-Silizium-Wafer-Produktionslinien f\u00fcr die Herstellung von CMOS und modernen integrierten Schaltungen.<\/p>\n

Hochtemperatur-Implantationsverfahren<\/h3>\n

Unterst\u00fctzt Implantationsprozesse, die eine erh\u00f6hte Wafertemperatur erfordern, um Defekte zu reduzieren und die Dotierungsaktivierung zu verbessern.<\/p>\n

Herstellung von Leistungsger\u00e4ten<\/h3>\n

Geeignet f\u00fcr Leistungshalbleiterbauelemente, bei denen eine pr\u00e4zise Dotierung und Hochenergieimplantation erforderlich ist.<\/p>\n

Fortgeschrittene Produktion integrierter Schaltkreise<\/h3>\n

Unterst\u00fctzt die LSI-Prozessintegration mit hohen Pr\u00e4zisions- und Durchsatzanforderungen.<\/p>\n

\n

H\u00e4ufig gestellte Fragen<\/h2>\n

1. Welche Wafergr\u00f6\u00dfe unterst\u00fctzt das Ai300 System?<\/h3>\n

Das System ist f\u00fcr 12-Zoll-Siliziumwafer ausgelegt und eignet sich f\u00fcr moderne Halbleiterfertigungslinien.<\/p>\n

2. Was ist der Hauptvorteil der Hochtemperatur-Implantationsf\u00e4higkeit?<\/h3>\n

Das System unterst\u00fctzt die Implantation bei bis zu 400 \u00b0C, was zur Verringerung von Gittersch\u00e4den, zur Verbesserung der Dotierungsaktivierung und zur Steigerung der Gesamtleistung der Bauelemente beitr\u00e4gt.<\/p>\n

3. Welchen Grad an Pr\u00e4zision und Produktionseffizienz bietet das System?<\/h3>\n

Das System bietet eine Winkelgenauigkeit von 0,1 Grad, eine Strahlparallelit\u00e4t von 0,1 Grad sowie eine Gleichm\u00e4\u00dfigkeit und Wiederholbarkeit von 0,5 Prozent bei einem Durchsatz von bis zu 500 Wafern pro Stunde.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Das Hochtemperatur-Ionenimplantationssystem Ai300 (Medium Beam) ist f\u00fcr 12-Zoll-Siliziumwafer-Halbleiterfertigungslinien konzipiert. 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