{"id":2346,"date":"2026-04-22T05:56:29","date_gmt":"2026-04-22T05:56:29","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2346"},"modified":"2026-04-22T07:25:08","modified_gmt":"2026-04-22T07:25:08","slug":"ai250-medium-beam-room-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-silicon-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/product\/ai250-medium-beam-room-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-silicon-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Ai250 (Medium Beam) Raumtemperatur-Ionenimplantationssystem f\u00fcr die Bearbeitung von 6-8-Zoll-Siliziumwafern"},"content":{"rendered":"

\"\"Das Ionenimplantationssystem Ai250 (Medium Beam) ist f\u00fcr Halbleiterfertigungslinien f\u00fcr 6- und 8-Zoll-Siliziumwafer konzipiert. Es handelt sich um einen Mittelstrom-Ionenimplantator, der in fortschrittlichen Herstellungsverfahren f\u00fcr integrierte Schaltkreise eingesetzt wird und eine stabile Strahlleistung, hohe Implantationsgenauigkeit und eine zuverl\u00e4ssige Dosissteuerung bietet.<\/p>\n

Das System unterst\u00fctzt einen Energiebereich von 5 keV bis 250 keV und erm\u00f6glicht sowohl flache als auch tiefe Ionenimplantationsanwendungen. Es eignet sich f\u00fcr eine breite Palette von Halbleiterdotierungsverfahren und ist vollst\u00e4ndig kompatibel mit den Anforderungen der LSI-Fertigung.<\/p>\n

\n

Eigenschaften<\/h2>\n

Stabile Mittelleistung<\/h3>\n

Gew\u00e4hrleistet eine stabile Ionenstrahlleistung w\u00e4hrend langer Produktionszyklen, verbessert die Prozesskonsistenz und verringert die Variabilit\u00e4t.<\/p>\n

Breiter Energiebereich m\u00f6glich<\/h3>\n

Der Energiebereich von 5-250 keV unterst\u00fctzt flexible Implantationsanforderungen f\u00fcr unterschiedliche Bauelementstrukturen und Prozessknoten.<\/p>\n

Hochpr\u00e4zise Prozesskontrolle<\/h3>\n

Bietet hochpr\u00e4zise Implantationsleistung mit Winkelgenauigkeit \u2264 0,2\u00b0, Strahlparallelit\u00e4t \u2264 0,2\u00b0, Gleichm\u00e4\u00dfigkeit \u2264 0,5% und Wiederholbarkeit \u2264 0,5%.<\/p>\n

Hohe Durchsatzleistung<\/h3>\n

Unterst\u00fctzt \u2265 200 Wafer pro Stunde, geeignet f\u00fcr mittlere bis hohe St\u00fcckzahlen in der Halbleiterproduktion.<\/p>\n

Funktion des Musterimplantats<\/h3>\n

Unterst\u00fctzt Multizonen- und Quadranten-Implantation auf einem einzigen Wafer, was die Prozessflexibilit\u00e4t erh\u00f6ht und die Entwicklungskosten senkt.<\/p>\n

LSI-Prozess-Kompatibilit\u00e4t<\/h3>\n

Vollst\u00e4ndig kompatibel mit LSI-Halbleiterherstellungsprozessen.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

\n

Wichtige Spezifikationen<\/h2>\n

Prozess-Parameter<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Artikel<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Wafer Gr\u00f6\u00dfe<\/td>\n6-8-Zoll-Silizium-Wafer<\/td>\n<\/tr>\n
Energiebereich<\/td>\n5-250 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Implantierte Elemente<\/td>\nB+, P+, As+, Ar+, N+, H+<\/td>\n<\/tr>\n
Dosisbereich<\/td>\n5E11-1E16 Ionen\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Strahlenleistung<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n
Artikel<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Maximaler Strahlstrom<\/td>\nAr+ \u2265 1300 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nB+ \u2265 1000 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nP+ \u2265 1300 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nN+ \u2265 1000 \u03bcA @ \u2265220 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Balkenstabilit\u00e4t<\/td>\n\u2264 15% \/ Stunde (Strahlunterbrechung und Lichtbogenbildung \u2264 1 Mal pro Stunde)<\/td>\n<\/tr>\n
Parallelit\u00e4t der Strahlen<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Implantationsgenauigkeit<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Artikel<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Implantat-Winkelbereich<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Winkel-Genauigkeit<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Gleichm\u00e4\u00dfigkeit (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (B+, 2E14, 150 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Reproduzierbarkeit (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Systemleistung<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Artikel<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Durchsatz<\/td>\n\u2265 200 Wafer pro Stunde<\/td>\n<\/tr>\n
Vakuum Niveau<\/td>\n< 5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
R\u00f6ntgenstrahlung Leckage<\/td>\n\u2264 0,6 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Modus \"Scannen<\/td>\nHorizontale elektrostatische Abtastung + vertikale mechanische Abtastung<\/td>\n<\/tr>\n
Ausr\u00fcstung Gr\u00f6\u00dfe<\/td>\n5600 \u00d7 3300 \u00d7 2600 mm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Anwendungsbereiche<\/h2>\n

Herstellung von Halbleiterbauelementen<\/h3>\n

Wird bei der Herstellung von CMOS-Logikbauteilen verwendet und erm\u00f6glicht eine pr\u00e4zise Dotierstoffimplantation f\u00fcr die Transistorbildung.<\/p>\n

Herstellung von integrierten Schaltkreisen<\/h3>\n

Anwendung in LSI- und fortgeschrittenen IC-Herstellungsprozessen, die eine hochpr\u00e4zise Dotierungskontrolle erfordern.<\/p>\n

Shallow und Deep Junction Formation<\/h3>\n

Unterst\u00fctzt Implantationsprozesse f\u00fcr das Source\/Drain-Engineering und die Kontrolle der \u00dcbergangstiefe.<\/p>\n

Dotierungstechnik<\/h3>\n

Wird zur Kontrolle der elektrischen Eigenschaften von Siliziumwafern durch pr\u00e4zise Ionenimplantation verwendet.<\/p>\n

Prozessentwicklung und F&E<\/h3>\n

Geeignet f\u00fcr die Entwicklung von Halbleiterprozessen, die Pilotproduktion und die experimentelle Herstellung von Bauteilen.<\/p>\n

\n

H\u00e4ufig gestellte Fragen<\/h2>\n

1. Welche Wafergr\u00f6\u00dfen unterst\u00fctzt das Ai250?<\/h3>\n

Das System unterst\u00fctzt 6-Zoll- und 8-Zoll-Siliziumwafer und eignet sich f\u00fcr g\u00e4ngige Halbleiterfertigungslinien.<\/p>\n

2. Was ist der Energiebereich des Systems?<\/h3>\n

Der Energiebereich reicht von 5 keV bis 250 keV und unterst\u00fctzt sowohl flache als auch tiefe Implantationsprozesse f\u00fcr die Herstellung von Halbleiterbauelementen.<\/p>\n

3. Welchen Grad an Prozessgenauigkeit bietet das System?<\/h3>\n

Das System bietet eine Winkelgenauigkeit von 0,2\u00b0, eine Strahlparallelit\u00e4t von 0,2\u00b0 sowie eine Gleichm\u00e4\u00dfigkeit und Wiederholbarkeit von 0,5% und gew\u00e4hrleistet damit eine stabile und ertragreiche Produktionsleistung.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Das Ionenimplantationssystem Ai250 (Medium Beam) ist f\u00fcr Halbleiterfertigungslinien f\u00fcr 6- und 8-Zoll-Siliziumwafer konzipiert. 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