![\"Hocheffiziente](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/AI80HC-300x300.png\")
Das Ai80HC (High Beam) Ionenimplantationsger\u00e4t ist ein Hochstrom-Ionenimplanter, der speziell f\u00fcr 12-Zoll-Siliziumwafer-Halbleiterproduktionslinien entwickelt wurde. Er wurde f\u00fcr fortschrittliche Pr\u00e4zisionsdotierungsprozesse in der modernen Fertigung integrierter Schaltkreise entwickelt und bietet eine stabile Strahlleistung, eine hohe Prozesswiederholbarkeit und eine hervorragende Genauigkeit bei der Dosissteuerung.<\/p>\n
Das System arbeitet in einem weiten Energiebereich von 0,5 keV bis 80 keV und erm\u00f6glicht flexible Implantationsbedingungen sowohl f\u00fcr die Herstellung von flachen als auch mitteltiefen \u00dcberg\u00e4ngen. Es unterst\u00fctzt mehrere Implantationsspezies, darunter \u00b9\u00b9B\u207a, \u2074\u2079BF\u2082\u207a, \u00b3\u00b9P\u207a, \u2077\u2075As\u207a, \u00b9\u2074N\u207a und \u00b9H\u207a, und eignet sich damit f\u00fcr eine breite Palette von CMOS- und fortschrittlichen Logikbauelement-Fertigungsprozessen.<\/p>\n
Mit einem Implantationswinkelbereich von 0\u00b0 bis 45\u00b0 und einer hohen Winkelgenauigkeit von \u2264 0,1\u00b0 gew\u00e4hrleistet das System eine pr\u00e4zise Steuerung der Dotierstoffverteilung und der \u00dcbergangsprofilgestaltung. In Kombination mit einer Strahlparallelit\u00e4t von \u2264 0,3\u00b0 und einer Gleichm\u00e4\u00dfigkeit von \u2264 1% (1\u03c3) bietet die Ai80HC (High Beam) eine konsistente Prozessstabilit\u00e4t von Wafer zu Wafer und innerhalb eines Wafers.<\/p>\n
Das System wurde f\u00fcr hocheffiziente Produktionsumgebungen entwickelt und erreicht einen Durchsatz von \u2265 200 Wafern pro Stunde (WPH) bei strikter Prozessstabilit\u00e4t, wodurch es sich f\u00fcr LSI-kompatible moderne Halbleiterfertigungslinien eignet.<\/p>\n
Das Ai80HC verf\u00fcgt \u00fcber ein ausgereiftes und zuverl\u00e4ssiges Strahldesign, bestehend aus:<\/p>\n
Es ist ausgestattet mit:<\/p>\n
Diese Architektur gew\u00e4hrleistet eine hohe Strahlenstabilit\u00e4t, reduzierte Wartungsausfallzeiten und eine verbesserte Prozesswiederholbarkeit.<\/p>\n
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| Artikel<\/th>\n | Spezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|
| Wafer Gr\u00f6\u00dfe<\/td>\n | 12 Zoll<\/td>\n<\/tr>\n |
| Energiebereich<\/td>\n | 0,5 - 80 keV<\/td>\n<\/tr>\n |
| Implantierte Elemente<\/td>\n | \u00b9\u00b9B\u207a, \u2074\u2079BF\u2082\u207a, \u00b3\u00b9P\u207a, \u2077\u2075As\u207a, \u00b9\u2074N\u207a, \u00b9H\u207a<\/td>\n<\/tr>\n |
| Implantat-Winkel<\/td>\n | 0\u00b0 - 45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n |
| Winkel-Genauigkeit<\/td>\n | \u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n |
| Dosisbereich<\/td>\n | 5E11 - 1E17 Ionen\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n |
| Balkenstabilit\u00e4t<\/td>\n | \u2264 10% \/ Stunde (innerhalb von 60 Minuten; Strahlunterbrechung und Lichtbogenbildung \u2264 1 Mal)<\/td>\n<\/tr>\n |
| Parallelit\u00e4t der Strahlen<\/td>\n | \u2264 0.3\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n |
| Durchsatz (WPH)<\/td>\n | \u2265 200 Wafer\/Stunde<\/td>\n<\/tr>\n |
| Gleichm\u00e4\u00dfigkeit (1\u03c3)<\/td>\n | \u2264 1%<\/td>\n<\/tr>\n |
| Reproduzierbarkeit (1\u03c3)<\/td>\n | \u2264 1%<\/td>\n<\/tr>\n |
| Prozess-Kompatibilit\u00e4t<\/td>\n | Kompatibel mit LSI-Verfahren<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\nHauptmerkmale und Vorteile<\/h2>\n |