{"id":2196,"date":"2026-04-14T06:34:45","date_gmt":"2026-04-14T06:34:45","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2196"},"modified":"2026-04-14T06:34:48","modified_gmt":"2026-04-14T06:34:48","slug":"2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/product\/2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer\/","title":{"rendered":"2-Zoll 6H-N Siliziumkarbid-Wafer"},"content":{"rendered":"

\"2-ZollDer 2-Zoll-Wafer aus Siliziumkarbid 6H-N ist ein Einkristallsubstrat, das sowohl f\u00fcr die Forschung als auch f\u00fcr Anwendungen auf Ger\u00e4teebene entwickelt wurde. Der 6H-Polytyp weist eine hexagonale Kristallstruktur auf, die eine stabile elektrische Leitf\u00e4higkeit und eine gute thermische Leistung unter anspruchsvollen Bedingungen bietet.<\/p>\n

Mit einer Bandl\u00fccke von etwa 3,02 eV erm\u00f6glicht 6H-SiC den Betrieb in Umgebungen, in denen herk\u00f6mmliche Siliziummaterialien versagen, insbesondere unter Hochspannungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzbedingungen. Dadurch eignet es sich f\u00fcr die Entwicklung von Prototypen, Materialtests und die Herstellung spezieller elektronischer Komponenten.<\/p>\n

ZMSH-SiC-Wafer werden mit Hilfe kontrollierter Kristallz\u00fcchtungstechniken hergestellt, um einen gleichbleibenden spezifischen Widerstand, eine geringe Defektdichte und eine hohe Oberfl\u00e4chenqualit\u00e4t zu gew\u00e4hrleisten. Diese Parameter sind entscheidend f\u00fcr die Gew\u00e4hrleistung reproduzierbarer experimenteller Ergebnisse und einer stabilen Ger\u00e4teleistung.<\/p>\n

Wesentliche Merkmale<\/h2>\n

N-Typ leitf\u00e4hige Struktur<\/h3>\n

Der Wafer ist als N-Typ dotiert und bietet stabile Elektronenleitbahnen, die sich f\u00fcr die Herstellung von Halbleiterbauelementen und f\u00fcr Experimente zur elektrischen Charakterisierung eignen.<\/p>\n

Halbleitermaterial mit breiter Bandl\u00fccke<\/h3>\n

Mit einer Bandl\u00fccke von ~3,02 eV unterst\u00fctzt SiC im Vergleich zu Silizium eine wesentlich h\u00f6here elektrische Feldst\u00e4rke, was den Betrieb bei hohen Spannungen und eine verbesserte Effizienz der Bauelemente erm\u00f6glicht.<\/p>\n

Hohe W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/h3>\n

SiC weist eine hervorragende W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit auf, die eine effiziente W\u00e4rmeableitung aus aktiven Bauteilbereichen erm\u00f6glicht. Dies verbessert die Zuverl\u00e4ssigkeit des Bauelements und verl\u00e4ngert die Betriebslebensdauer in Hochleistungsanwendungen.<\/p>\n

Hohe mechanische Festigkeit<\/h3>\n

Mit einer Mohs-H\u00e4rte von ca. 9,2 bieten SiC-Wafer eine hohe Widerstandsf\u00e4higkeit gegen mechanische Besch\u00e4digungen, Oberfl\u00e4chenverschlei\u00df und Verarbeitungsstress bei der Herstellung.<\/p>\n

Hohes elektrisches Durchschlagsfeld<\/h3>\n

Die hohe Durchbruchfeldst\u00e4rke erm\u00f6glicht kompakte Bauelementestrukturen bei gleichzeitig hoher Spannungstoleranz, wodurch sich SiC ideal f\u00fcr moderne Leistungselektronik eignet.<\/p>\n

Technische Daten<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Parameter<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Material<\/td>\nEinkristallines Siliziumkarbid<\/td>\n<\/tr>\n
Marke<\/td>\nZMSH<\/td>\n<\/tr>\n
Polytype<\/td>\n6H-N<\/td>\n<\/tr>\n
Durchmesser<\/td>\n2 Zoll (50,8 mm)<\/td>\n<\/tr>\n
Dicke<\/td>\n350 \u03bcm \/ 650 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Leitf\u00e4higkeit Typ<\/td>\nN-Typ<\/td>\n<\/tr>\n
Oberfl\u00e4che<\/td>\nCMP Poliertes Si-Gesicht<\/td>\n<\/tr>\n
C-Gesicht Behandlung<\/td>\nMechanisch poliert<\/td>\n<\/tr>\n
Oberfl\u00e4chenrauhigkeit<\/td>\nRa < 0,2 nm (Si-Oberfl\u00e4che)<\/td>\n<\/tr>\n
Widerstandsf\u00e4higkeit<\/td>\n0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n
Farbe<\/td>\nTransparent \/ Hellgr\u00fcn<\/td>\n<\/tr>\n
Verpackung<\/td>\nEinzelwaffelbeh\u00e4lter<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Materialeigenschaften von 6H-SiC<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Eigentum<\/th>\nWert<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Gitterparameter<\/td>\na = 3,073 \u00c5, c = 15,117 \u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
Mohs-H\u00e4rte<\/td>\n\u2248 9.2<\/td>\n<\/tr>\n
Dichte<\/td>\n3,21 g\/cm\u00b3<\/td>\n<\/tr>\n
W\u00e4rmeausdehnungskoeffizient<\/td>\n4-5 \u00d710-\u2076 \/K<\/td>\n<\/tr>\n
Brechungsindex (750 nm)<\/td>\nn\u2080 = 2,60, n\u2091 = 2,65<\/td>\n<\/tr>\n
Dielektrizit\u00e4tskonstante<\/td>\n\u2248 9.66<\/td>\n<\/tr>\n
W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/td>\n~3,7-3,9 W\/cm-K<\/td>\n<\/tr>\n
Bandl\u00fccke<\/td>\n3,02 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Zusammenbruch des elektrischen Feldes<\/td>\n3-5 \u00d710\u2076 V\/cm<\/td>\n<\/tr>\n
S\u00e4ttigungsdrift Geschwindigkeit<\/td>\n2,0 \u00d710\u2075 m\/s<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Aufgrund dieser intrinsischen physikalischen Eigenschaften eignet sich 6H-SiC f\u00fcr Anwendungen, die eine stabile Leistung unter extremen elektrischen und thermischen Bedingungen erfordern.<\/p>\n

\"2-ZollHerstellungsprozess<\/h2>\n

SiC-Einkristallwafer werden in der Regel nach dem Physikalisches Dampftransportverfahren (PVT)<\/strong>, ein ausgereiftes industrielles Verfahren f\u00fcr die Z\u00fcchtung von Halbleiterkristallen mit gro\u00dfer Bandl\u00fccke.<\/p>\n

Bei diesem Verfahren wird hochreines SiC-Ausgangsmaterial bei Temperaturen \u00fcber 2000 \u00b0C sublimiert. Die Dampfspezies werden durch einen sorgf\u00e4ltig kontrollierten thermischen Gradienten transportiert und auf einem Impfkristall rekristallisiert, wodurch ein Einkristallbarren (Boule) entsteht. Nach dem Wachstum wird der Boule durch Schneiden, L\u00e4ppen, Polieren und Reinigen zu Wafern verarbeitet.<\/p>\n

F\u00fcr Ger\u00e4teanwendungen k\u00f6nnen die Wafer zus\u00e4tzlich mit Chemische Abscheidung aus der Gasphase (CVD), epitaktisches Wachstum<\/strong>, was eine genaue Kontrolle der Dotierungskonzentration und der Schichtdicke erm\u00f6glicht. Dieser Schritt ist f\u00fcr die Herstellung von MOSFETs und Dioden unerl\u00e4sslich.<\/p>\n

Anwendungen<\/h2>\n

Leistungselektronik<\/h3>\n

2-Zoll-6H-N-SiC-Wafer werden f\u00fcr die Entwicklung und das Prototyping von Leistungshalbleiterbauelementen verwendet, darunter Dioden, MOSFET-Strukturen und Leistungsmodule. Diese Bauelemente sind f\u00fcr Energieumwandlungssysteme und Power-Management-Schaltungen unerl\u00e4sslich.<\/p>\n

Hochtemperaturelektronik<\/h3>\n

SiC-Materialien weisen auch bei hohen Temperaturen eine stabile elektrische Leistung auf und eignen sich daher f\u00fcr die Luft- und Raumfahrtelektronik, industrielle \u00dcberwachungssysteme und Energieinfrastrukturanwendungen.<\/p>\n

Forschung und Entwicklung von Halbleitern<\/h3>\n

Aufgrund ihrer Verf\u00fcgbarkeit und Kosteneffizienz werden 2-Zoll-Wafer in Universit\u00e4tslabors, Forschungsinstituten und Pilotproduktionsumgebungen f\u00fcr Materialstudien und Ger\u00e4teexperimente eingesetzt.<\/p>\n

Optoelektronische und spezielle Anwendungen<\/h3>\n

SiC ist in bestimmten Wellenl\u00e4ngenbereichen auch optisch transparent, was seine Verwendung in speziellen photonischen und optoelektronischen Forschungsanwendungen erm\u00f6glicht.<\/p>\n

Vorteile\"2-Zoll<\/h2>\n

Die 2-Zoll-SiC-Wafer-Plattform bietet mehrere Vorteile f\u00fcr Forschung und Entwicklung:<\/p>\n

    \n
  • Geringere Kosten im Vergleich zu gr\u00f6\u00dferen Wafergr\u00f6\u00dfen<\/li>\n
  • Leichtere Handhabung f\u00fcr Experimente im Laborma\u00dfstab<\/li>\n
  • Geeignet f\u00fcr Rapid Prototyping und Prozesstests<\/li>\n
  • Stabile Kristallqualit\u00e4t f\u00fcr reproduzierbare Ergebnisse<\/li>\n
  • Flexible Anpassungsoptionen f\u00fcr Forschungsanforderungen<\/li>\n<\/ul>\n

    FAQ<\/h2>\n

    Q1: Was ist der Unterschied zwischen 6H-SiC und 4H-SiC?<\/h3>\n

    6H-SiC und 4H-SiC sind unterschiedliche Kristallpolytypen. 4H-SiC bietet im Allgemeinen eine h\u00f6here Elektronenbeweglichkeit und wird h\u00e4ufig in kommerziellen Leistungsger\u00e4ten verwendet, w\u00e4hrend 6H-SiC ein stabiles elektrisches Verhalten aufweist und h\u00e4ufig in der Forschung und f\u00fcr spezielle elektronische Anwendungen eingesetzt wird.<\/p>\n

    F2: Welche Oberfl\u00e4chenbehandlung wird auf den Wafer angewendet?<\/h3>\n

    Die Si-Seite wird durch chemisch-mechanisches Polieren (CMP) poliert, um eine ultraglatte Oberfl\u00e4che (Ra < 0,2 nm) zu erzielen. Die C-Fl\u00e4che wird mechanisch poliert, um verschiedene Verarbeitungsanforderungen zu erf\u00fcllen.<\/p>\n

    Q3: K\u00f6nnen Wafer-Spezifikationen angepasst werden?<\/h3>\n

    Ja. ZMSH bietet kundenspezifische Anpassungsm\u00f6glichkeiten, einschlie\u00dflich Dicke, Dotierungskonzentration, Widerstandsbereich und Oberfl\u00e4chenvorbereitung entsprechend den Kundenanforderungen.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    ZMSH bietet hochwertige 2-Zoll-6H-N-Siliziumkarbid (SiC)-Wafer f\u00fcr die Halbleiterforschung, die Entwicklung von Leistungselektronik und die Herstellung von Hochleistungselektronikger\u00e4ten. Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial mit breiter Bandl\u00fccke, das im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen Siliziumsubstraten hervorragende elektrische, thermische und mechanische Eigenschaften aufweist.<\/p>","protected":false},"featured_media":2197,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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