![\"4H-N](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd2-300x300.webp\")
<\/p>\nDer 6-Zoll-Wafer aus 4H-N-Siliziumkarbid ist ein Halbleitersubstrat mit breiter Bandl\u00fccke, das f\u00fcr die n\u00e4chste Generation von Leistungselektronikger\u00e4ten entwickelt wurde. Im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen Siliziummaterialien bietet SiC eine deutlich h\u00f6here elektrische Feldst\u00e4rke, eine hervorragende W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit und eine stabile Leistung unter Hochtemperatur- und Hochspannungsbedingungen.<\/p>\n
Die breite Bandl\u00fccke von etwa 3,26 eV erm\u00f6glicht es SiC-basierten Bauteilen, mit h\u00f6heren Spannungen und Schaltfrequenzen zu arbeiten und gleichzeitig geringere Energieverluste aufrechtzuerhalten. Infolgedessen ist SiC zu einem Schl\u00fcsselmaterial f\u00fcr hocheffiziente Energieumwandlungssysteme geworden, darunter Elektrofahrzeuge, Systeme f\u00fcr erneuerbare Energien und industrielle Stromversorgungen.<\/p>\n
Das 6-Zoll-Waferformat (150-mm-Klasse) ist derzeit der Industriestandard f\u00fcr die Herstellung von SiC-Bauelementen. Es bietet ein optimales Gleichgewicht zwischen Produktionsausbeute, Prozessreife und Kosteneffizienz, so dass es sich sowohl f\u00fcr die Massenproduktion als auch f\u00fcr fortgeschrittene Forschungsanwendungen eignet.<\/p>\n
4H-SiC ist aufgrund seiner vorteilhaften Kristallsymmetrie und elektrischen Leistung der in der Leistungselektronik am h\u00e4ufigsten verwendete Polytyp.<\/p>\n
Zu den wichtigsten inh\u00e4renten Eigenschaften geh\u00f6ren:<\/p>\n
Diese Eigenschaften machen SiC zu einem wichtigen Material f\u00fcr leistungsstarke und hocheffiziente Halbleiterbauelemente.<\/p>\n
![\"6-Zoll](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd4-300x300.webp\")
Kristallwachstum und Herstellungsverfahren<\/h2>\nSiC-Wafer werden in der Regel nach dem PVT-Verfahren (Physical Vapor Transport) hergestellt, einem ausgereiften industriellen Verfahren f\u00fcr das Wachstum von SiC-Kristallen.<\/p>\n
Bei diesem Verfahren wird hochreines SiC-Pulver bei Temperaturen \u00fcber 2000 \u00b0C sublimiert. Die Spezies in der Dampfphase werden unter sorgf\u00e4ltig kontrollierten thermischen Gradienten transportiert und auf einem Impfkristall rekristallisiert, wodurch eine einkristalline Kugel entsteht.<\/p>\n
Nach dem Kristallwachstum durchl\u00e4uft das Material:<\/p>\n
F\u00fcr die Herstellung von Bauelementen kann ein zus\u00e4tzlicher CVD-Epitaxieprozess angewandt werden, um hochwertige Epitaxieschichten mit kontrollierter Dotierungskonzentration und Dicke zu erzeugen.<\/p>\n
| Eigentum<\/th>\n | Z-Klasse (Produktionsklasse)<\/th>\n | D-Klasse (Ingenieurklasse)<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| Durchmesser<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Polytype<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n<\/tr>\n |
| Dicke<\/td>\n | 350 \u00b1 15 \u00b5m<\/td>\n | 350 \u00b1 25 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Leitf\u00e4higkeit Typ<\/td>\n | N-Typ<\/td>\n | N-Typ<\/td>\n<\/tr>\n |
| Off-axis-Winkel<\/td>\n | 4,0\u00b0 in Richtung \u00b1 0,5\u00b0<\/td>\n | 4,0\u00b0 in Richtung \u00b1 0,5\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n |
| Widerstandsf\u00e4higkeit<\/td>\n | 0,015 - 0,024 \u03a9-cm<\/td>\n | 0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Micropipe Dichte<\/td>\n | \u2264 0,2 cm-\u00b2<\/td>\n | \u2264 15 cm-\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n |
| Oberfl\u00e4chenrauhigkeit (Ra)<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| CMP-Rauheit<\/td>\n | \u2264 0,2 nm<\/td>\n | \u2264 0,5 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| LTV<\/td>\n | \u2264 2,5 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 5 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| TTV<\/td>\n | \u2264 6 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 15 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Bogen<\/td>\n | \u2264 25 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 40 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Warp<\/td>\n | \u2264 35 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 60 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Ausschluss von Kanten<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Verpackung<\/td>\n | Kassette \/ Einzelne Waffel<\/td>\n | Kassette \/ Einzelne Waffel<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
|
![\"6-Zoll](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd1-300x300.webp\")
Qualit\u00e4tskontrolle und Inspektion<\/h2>\n