{"id":2173,"date":"2026-04-14T03:08:56","date_gmt":"2026-04-14T03:08:56","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2173"},"modified":"2026-04-14T03:08:59","modified_gmt":"2026-04-14T03:08:59","slug":"4-inch-100mm-hpsi-silicon-carbide-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/product\/4-inch-100mm-hpsi-silicon-carbide-wafer\/","title":{"rendered":"4 Zoll 100mm HPSI Siliziumkarbid-Wafer"},"content":{"rendered":"

\"4Der 4-Zoll-HPSI-Siliziumkarbid-Wafer ist ein hochreines halbisolierendes Substrat, das f\u00fcr fortschrittliche RF-, Mikrowellen- und optoelektronische Anwendungen entwickelt wurde. HPSI steht f\u00fcr hochreines halbisolierendes Material, das sich durch einen extrem hohen spezifischen Widerstand und eine hervorragende elektrische Isolierung auszeichnet.<\/p>\n

Siliziumkarbid ist ein Halbleiter mit breiter Bandl\u00fccke, der aus Silizium und Kohlenstoff besteht. Im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen Siliziumwafern bietet es eine bessere W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit, ein h\u00f6heres elektrisches Durchbruchsfeld und eine bessere Leistung unter extremen Betriebsbedingungen. In halbisolierender Form reduziert SiC die parasit\u00e4re Leitung erheblich, was es zu einer idealen Plattform f\u00fcr elektronische Ger\u00e4te mit hoher Frequenz und hoher Leistung macht.<\/p>\n

Dieses 4-Zoll-Waferformat wird aufgrund seines ausgewogenen Verh\u00e4ltnisses zwischen Kosten, Reifegrad und Prozesskompatibilit\u00e4t sowohl in der Forschung als auch in der industriellen Produktion h\u00e4ufig eingesetzt. Es eignet sich besonders f\u00fcr HF-Ger\u00e4te, 5G-Kommunikationssysteme, Radarmodule und neue optische Technologien wie AR-Wellenleiterkomponenten.<\/p>\n

Spezifikationen<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Parameter<\/th>\nWert<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Durchmesser<\/td>\n100 \u00b1 0,5 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Dicke<\/td>\n350 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Material<\/td>\nSiC-Einkristall<\/td>\n<\/tr>\n
Typ<\/td>\nHPSI (halb-isolierend)<\/td>\n<\/tr>\n
Widerstandsf\u00e4higkeit<\/td>\n\u22651E5 bis \u22651E10 Ohm-cm<\/td>\n<\/tr>\n
Oberfl\u00e4chenrauhigkeit<\/td>\nCMP Ra \u2264 0,2 nm<\/td>\n<\/tr>\n
TTV<\/td>\n\u2264 10 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Warp<\/td>\n\u2264 30 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Orientierung<\/td>\nOptionen f\u00fcr die Achse oder f\u00fcr den Off-Axis-Bereich<\/td>\n<\/tr>\n
Kante<\/td>\nStandard SEMI-Fase<\/td>\n<\/tr>\n
Klasse<\/td>\nProduktion \/ Forschung \/ Dummy<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Diese Parameter gew\u00e4hrleisten eine hohe Oberfl\u00e4chenqualit\u00e4t, eine geringe Defektdichte und stabile mechanische Eigenschaften, die f\u00fcr das Epitaxiewachstum und die Herstellung von Pr\u00e4zisionsbauteilen erforderlich sind.<\/p>\n

Materialeigenschaften\"\"<\/h2>\n

Siliziumkarbid ist eines der wichtigsten Halbleitermaterialien der dritten Generation. Seine gro\u00dfe Bandl\u00fccke erm\u00f6glicht den Betrieb von Ger\u00e4ten bei h\u00f6heren Spannungen und geringeren Leckstr\u00f6men als bei Silizium.<\/p>\n

HPSI-Wafer zeichnen sich durch einen extrem hohen spezifischen Widerstand aus. Diese Eigenschaft minimiert den unerw\u00fcnschten Stromfluss innerhalb des Substrats, was f\u00fcr die Aufrechterhaltung der Signalintegrit\u00e4t bei HF- und Mikrowellenanwendungen entscheidend ist.<\/p>\n

Die W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit ist deutlich h\u00f6her als bei herk\u00f6mmlichen Halbleitermaterialien, was eine effiziente W\u00e4rmeableitung im Hochleistungsbetrieb erm\u00f6glicht. Dies verringert die thermische Belastung und verbessert die langfristige Zuverl\u00e4ssigkeit.<\/p>\n

SiC weist auch ein hohes elektrisches Durchbruchsfeld auf, so dass die Ger\u00e4te hohe Spannungen verarbeiten k\u00f6nnen, ohne gr\u00f6\u00dfer zu werden. Dar\u00fcber hinaus bleibt das Material auch bei hohen Temperaturen, hohen Frequenzen und Strahlung stabil und eignet sich daher f\u00fcr anspruchsvolle Umgebungen.<\/p>\n

Anwendungen<\/h2>\n

RF- und Mikrowellenger\u00e4te<\/strong>
HPSI-Siliciumcarbid-Wafer werden h\u00e4ufig als Substrate f\u00fcr HF-Verst\u00e4rker und Hochfrequenzschaltungen verwendet. Ihr hoher spezifischer Widerstand verringert die parasit\u00e4ren Verluste und verbessert die Effizienz der Signal\u00fcbertragung, was sie f\u00fcr die moderne Kommunikationselektronik unverzichtbar macht.<\/p>\n

5G-Kommunikationsinfrastruktur<\/strong>
In 5G-Systemen arbeiten die Ger\u00e4te mit h\u00f6heren Frequenzen und erfordern Materialien mit hervorragender elektrischer Isolierung. HPSI-SiC-Wafer unterst\u00fctzen eine stabile Leistung in Basisstationen und drahtlosen Modulen und erm\u00f6glichen eine h\u00f6here Daten\u00fcbertragungseffizienz und einen geringeren Energieverlust.<\/p>\n

AR-Brillen und optische Systeme<\/strong>
In Ger\u00e4ten der erweiterten Realit\u00e4t werden SiC-Wafer in optischen und wellenleiterbezogenen Komponenten verwendet. Ihre strukturelle Stabilit\u00e4t und Kompatibilit\u00e4t mit Pr\u00e4zisionsverarbeitungstechnologien unterst\u00fctzen die Entwicklung kompakter und leistungsstarker optischer Systeme.<\/p>\n

Radar und Verteidigungssysteme<\/strong>
HPSI-SiC-Substrate eignen sich f\u00fcr Radar- und Verteidigungselektronik, die hohe Leistung, hohe Frequenzen und Zuverl\u00e4ssigkeit erfordert. Sie gew\u00e4hrleisten einen stabilen Betrieb unter extremen Umweltbedingungen, einschlie\u00dflich hoher Temperaturen und Strahlung.<\/p>\n

Optoelektronische Ger\u00e4te<\/strong>
Diese Wafer werden auch in optoelektronischen und photonischen Ger\u00e4ten verwendet, bei denen die elektrische Isolierung und die thermische Leistung f\u00fcr die Effizienz und Stabilit\u00e4t der Ger\u00e4te entscheidend sind.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

Verf\u00fcgbare Klassen<\/h2>\n

Produktionsqualit\u00e4t
F\u00fcr die kommerzielle Herstellung von Ger\u00e4ten mit strenger Qualit\u00e4tskontrolle und geringer Fehlerdichte.<\/p>\n

Forschungsnote
Geeignet f\u00fcr Laborentwicklung, Tests und Prozessoptimierung.<\/p>\n

Dummy-Bewertung
Angewandt bei der Kalibrierung von Ger\u00e4ten, bei Prozesstests und bei nicht-funktionalen Anwendungen.<\/p>\n

Si vs. SiC Vergleich<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Eigentum<\/th>\nSilizium<\/th>\nSiliziumkarbid<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Bandl\u00fccke<\/td>\n1,12 eV<\/td>\n~3,26 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Widerstandsf\u00e4higkeit<\/td>\nNiedrig<\/td>\nSehr hoch (HPSI)<\/td>\n<\/tr>\n
W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/td>\nM\u00e4\u00dfig<\/td>\nHoch<\/td>\n<\/tr>\n
Frequenzf\u00e4higkeit<\/td>\nBegrenzt<\/td>\nAusgezeichnet<\/td>\n<\/tr>\n
Anwendungsschwerpunkt<\/td>\nLogik und IC<\/td>\nRF und Hochfrequenz<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

In der konventionellen Elektronik dominiert nach wie vor Silizium, w\u00e4hrend in Hochfrequenz- und Hochleistungssystemen zunehmend Siliziumkarbid eingesetzt wird.<\/p>\n

FAQ<\/h2>\n

F: Was ist ein HPSI-Siliziumkarbid-Wafer?
Ein HPSI-Wafer ist ein hochreines, halbisolierendes Siliziumkarbid-Substrat mit einem sehr hohen elektrischen Widerstand, das f\u00fcr HF-, Mikrowellen- und optoelektronische Anwendungen entwickelt wurde.<\/p>\n

F: Warum ist ein hoher spezifischer Widerstand wichtig?
Ein hoher spezifischer Widerstand reduziert die parasit\u00e4re Leitung und Signalst\u00f6rungen, was f\u00fcr die Aufrechterhaltung der Effizienz und Signalintegrit\u00e4t in Hochfrequenzger\u00e4ten von entscheidender Bedeutung ist.<\/p>\n

F: Ist Siliziumkarbid f\u00fcr optische Anwendungen geeignet?
Ja, Siliziumkarbid kann aufgrund seiner thermischen Stabilit\u00e4t und seiner Kompatibilit\u00e4t mit fortschrittlichen Herstellungsverfahren in bestimmten optischen und photonischen Anwendungen eingesetzt werden.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Der 4-Zoll-HPSI-Siliziumkarbid-Wafer ist ein Schl\u00fcsselmaterial f\u00fcr Hochfrequenz- und elektronische Systeme der n\u00e4chsten Generation. Seine Kombination aus hohem spezifischen Widerstand, thermischer Leistung und struktureller Stabilit\u00e4t macht es zu einer idealen Wahl f\u00fcr HF-Ger\u00e4te, Kommunikationsinfrastrukturen und neue optische Technologien. Da die Nachfrage nach Hochleistungs- und Hochfrequenzsystemen weiter steigt, gewinnen HPSI-SiC-Substrate in modernen Halbleiteranwendungen zunehmend an Bedeutung.<\/p>","protected":false},"featured_media":2174,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[729],"product_tag":[930,938,936,937,940,941,942,939,927,692],"class_list":{"0":"post-2173","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-wafer","7":"product_tag-4-inch-sic-wafer","8":"product_tag-high-resistivity-sic","9":"product_tag-hpsi-silicon-carbide-wafer","10":"product_tag-semi-insulating-sic","11":"product_tag-sic-for-5g","12":"product_tag-sic-for-ar-glasses","13":"product_tag-sic-optical-substrate","14":"product_tag-sic-rf-substrate","15":"product_tag-silicon-carbide-wafer","16":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor","17":"desktop-align-left","18":"tablet-align-left","19":"mobile-align-left","20":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","21":"ast-product-tabs-layout-horizontal","23":"first","24":"instock","25":"shipping-taxable","26":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2173","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2173"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2173\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2179,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2173\/revisions\/2179"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2174"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2173"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2173"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2173"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2173"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}