{"id":2077,"date":"2026-04-03T02:07:51","date_gmt":"2026-04-03T02:07:51","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&#038;p=2077"},"modified":"2026-04-03T02:09:04","modified_gmt":"2026-04-03T02:09:04","slug":"integrated-vertical-airflow-sic-epitaxy-equipment-for-6-8-epi-wafers","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/product\/integrated-vertical-airflow-sic-epitaxy-equipment-for-6-8-epi-wafers\/","title":{"rendered":"Integrierte vertikale Luftstrom-SiC-Epitaxieanlage f\u00fcr 6\u201d\/8\u201d Epi-Wafer"},"content":{"rendered":"<p data-start=\"187\" data-end=\"641\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" class=\"size-medium wp-image-2079 alignright\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow-300x300.png\" alt=\"\" width=\"300\" height=\"300\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow-300x300.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow-150x150.png 150w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow-768x768.png 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow-12x12.png 12w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow-600x600.png 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow-100x100.png 100w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow.png 1000w\" sizes=\"(max-width: 300px) 100vw, 300px\" \/>Das Integrated Vertical Airflow Silicon Carbide (SiC) Epitaxy Equipment ist ein fortschrittliches Epitaxie-System, das f\u00fcr die hocheffiziente Produktion von 6- und 8-Zoll-SiC-Epi-Wafern entwickelt wurde. Dieses System wurde entwickelt, um den wachsenden Anforderungen der Leistungshalbleiterfertigung gerecht zu werden. Es integriert eine pr\u00e4zise thermische Steuerung, eine optimierte Gasflussdynamik und eine intelligente Automatisierung, um au\u00dfergew\u00f6hnliche Leistungen in Bezug auf Gleichm\u00e4\u00dfigkeit, Durchsatz und Defektkontrolle zu erzielen.<\/p>\n<p data-start=\"643\" data-end=\"982\">Das Herzst\u00fcck des Systems ist ein innovativer vertikaler Luftstromduschkopf, der eine gleichm\u00e4\u00dfige Verteilung der Prozessgase \u00fcber die Waferoberfl\u00e4che erm\u00f6glicht. Kombiniert mit einer Mehrzonen-Temperaturfeldsteuerung gew\u00e4hrleistet es eine hervorragende Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Schichtdicke und eine stabile Dotierungskonzentration - entscheidend f\u00fcr leistungsstarke SiC-Leistungsbauelemente.<\/p>\n<p data-start=\"984\" data-end=\"1310\">Das System verf\u00fcgt \u00fcber eine hochintegrierte Struktur mit automatisiertem Waferhandling \u00fcber ein EFEM-System und einen Hochtemperatur-Wafertransfermechanismus. Dies erm\u00f6glicht eine nahtlose Integration in moderne Halbleiterproduktionslinien, reduziert manuelle Eingriffe und verbessert die Prozesskonsistenz und Betriebseffizienz.<\/p>\n<p data-start=\"1312\" data-end=\"1615\">Um die industrielle Fertigung zu unterst\u00fctzen, verf\u00fcgt die Anlage \u00fcber eine Zweikammer-Konfiguration, die einen kontinuierlichen Betrieb mit mehreren \u00d6fen erm\u00f6glicht. Mit einem Durchsatz von \u00fcber 1.100 Wafern pro Monat - und bis zu 1.200 Wafern durch Prozessoptimierung - eignet sich die Anlage gut f\u00fcr hochvolumige Produktionsumgebungen.<\/p>\n<p data-start=\"1617\" data-end=\"1971\">Die Anlage ist sowohl mit 6-Zoll- als auch mit 8-Zoll-SiC-Wafern kompatibel und bietet Herstellern, die auf gr\u00f6\u00dfere Wafergr\u00f6\u00dfen umsteigen, Flexibilit\u00e4t. Die Anlage ist au\u00dferdem hervorragend f\u00fcr das Wachstum dicker Epitaxieschichten und die Trench-Filling-Epitaxie geeignet, wodurch sie sich besonders f\u00fcr die Herstellung moderner Hochspannungs- und Hochleistungsbauelemente eignet.<\/p>\n<p data-start=\"1973\" data-end=\"2214\">Dar\u00fcber hinaus gew\u00e4hrleistet das optimierte Reaktordesign eine geringe Fehlerdichte, eine verbesserte Ausbeute und geringere Betriebskosten. Die robuste Bauweise und das wartungsfreundliche Design verbessern die langfristige Zuverl\u00e4ssigkeit und Betriebsstabilit\u00e4t weiter.<\/p>\n<h2 data-section-id=\"qpn8c9\" data-start=\"2221\" data-end=\"2252\"><span role=\"text\"><img decoding=\"async\" class=\"size-medium wp-image-2078 alignright\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow2-300x300.png\" alt=\"\" width=\"300\" height=\"300\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow2-300x300.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow2-150x150.png 150w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Integrated-Silicon-Carbide-Epitaxy-Equipment-with-Vertical-Airflow2-768x768.png 768w, 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f\u00fcr pr\u00e4zises W\u00e4rmemanagement<\/li>\n<li data-section-id=\"1emeqzr\" data-start=\"2388\" data-end=\"2449\">Zweikammer-Konfiguration f\u00fcr hohen Produktionsdurchsatz<\/li>\n<li data-section-id=\"rs6yfl\" data-start=\"2450\" data-end=\"2499\">Geringe Fehlerdichte und hohe Ertragsleistung<\/li>\n<li data-section-id=\"h9m4ox\" data-start=\"2500\" data-end=\"2550\">Automatisiertes Wafer-Handling mit EFEM-Integration<\/li>\n<li data-section-id=\"bze71o\" data-start=\"2551\" data-end=\"2594\">Kompatibilit\u00e4t mit 6\u201d und 8\u201d SiC-Wafern<\/li>\n<li data-section-id=\"xhhop\" data-start=\"2595\" data-end=\"2655\">Optimiert f\u00fcr dicke Epitaxie und Trench-Filling-Prozesse<\/li>\n<li data-section-id=\"1a3549x\" data-start=\"2656\" data-end=\"2704\">Hohe Zuverl\u00e4ssigkeit bei vereinfachter Wartung<\/li>\n<\/ul>\n<h2 data-section-id=\"ca04ra\" data-start=\"2711\" data-end=\"2737\"><span role=\"text\">Prozessleistung<\/span><\/h2>\n<div class=\"TyagGW_tableContainer\">\n<div class=\"group TyagGW_tableWrapper flex flex-col-reverse w-fit\" tabindex=\"-1\">\n<table class=\"w-fit min-w-(--thread-content-width)\" data-start=\"2739\" data-end=\"3287\">\n<thead data-start=\"2739\" data-end=\"2768\">\n<tr data-start=\"2739\" data-end=\"2768\">\n<th class=\"\" data-start=\"2739\" data-end=\"2751\" data-col-size=\"sm\">Parameter<\/th>\n<th class=\"\" data-start=\"2751\" data-end=\"2768\" data-col-size=\"md\">Spezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody data-start=\"2796\" data-end=\"3287\">\n<tr data-start=\"2796\" data-end=\"2884\">\n<td data-start=\"2796\" data-end=\"2809\" data-col-size=\"sm\">Durchsatz<\/td>\n<td data-start=\"2809\" data-end=\"2884\" data-col-size=\"md\">\u22651100 Wafer\/Monat (Doppelkammern), bis zu 1200 Wafer\/Monat (optimiert)<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"2885\" data-end=\"2938\">\n<td data-start=\"2885\" data-end=\"2912\" data-col-size=\"sm\">Kompatibilit\u00e4t der Wafergr\u00f6\u00dfen<\/td>\n<td data-col-size=\"md\" data-start=\"2912\" data-end=\"2938\">6\u201d \/ 8\u201d SiC-Epi-wafers<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"2939\" data-end=\"2975\">\n<td data-start=\"2939\" data-end=\"2961\" data-col-size=\"sm\">Temperaturkontrolle<\/td>\n<td data-start=\"2961\" data-end=\"2975\" data-col-size=\"md\">Multi-Zone<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"2976\" data-end=\"3035\">\n<td data-start=\"2976\" data-end=\"2993\" data-col-size=\"sm\">Luftstrom-System<\/td>\n<td data-start=\"2993\" data-end=\"3035\" data-col-size=\"md\">Vertikal einstellbarer Mehrzonen-Luftstrom<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3036\" data-end=\"3067\">\n<td data-start=\"3036\" data-end=\"3053\" data-col-size=\"sm\">Rotationsgeschwindigkeit<\/td>\n<td data-start=\"3053\" data-end=\"3067\" data-col-size=\"md\">0-1000 U\/min<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3068\" data-end=\"3101\">\n<td data-start=\"3068\" data-end=\"3086\" data-col-size=\"sm\">Maximale Wachstumsrate<\/td>\n<td data-start=\"3086\" data-end=\"3101\" data-col-size=\"md\">\u226560 \u03bcm\/Stunde<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3102\" data-end=\"3163\">\n<td data-start=\"3102\" data-end=\"3125\" data-col-size=\"sm\">Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Dicke<\/td>\n<td data-col-size=\"md\" data-start=\"3125\" data-end=\"3163\">\u22642% (optimiert \u22641%, \u03c3\/avg, EE 5mm)<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3164\" data-end=\"3224\">\n<td data-start=\"3164\" data-end=\"3184\" data-col-size=\"sm\">Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Dotierung<\/td>\n<td data-col-size=\"md\" data-start=\"3184\" data-end=\"3224\">\u22643% (optimiert \u22641,5%, \u03c3\/avg, EE 5mm)<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3225\" data-end=\"3287\">\n<td data-start=\"3225\" data-end=\"3249\" data-col-size=\"sm\">Killer Defect Density<\/td>\n<td data-col-size=\"md\" data-start=\"3249\" data-end=\"3287\">\u22640,2 cm-\u00b2 (optimiert auf 0,01 cm-\u00b2)<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<h2 data-section-id=\"1w46w82\" data-start=\"3294\" data-end=\"3322\"><span role=\"text\">Anwendungsszenarien<\/span><\/h2>\n<p data-start=\"3324\" data-end=\"3514\">Diese Ger\u00e4te werden in gro\u00dfem Umfang f\u00fcr die Herstellung von modernen Halbleiterbauelementen auf SiC-Basis verwendet, insbesondere in Branchen, die einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Spannung und eine hohe thermische Leistung ben\u00f6tigen:<\/p>\n<ul data-start=\"3516\" data-end=\"4364\">\n<li data-section-id=\"qrtaas\" data-start=\"3516\" data-end=\"3707\">Elektrofahrzeuge (EVs)<br data-start=\"3545\" data-end=\"3548\" \/>Wird bei der Herstellung von SiC-MOSFETs und Leistungsmodulen f\u00fcr Wechselrichter, Onboard-Ladeger\u00e4te und DC-DC-Wandler verwendet und verbessert die Energieeffizienz und den Aktionsradius.<\/li>\n<li data-section-id=\"1j97evh\" data-start=\"3709\" data-end=\"3867\">Erneuerbare Energiesysteme<br data-start=\"3739\" data-end=\"3742\" \/>Sie werden in Photovoltaik-Wechselrichtern und Energiespeichersystemen eingesetzt und erm\u00f6glichen eine h\u00f6here Umwandlungseffizienz und Systemzuverl\u00e4ssigkeit.<\/li>\n<li data-section-id=\"8pfhmh\" data-start=\"3869\" data-end=\"4041\">Industrielle Leistungselektronik<br data-start=\"3903\" data-end=\"3906\" \/>Geeignet f\u00fcr leistungsstarke Motorantriebe, industrielle Automatisierungssysteme und Netzteile, die einen stabilen und effizienten Betrieb erfordern.<\/li>\n<li data-section-id=\"frfj8s\" data-start=\"4043\" data-end=\"4206\">Schienentransit und Stromnetze<br data-start=\"4075\" data-end=\"4078\" \/>Unterst\u00fctzt Hochspannungs- und Hochfrequenzger\u00e4te, die in intelligenten Netzen, Traktionssystemen und Strom\u00fcbertragungsinfrastrukturen eingesetzt werden.<\/li>\n<li data-section-id=\"1k6eb43\" data-start=\"4208\" data-end=\"4364\">High-End-Leistungsger\u00e4te<br data-start=\"4236\" data-end=\"4239\" \/>Ideal f\u00fcr die Herstellung moderner SiC-Bauelemente wie Schottky-Dioden, MOSFETs und Hochspannungskomponenten der n\u00e4chsten Generation.<\/li>\n<\/ul>\n<p><img decoding=\"async\" class=\"wp-image-2080 size-large aligncenter\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-1024x578.png\" alt=\"\" width=\"1024\" height=\"578\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-1024x578.png 1024w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-300x169.png 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-768x433.png 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-18x10.png 18w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application-600x339.png 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/application.png 1285w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/p>\n<h2 data-section-id=\"elc90z\" data-start=\"4371\" data-end=\"4381\"><span role=\"text\">FAQ<\/span><\/h2>\n<h3 data-section-id=\"1f731tm\" data-start=\"4383\" data-end=\"4453\"><span role=\"text\">1. Welche Wafergr\u00f6\u00dfen werden von dieser Epitaxieanlage unterst\u00fctzt?<\/span><\/h3>\n<p data-start=\"4454\" data-end=\"4606\">Das System unterst\u00fctzt sowohl 6-Zoll- als auch 8-Zoll-SiC-Wafer und erm\u00f6glicht es den Herstellern, die aktuellen Produktionsanforderungen zu erf\u00fcllen und sich gleichzeitig auf eine zuk\u00fcnftige Skalierung vorzubereiten.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"8a4v60\" data-start=\"4613\" data-end=\"4683\"><span role=\"text\">2. Welche Vorteile bietet das vertikale Luftstromdesign?<\/span><\/h3>\n<p data-start=\"4684\" data-end=\"4858\">Das vertikale Luftstromsystem sorgt f\u00fcr eine gleichm\u00e4\u00dfige Gasverteilung auf dem Wafer, wodurch die Dickenkonsistenz verbessert, Defekte reduziert und die Epitaxiequalit\u00e4t insgesamt verbessert wird.<\/p>\n<h3 data-section-id=\"1rbmoqb\" data-start=\"4865\" data-end=\"4935\"><span role=\"text\">3. Eignet sich das Ger\u00e4t f\u00fcr die Gro\u00dfserienfertigung?<\/span><\/h3>\n<p data-start=\"4936\" data-end=\"5110\">Ja, das System verf\u00fcgt \u00fcber eine Zweikammer-Konfiguration und einen kontinuierlichen Betriebsmodus mit einem monatlichen Durchsatz von \u00fcber 1100 Wafern. Sie eignet sich gut f\u00fcr eine stabile industrielle Produktion in gro\u00dfem Ma\u00dfstab und gew\u00e4hrleistet eine konstante Produktion, eine hohe Ertragsstabilit\u00e4t und eine langfristige betriebliche Effizienz.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Die Integrated Vertical Airflow Silicon Carbide (SiC) Epitaxy Equipment ist ein fortschrittliches Epitaxie-System, das f\u00fcr die hocheffiziente Produktion von 6-Zoll- und 8-Zoll-SiC-Epi-Wafern entwickelt wurde.<\/p>","protected":false},"featured_media":2078,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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