{"id":1981,"date":"2026-03-23T06:13:43","date_gmt":"2026-03-23T06:13:43","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=1981"},"modified":"2026-03-23T06:18:04","modified_gmt":"2026-03-23T06:18:04","slug":"sic-raw-material-synthesis-furnace","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/product\/sic-raw-material-synthesis-furnace\/","title":{"rendered":"50kg SiC-Rohstoff-Synthese-Ofen Hochreine Siliziumkarbid-Kristallpr\u00e4paration"},"content":{"rendered":"

\"\"Der 50-kg-SiC-Rohstoffsyntheseofen ist ein spezialisierter Hochtemperaturofen, der f\u00fcr die Herstellung von hochreinem Siliziumkarbid (SiC)-Rohstoff ausgelegt ist. Als kritisches Halbleiter- und Keramikmaterial wird SiC weithin inn Leistungselektronik, Hochtemperaturger\u00e4te, verschlei\u00dffeste Materialien und optische Komponenten.<\/span><\/p>\n

Dieser Ofen wandelt Silizium (Si) und Kohlenstoff (C) durch eine kontrollierte chemische Hochtemperaturreaktion in SiC um und ist damit ein wesentlicher Bestandteil der Siliziumkarbid-Produktionskette. Seine Konstruktion gew\u00e4hrleistet eine hohe Reinheit, einen stabilen Betrieb und eine gleichbleibende Leistung, so dass die Hersteller die strengen Anforderungen moderner Halbleiter- und Hochleistungskeramikanwendungen erf\u00fcllen k\u00f6nnen.<\/p>\n

Die wichtigsten Vorteile<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
  • Kapazit\u00e4t bei hohen Temperaturen:<\/strong> Bietet Ofentemperaturen von bis zu 2400\u00b0C, geeignet f\u00fcr eine effiziente SiC-Synthese.<\/li>\n
  • Hochreine Leistung:<\/strong> Nutzt hochreine Ausgangsstoffe und eine kontrollierte Schutzgasatmosph\u00e4re zur Herstellung von hochreinem SiC.<\/li>\n
  • Stabile Leistung:<\/strong> Die robuste Konstruktion gew\u00e4hrleistet einen zuverl\u00e4ssigen Betrieb f\u00fcr eine langfristige, kontinuierliche Produktion.<\/li>\n
  • Geringe Kontamination:<\/strong> Inerte Atmosph\u00e4re und saubere Materialien minimieren den Einbau von Verunreinigungen.<\/li>\n
  • Gro\u00dfe Ladekapazit\u00e4t:<\/strong> Kann bis zu 50 kg Rohmaterial aufnehmen, was die Produktivit\u00e4t und Kompatibilit\u00e4t mit mehreren Kristall\u00f6fen verbessert.<\/li>\n
  • Pr\u00e4zise Kontrolle:<\/strong> Fortschrittliche Temperatur- und Druckregelung, optional mit doppelter Temperaturmessung und Infrarot\u00fcberwachung zur Prozessoptimierung.<\/li>\n
  • Flexible Konfiguration:<\/strong> Das modulare Design erm\u00f6glicht die Installation nebeneinander, um Platz zu sparen und die Anlagenauslastung zu optimieren.<\/li>\n<\/ul>\n

    Technische Daten<\/strong><\/span><\/h2>\n
    \n
    \n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
    Merkmal<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
    Abmessungen (L\u00d7B\u00d7H)<\/td>\n4000\u00d73400\u00d74300 mm (anpassbar)<\/td>\n<\/tr>\n
    Durchmesser der Ofenkammer<\/td>\n1100 mm<\/td>\n<\/tr>\n
    Ladekapazit\u00e4t<\/td>\n50 kg<\/td>\n<\/tr>\n
    Ultimatives Vakuum<\/td>\n10-\u00b2 Pa (2 Stunden nach Inbetriebnahme der Molekularpumpe)<\/td>\n<\/tr>\n
    Druckanstiegsrate in der Kammer<\/td>\n\u226410 Pa\/h (nach der Kalzination)<\/td>\n<\/tr>\n
    Hub der unteren Ofenabdeckung<\/td>\n1500 mm<\/td>\n<\/tr>\n
    Heizmethode<\/td>\nInduktionserw\u00e4rmung<\/td>\n<\/tr>\n
    Maximale Temperatur<\/td>\n2400\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    Heizung Stromversorgung<\/td>\n2\u00d740 kW<\/td>\n<\/tr>\n
    Messung der Temperatur<\/td>\nZwei-Farben-Infrarot-Thermometer<\/td>\n<\/tr>\n
    Temperaturbereich<\/td>\n900-3000\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    Genauigkeit der Temperaturregelung<\/td>\n\u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    Druckregelbereich<\/td>\n1-700 mbar<\/td>\n<\/tr>\n
    Genauigkeit der Druckregelung<\/td>\n1-5 mbar (je nach Bereich)<\/td>\n<\/tr>\n
    Ladeverfahren<\/td>\nNiedrigere Beladung; optionaler Entladestapler und zwei Temperaturpunkte<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

    Design-Vorteile<\/strong><\/span><\/h2>\n
      \n
    1. Dank der hohen Beschickungskapazit\u00e4t kann ein einziger Ofen mehrere Langkristall\u00f6fen versorgen, was die Produktionseffizienz verbessert.<\/li>\n
    2. Die doppelte Stromversorgung mit identischer Frequenz gew\u00e4hrleistet eine pr\u00e4zise Steuerung des axialen Temperaturgradienten.<\/li>\n
    3. Die Infrarot-Temperaturmessung an der Ober- und Unterseite erleichtert die Temperatur\u00fcberwachung in Echtzeit und die Fehlersuche im Prozess.<\/li>\n
    4. Die hohe Pr\u00e4zision der Vakuum-, Druck- und Temperaturkontrolle gew\u00e4hrleistet die Synthese von hochreinem SiC-Rohmaterial.<\/li>\n
    5. Sicheres und zuverl\u00e4ssiges Be- und Entladesystem, optional mit einem Entladestapler ausgestattet.<\/li>\n
    6. Hochpr\u00e4zise Absperrklappen und Massendurchflussregler sorgen f\u00fcr eine stabile Prozessatmosph\u00e4re.<\/li>\n
    7. Die modulare Bauweise erm\u00f6glicht eine Anordnung nebeneinander und optimiert so den Platzbedarf und die Anlagenauslastung.<\/li>\n<\/ol>\n

      \"\"<\/p>\n

      Anwendungen und Vorteile<\/strong><\/span><\/h2>\n

      Der SiC-Rohstoffsyntheseofen produziert effizient hochreines Siliciumcarbid und erreicht Reinheiten von 99,999% oder h\u00f6her. Das synthetisierte SiC-Rohmaterial ist ideal f\u00fcr:<\/p>\n

        \n
      • Einkristallines Wachstum:<\/strong> Herstellung von hochwertigen SiC-Kristallen f\u00fcr Leistungsbauelemente wie MOSFETs und Dioden.<\/li>\n
      • Leistungselektronik:<\/strong> Erm\u00f6glicht Ger\u00e4te mit hoher Spannung, geringen Verlusten und hoher Frequenzleistung.<\/li>\n
      • Automobilindustrie und erneuerbare Energien:<\/strong> Verbesserung von Elektrofahrzeugen, Solar-Wechselrichtern und anderen Hochleistungsanwendungen.<\/li>\n
      • Hochleistungskeramik und optische Ger\u00e4te:<\/strong> Ausweitung der SiC-Anwendungen \u00fcber Halbleiter hinaus auf Industriekeramik und optische Komponenten.<\/li>\n<\/ul>\n

        ZMSH Dienstleistungen<\/strong><\/span><\/h2>\n

        ZMSH bietet eine umfassende Prozessunterst\u00fctzung von der Ofenkonstruktion und -herstellung bis hin zum Kundendienst. Dazu geh\u00f6ren die Anpassung der Anlagen, die Prozessoptimierung und die technische Schulung. Mit fortschrittlicher Technologie und umfassender Branchenerfahrung gew\u00e4hrleistet ZMSH einen hocheffizienten, stabilen Betrieb mit geringem Energieverbrauch und bietet schnelle technische Unterst\u00fctzung rund um die Uhr, um Kunden bei der gro\u00dftechnischen Produktion von hochreinen Siliziumkarbid-Rohstoffen zu unterst\u00fctzen.<\/p>\n

        H\u00e4ufig gestellte Fragen (FAQ)<\/strong><\/span><\/h2>\n

        Q1: Wozu dient ein Ofen f\u00fcr die Synthese von SiC-Rohstoffen?<\/strong>
        A: Es wird zur Herstellung von hochreinem Siliziumkarbid (SiC) durch chemische Reaktionen bei hohen Temperaturen verwendet, das f\u00fcr Halbleiter, Keramik und optische Komponenten unerl\u00e4sslich ist.<\/p>\n

        F2: Warum ist ein SiC-Syntheseofen f\u00fcr die Halbleiterproduktion wichtig?<\/strong>
        A: Es erm\u00f6glicht die Herstellung von hochreinem SiC, das f\u00fcr die Z\u00fcchtung hochwertiger SiC-Kristalle, die in der Leistungselektronik und in Hochfrequenzger\u00e4ten verwendet werden, von entscheidender Bedeutung ist.<\/p>\n

        F3: Wie hoch ist die maximale Ladekapazit\u00e4t des Ofens?<\/strong>
        A: Die Standard-Beladekapazit\u00e4t betr\u00e4gt 50 kg und erm\u00f6glicht die Produktion in gro\u00dfen Mengen und die Beschickung mehrerer Kristall\u00f6fen.<\/p>\n

        F4: Wie genau ist die Temperatur- und Druckregelung des Ofens?<\/strong>
        A: Die Genauigkeit der Temperaturregelung betr\u00e4gt \u00b11\u00b0C. Die Genauigkeit der Druckregelung liegt je nach Druckbereich zwischen \u00b10,1 mbar und \u00b10,5 mbar und gew\u00e4hrleistet eine stabile hochreine SiC-Synthese.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

        Der 50-kg-SiC-Rohstoffsyntheseofen ist ein spezieller Hochtemperaturofen f\u00fcr die Herstellung hochreiner Siliziumkarbid-Rohstoffe (SiC). Als wichtiges Halbleiter- und Keramikmaterial findet SiC breite Anwendung in der Leistungselektronik, in Hochtemperaturger\u00e4ten, verschlei\u00dffesten Materialien und optischen 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