{"id":1968,"date":"2026-03-23T06:01:20","date_gmt":"2026-03-23T06:01:20","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=1968"},"modified":"2026-03-23T06:03:52","modified_gmt":"2026-03-23T06:03:52","slug":"lpcvd-oxidation-furnace","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/product\/lpcvd-oxidation-furnace\/","title":{"rendered":"6\/8\/12-Zoll-LPCVD-Oxidationsofen mit hoher Gleichm\u00e4\u00dfigkeit bei der D\u00fcnnschichtabscheidung f\u00fcr die moderne Halbleiterfertigung"},"content":{"rendered":"

Der 6\/8\/12-Zoll-LPCVD-Oxidationsofen ist ein hochmodernes Werkzeug f\u00fcr die Halbleiterherstellung, das f\u00fcr die pr\u00e4zise und gleichm\u00e4\u00dfige Abscheidung von D\u00fcnnschichten entwickelt wurde. Er findet breite Anwendung beim Aufwachsen hochwertiger Polysilizium-, Siliziumnitrid- und Siliziumoxidschichten auf Wafern und gew\u00e4hrleistet eine gleichbleibende Leistung f\u00fcr Leistungshalbleiter, moderne Substrate und andere hochpr\u00e4zise Anwendungen.<\/p>\n

Diese Anlage kombiniert fortschrittliche Niederdruck-Abscheidungstechnologie, intelligente Temperatursteuerung und ein extrem sauberes Prozessdesign, um eine au\u00dfergew\u00f6hnliche Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der D\u00fcnnschicht und einen hohen Durchsatz zu erzielen. Die vertikale Reaktorkonfiguration erm\u00f6glicht eine effiziente Stapelverarbeitung, w\u00e4hrend der thermische Abscheidungsprozess plasmainduzierte Sch\u00e4den vermeidet, was ihn ideal f\u00fcr kritische Prozesse wie die Bildung von Gate-Dielektrikum, Spannungspufferschichten und Schutzoxiden macht.<\/p>\n

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Die wichtigsten Vorteile<\/strong><\/span><\/h2>\n
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  • High Uniformity Thin-Film Deposition:<\/strong> Die Niederdruckumgebung (0,1-10 Torr) gew\u00e4hrleistet eine Gleichm\u00e4\u00dfigkeit von \u00b11,5% von Wafer zu Wafer und innerhalb der Wafer, was f\u00fcr die Herstellung von Hochleistungsbauteilen entscheidend ist.<\/li>\n
  • Vertikale Reaktorkonstruktion:<\/strong> Verarbeitet 150-200 Wafer pro Charge und verbessert so den Durchsatz und die Produktionseffizienz in der industriellen Halbleiterfertigung.<\/li>\n
  • Thermisches Abscheidungsverfahren (500-900\u00b0C):<\/strong> Erm\u00f6glicht eine schonende, plasmafreie Abscheidung zum Schutz empfindlicher Substrate und zur Aufrechterhaltung einer hohen Filmqualit\u00e4t.<\/li>\n
  • Intelligente Temperaturregelung:<\/strong> \u00dcberwachung und Einstellung in Echtzeit mit einer Genauigkeit von \u00b11\u00b0C f\u00fcr stabile, wiederholbare Ergebnisse.<\/li>\n
  • Ultra-Saubere Prozesskammer:<\/strong> Minimiert die Partikelkontamination und unterst\u00fctzt SiC und andere moderne Wafermaterialien.<\/li>\n
  • Anpassbare Konfiguration:<\/strong> Flexibles Design f\u00fcr verschiedene Prozessanforderungen, einschlie\u00dflich Trocken- oder Nassoxidation und unterschiedliche Wafergr\u00f6\u00dfen.<\/li>\n<\/ul>\n

    Technische Daten<\/strong><\/span><\/h2>\n
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    Merkmal<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
    Wafer Gr\u00f6\u00dfe<\/td>\n6\/8\/12 Zoll<\/td>\n<\/tr>\n
    Kompatible Materialien<\/td>\nPolysilizium, Siliziumnitrid, Siliziumoxid<\/td>\n<\/tr>\n
    Oxidation Typ<\/td>\nTrockensauerstoff \/ Nasssauerstoff (DCE, HCL)<\/td>\n<\/tr>\n
    Prozess-Temperaturbereich<\/td>\n500\u00b0C-900\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    Zone mit konstanter Temperatur<\/td>\n\u2265800 mm<\/td>\n<\/tr>\n
    Genauigkeit der Temperaturregelung<\/td>\n\u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
    Partikelkontrolle<\/td>\n0,32\u03bcm), 0,32\u03bcm), 0,226\u03bcm)<\/td>\n<\/tr>\n
    Filmdicke<\/td>\nNIT1500 \u00b150 \u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
    Einheitlichkeit<\/td>\nInnerhalb eines Wafers <2,5%, von Wafer zu Wafer <2,5%, von Charge zu Charge <2%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

    Produktmerkmale<\/strong><\/span><\/h2>\n
      \n
    • Die automatisierte Handhabung von Wafern gew\u00e4hrleistet hohe Sicherheit und betriebliche Effizienz.<\/li>\n
    • Die extrem saubere Prozesskammer reduziert das Kontaminationsrisiko und sorgt f\u00fcr eine gleichbleibende Filmqualit\u00e4t.<\/li>\n
    • Die \u00fcberragende Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Schichtdicke unterst\u00fctzt die Herstellung fortschrittlicher Knoten.<\/li>\n
    • Intelligente Temperatur- und Druckregelung in Echtzeit erm\u00f6glicht pr\u00e4zise Prozesseinstellungen.<\/li>\n
    • Der SiC-Wafer-Tr\u00e4ger reduziert Reibung und Partikelbildung und verl\u00e4ngert so die Lebensdauer des Wafers.<\/li>\n
    • Der modulare Aufbau erm\u00f6glicht die Anpassung an unterschiedliche Anwendungen und Prozessanforderungen.<\/li>\n<\/ul>\n

      Prinzip des Depositionsverfahrens\"\"<\/strong><\/span><\/h2>\n
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      1. Gas Einf\u00fchrung:<\/strong> Die Reaktionsgase werden unter niedrigem Druck (0,25-1 Torr) in das Rohr eingeleitet.<\/li>\n
      2. Oberfl\u00e4chen-Diffusion:<\/strong> Die Molek\u00fcle k\u00f6nnen frei \u00fcber die Waferoberfl\u00e4che diffundieren, was eine gleichm\u00e4\u00dfige Abdeckung gew\u00e4hrleistet.<\/li>\n
      3. Adsorption:<\/strong> Die Reaktanten haften vor der chemischen Reaktion an der Waferoberfl\u00e4che.<\/li>\n
      4. Chemische Reaktion:<\/strong> Durch thermische Zersetzung entsteht der gew\u00fcnschte d\u00fcnne Film direkt auf dem Substrat.<\/li>\n
      5. Entfernung von Nebenprodukten:<\/strong> Nicht reaktive Gase werden evakuiert, um die Reinheit zu erhalten und St\u00f6rungen zu vermeiden.<\/li>\n
      6. Filmbildung:<\/strong> Die Reaktionsprodukte reichern sich allm\u00e4hlich an und bilden eine gleichm\u00e4\u00dfige, stabile D\u00fcnnfilmschicht.<\/li>\n<\/ol>\n

        Anwendungen<\/strong><\/span><\/h2>\n
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        • Abschirmende Oxidschicht:<\/strong> Sch\u00fctzt Siliziumwafer vor Verunreinigungen und reduziert die Ionenkanalbildung bei Dotierungsprozessen.<\/li>\n<\/ul>\n

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          • Pad Oxidschicht:<\/strong> Wirkt als Spannungspuffer zwischen Silizium- und Siliziumnitridschichten, verhindert Waferrisse und verbessert die Ausbeute.<\/li>\n<\/ul>\n

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            • Gate-Oxidschicht:<\/strong> Stellt die dielektrische Schicht in MOS-Strukturen dar und gew\u00e4hrleistet eine pr\u00e4zise Stromleitung und Feldeffektsteuerung.<\/li>\n<\/ul>\n

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              System-Konfigurationen<\/strong><\/span><\/h2>\n
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              • Vertikale LPCVD:<\/strong> Die Prozessgase str\u00f6men von oben nach unten und sorgen f\u00fcr eine gleichm\u00e4\u00dfige Abscheidung auf allen Wafern einer Charge.<\/li>\n<\/ul>\n

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                • Horizontale LPCVD:<\/strong> Die Gase str\u00f6men entlang der L\u00e4nge der Substrate und eignen sich f\u00fcr die kontinuierliche Produktion gro\u00dfer Mengen, wobei die Abscheidungsdicke in der N\u00e4he der Einlassseite leicht variieren kann.<\/li>\n<\/ul>\n

                  \"\"<\/p>\n

                  H\u00e4ufig gestellte Fragen<\/strong><\/span><\/h2>\n

                  F1: Wof\u00fcr wird LPCVD haupts\u00e4chlich eingesetzt?<\/strong>
                  A: LPCVD ist ein Niederdruck-D\u00fcnnschichtverfahren, das in der Halbleiterherstellung f\u00fcr die Abscheidung von Polysilizium, Siliziumnitrid und Siliziumoxid weit verbreitet ist und gleichm\u00e4\u00dfige und hochwertige Schichten f\u00fcr die Herstellung moderner Bauelemente erm\u00f6glicht.<\/p>\n

                  F2: Wie unterscheidet sich die LPCVD von der PECVD?<\/strong>
                  A: Die LPCVD beruht auf einer thermischen Aktivierung unter niedrigem Druck, um hochreine Schichten zu erzeugen, w\u00e4hrend die PECVD ein Plasma bei niedrigeren Temperaturen f\u00fcr eine schnellere Abscheidung verwendet, oft mit etwas geringerer Schichtqualit\u00e4t.<\/p>\n

                  F3: Welche Wafergr\u00f6\u00dfen und Materialien sind mit diesem LPCVD-Oxidationsofen kompatibel?<\/strong>
                  A: Dieser Ofen unterst\u00fctzt 6-Zoll-, 8-Zoll- und 12-Zoll-Wafer und ist mit Polysilizium-, Siliziumnitrid-, Siliziumoxid- und SiC-Wafern kompatibel, was Flexibilit\u00e4t f\u00fcr verschiedene Halbleiteranwendungen bietet.<\/p>\n

                  F4: Kann der LPCVD-Oxidationsofen f\u00fcr spezifische Prozesse angepasst werden?<\/strong>
                  A: Ja, das System bietet modulare Konfigurationen, einschlie\u00dflich einstellbarer Temperaturzonen, Gasflusssteuerung und Oxidationsmodi (trocken oder nass), so dass es verschiedene Prozessanforderungen sowohl f\u00fcr die Forschung als auch f\u00fcr die Produktion im industriellen Ma\u00dfstab erf\u00fcllen kann.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                  Der 6\/8\/12-Zoll-LPCVD-Oxidationsofen (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) ist ein hochmodernes Werkzeug f\u00fcr die Halbleiterherstellung, das f\u00fcr die pr\u00e4zise und gleichm\u00e4\u00dfige Abscheidung von D\u00fcnnschichten entwickelt wurde. Er findet breite Anwendung beim Aufwachsen hochwertiger Polysilizium-, Siliziumnitrid- und Siliziumoxidschichten auf Wafern und gew\u00e4hrleistet eine gleichbleibende Leistung f\u00fcr Leistungshalbleiter, moderne Substrate und andere hochpr\u00e4zise 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