![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/03\/sic_growth_furnace_pvt_method_6inch_8inch_12_inch_low_energy_consumption1-300x300.webp\")
Der SiC-Z\u00fcchtungsofen (PVT-Methode) ist ein Hochleistungssystem f\u00fcr die Herstellung von 6-, 8- und 12-Zoll-Siliciumcarbid (SiC)-Einkristallen.<\/p>\nDer SiC-Z\u00fcchtungsofen (PVT-Methode) ist ein Hochleistungssystem f\u00fcr die Herstellung von 6-, 8- und 12-Zoll-Siliciumcarbid (SiC)-Einkristallen.<\/p>\n
Dank der fortschrittlichen Induktionsheiztechnologie bietet der Ofen eine schnelle Erw\u00e4rmung, eine pr\u00e4zise Temperaturregelung und einen geringen Energieverbrauch, was ihn zu einer idealen L\u00f6sung f\u00fcr die SiC-Kristallz\u00fcchtung im industriellen Ma\u00dfstab macht.<\/p>\n
Es wird h\u00e4ufig bei der Herstellung von SiC-Substraten f\u00fcr Leistungselektronik, RF-Bauteile und Halbleiteranwendungen der n\u00e4chsten Generation verwendet.<\/p>\n
Induktionsheizsystem
Direkte elektromagnetische Erw\u00e4rmung des Graphittiegels gew\u00e4hrleistet hohe Effizienz und schnelle thermische Reaktion<\/p>\n<\/li>\n
Ultrapr\u00e4zise Temperaturregelung
Genauigkeit von bis zu \u00b11\u00b0C, um stabile Kristallwachstumsbedingungen zu gew\u00e4hrleisten<\/p>\n<\/li>\n
Niedriger Energieverbrauch
Optimiertes thermisches Design reduziert die Betriebskosten erheblich<\/p>\n<\/li>\n
Hohe Stabilit\u00e4t und geringe Verunreinigung
Ber\u00fchrungslose Erw\u00e4rmung + Inertgasumgebung minimiert Verunreinigungen<\/p>\n<\/li>\n
Skalierbar f\u00fcr Kristalle mit gro\u00dfen Durchmessern
Unterst\u00fctzt 6\u2033, 8\u2033 und 12\u2033 SiC-Kristallwachstum<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
| Parameter<\/th>\n | Spezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|
| Abmessungen (L\u00d7B\u00d7H)<\/td>\n | 3200 \u00d7 1150 \u00d7 3600 mm (anpassbar)<\/td>\n<\/tr>\n |
| Durchmesser der Ofenkammer<\/td>\n | 400 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Maximale Temperatur<\/td>\n | 2400\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| Temperaturbereich<\/td>\n | 900-3000\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| Temperatur-Genauigkeit<\/td>\n | \u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| Heizmethode<\/td>\n | Induktionserw\u00e4rmung<\/td>\n<\/tr>\n |
| Stromversorgung<\/td>\n | 40 kW, 8-12 kHz<\/td>\n<\/tr>\n |
| Vakuum Niveau<\/td>\n | 5 \u00d7 10-\u2074 Pa<\/td>\n<\/tr>\n |
| Druckbereich<\/td>\n | 1-700 mbar<\/td>\n<\/tr>\n |
| Messung der Temperatur<\/td>\n | Zweifarbiges Infrarot<\/td>\n<\/tr>\n |
| Ladeverfahren<\/td>\n | Beladung von unten<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\nDesign-Vorteile<\/span><\/h2>\nKompatibel mit halbisolierendem und leitf\u00e4higem SiC-Kristallwachstum<\/p>\n<\/li>\n Tiegelrotationssystem verbessert die Temperaturgleichm\u00e4\u00dfigkeit<\/p>\n<\/li>\n Einstellbarer Induktionsspulenhub reduziert thermische St\u00f6rungen<\/p>\n<\/li>\n Doppelschichtige wassergek\u00fchlte Quarzkammer verl\u00e4ngert die Lebensdauer der Ger\u00e4te<\/p>\n<\/li>\n Zweipunkt-Temperatur\u00fcberwachung in Echtzeit<\/p>\n<\/li>\n Mehrere Regelungsmodi: konstante Leistung \/ Strom \/ Temperatur<\/p>\n<\/li>\n Intelligenter Ein-Klick-Start f\u00fcr automatischen Betrieb<\/p>\n<\/li>\n Kompakte Struktur f\u00fcr effizientes Fabriklayout<\/p>\n<\/li>\n Hochpr\u00e4zise Druckregelung (bis zu \u00b11 Pa)<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n Leistung und Anwendungen<\/span><\/h2>\nSiC-MOSFETs<\/p>\n<\/li>\n Schottky-Dioden<\/p>\n<\/li>\n RF-Ger\u00e4te<\/p>\n<\/li>\n Elektrofahrzeuge (EV-Leistungsmodule)<\/p>\n<\/li>\n Solar-Wechselrichter<\/p>\n<\/li>\n 5G-Kommunikationssysteme<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n Mit stabiler thermischer Kontrolle und optimierten Wachstumsbedingungen gew\u00e4hrleistet das System eine hohe Ausbeute, Konsistenz und Skalierbarkeit f\u00fcr die industrielle Produktion.<\/p>\n
Unser Leistungsspektrum (ZMSH)<\/span><\/h2>\n
|
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