![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl203679978-sapphire_crystal_growth_furnace_80_400kg_by_the_kyropoulos_method_ky5-300x300.jpg\")
<\/h2>\n<\/h2>\nDer ZMSH KY-Saphir-Kristallz\u00fcchtungsofen ist eine Hochtemperatur-Kristallz\u00fcchtungsanlage, die f\u00fcr die Produktion gro\u00dfer Saphir-Einkristalle konzipiert wurde und Kristallgewichte von 80 kg bis 400 kg unter Verwendung der Kyropoulos (KY)-Zuchtmethode unterst\u00fctzt.<\/p>\n
Der Ofen ist f\u00fcr die kontrollierte Verfestigung von Saphir unter geringen thermischen Belastungen optimiert. Durch die Kombination eines stabilen W\u00e4rmefelddesigns, einer pr\u00e4zisen Temperaturregelung und der Steuerung von Ultrahochvakuum und Gasatmosph\u00e4re erm\u00f6glicht das System die Z\u00fcchtung hochwertiger Saphir-Einkristalle mit geringen Defekten, die f\u00fcr Halbleiter-, Optik- und fortschrittliche Industrieanwendungen geeignet sind.<\/p>\n
Im Vergleich zu konventionellen Czochralski (CZ)-Z\u00fcchtungssystemen reduziert die KY-Methode die inneren Spannungen und die Versetzungsdichte erheblich, was sie f\u00fcr die Herstellung von Saphirkristallen mit gro\u00dfem Durchmesser und gro\u00dfer Dicke besser geeignet macht.<\/p>\n
Das Kyropoulos-Verfahren erm\u00f6glicht ein langsames Wachstum der Saphirkristalle in der Schmelze bei minimaler mechanischer Beanspruchung. Der Kristall wird weitgehend durch den Auftrieb gest\u00fctzt, was dies erm\u00f6glicht:<\/p>\n
Geringere thermische Gradienten<\/p>\n<\/li>\n
Geringere mechanische Belastung<\/p>\n<\/li>\n
Verbesserte Einheitlichkeit der Kristallstruktur<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Dieser Wachstumsansatz eignet sich besonders gut f\u00fcr die Herstellung gro\u00dfer, dicker Saphirbl\u00f6cke mit stabilen optischen und mechanischen Eigenschaften.<\/p>\n
Gewichtsbereich Kristall: 80-400 kg<\/p>\n<\/li>\n
Kristalldurchmesser: 10-500 mm<\/p>\n<\/li>\n
Kristalldicke: 50-300 mm<\/p>\n<\/li>\n
Wachstumsrate: 0,1-5 mm\/h (einstellbar)<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Die Konfiguration des Ofens kann an spezifische Kristallgr\u00f6\u00dfenvorgaben und an die Anforderungen der nachgelagerten Wafer- oder Komponentenherstellung angepasst werden.<\/p>\n
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Der Ofen verf\u00fcgt \u00fcber ein ausgewogenes W\u00e4rmefelddesign mit hochpr\u00e4ziser Temperaturregelung. Die Temperaturstabilit\u00e4t innerhalb der Wachstumszone tr\u00e4gt dazu bei, thermische Spannungen zu unterdr\u00fccken, das Risiko der Rissbildung zu minimieren und die Kristallausbeute zu verbessern.<\/p>\n
Der Betrieb unter Ultrahochvakuum (\u22641\u00d710-\u2076 Pa) und kontrollierter Argon-\/Wasserstoffgasatmosph\u00e4re sorgt f\u00fcr niedrige Kontaminationswerte und stabile Schmelzbedingungen \u00fcber lange Wachstumszyklen.<\/p>\n
Die KY-Methode minimiert die mechanische Interaktion zwischen dem Impfkristall und dem Ziehsystem, wodurch das Risiko von Verunreinigungen und strukturellen Defekten verringert wird.<\/p>\n
Die Anlage unterst\u00fctzt sowohl die Z\u00fcchtung von Saphirkristallen im mittleren als auch im gro\u00dfen Ma\u00dfstab und kann durch die modulare Konfiguration des Ofens an unterschiedliche Kristallgr\u00f6\u00dfen angepasst werden.<\/p>\n
Saphirsubstrate f\u00fcr die Halbleiterverarbeitung<\/p>\n<\/li>\n
Optische Fenster und Laserkomponenten<\/p>\n<\/li>\n
LED und optoelektronische Materialien<\/p>\n<\/li>\n
Optische Infrarot- und Hochtemperatursysteme<\/p>\n<\/li>\n
Schutzfenster f\u00fcr raue Umgebungen<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
| Artikel<\/th>\n | Spezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|
| Wachstumsmethode<\/td>\n | Kyropoulos (KY)<\/td>\n<\/tr>\n |
| Kristall-Gewichtsbereich<\/td>\n | 80-400 kg<\/td>\n<\/tr>\n |
| Bereich Kristalldurchmesser<\/td>\n | 10-500 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Bereich der Kristalldicke<\/td>\n | 50-300 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Wachstumsrate<\/td>\n | 0,1-5 mm\/h<\/td>\n<\/tr>\n |
| Heiztemperaturbereich<\/td>\n | 2000-2200\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| Heizungsanlage<\/td>\n | Hochtemperatur-Widerstandsheizung<\/td>\n<\/tr>\n |
| Tiegel Typ<\/td>\n | Tiegel aus Quarz<\/td>\n<\/tr>\n |
| Gas-Atmosph\u00e4re<\/td>\n | Argon\/Wasserstoff-Gemisch<\/td>\n<\/tr>\n |
| Vakuum Niveau<\/td>\n | \u22641 \u00d7 10-\u2076 Pa<\/td>\n<\/tr>\n |
| Abmessungen des Ofens<\/td>\n | Ca. 1200 \u00d7 800 \u00d7 1500 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Stromversorgung<\/td>\n | Industrielles AC-Hochleistungssystem<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\nKristallqualit\u00e4t und Materialleistung<\/h2>\nDie mit dem ZMSH-KY-Ofen gez\u00fcchteten Saphirkristalle weisen folgende Merkmale auf<\/p>\n
|
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<\/h2>\n