![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262693-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x199.webp\")
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Der ZMSH SiC Einkristall-Widerstandsheizungs-Z\u00fcchtungsofen ist ein Hochtemperatur-Kristallz\u00fcchtungssystem, das speziell f\u00fcr die Produktion von Siliziumkarbid-Einkristallen mit gro\u00dfem Durchmesser entwickelt wurde und die Herstellung von 6-, 8- und 12-Zoll SiC-Wafern unterst\u00fctzt.<\/p>\n
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tung.<\/p>\n
Der Ofen wurde auf der Grundlage des PVT-Kristallz\u00fcchtungsprinzips (Physical Vapor Transport) entwickelt und umfasst eine pr\u00e4zise Steuerung der Widerstandsheizung, eine stabile Verteilung des W\u00e4rmefelds, ein Hochvakuum-Umgebungsmanagement und eine genaue Druckregelung.
Diese Konfiguration erm\u00f6glicht die Z\u00fcchtung hochreiner SiC-Einkristalle mit geringer Defektdichte, die sich f\u00fcr moderne Leistungshalbleiter- und Elektronikger\u00e4teanwendungen eignen.<\/p>\n
Das System wurde entwickelt, um die Anforderungen der industriellen Produktion zu erf\u00fcllen und Prozessstabilit\u00e4t, Reproduzierbarkeit und langfristige Betriebszuverl\u00e4ssigkeit in gro\u00df angelegten SiC-Kristallzuchtumgebungen zu gew\u00e4hrleisten.<\/p>\n
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Der Ofen ist mit einer Mehrzonen-Widerstandsheizung ausgestattet, um eine gleichm\u00e4\u00dfige axiale und radiale Temperaturverteilung zu erreichen. Dadurch werden thermische Gradienten minimiert, interne Spannungen reduziert und die strukturelle Integrit\u00e4t der Kristalle w\u00e4hrend des Wachstumsprozesses verbessert.<\/p>\n
Maximale Betriebstemperatur bis zu 2500\u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
Genauigkeit der Temperaturregelung: \u00b11\u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
Gro\u00dfer Druckregelbereich: 1-700 mbar<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Diese Parameter sorgen f\u00fcr ein stabiles thermodynamisches Umfeld, das f\u00fcr die kontrollierte Sublimation, den Dampftransport und die Kristallrekristallisation beim SiC-Wachstum unerl\u00e4sslich ist.<\/p>\n
Mit einem Tiegeldurchmesser von 900 mm unterst\u00fctzt das System das Wachstum von 8- und 12-Zoll-SiC-Ingots der n\u00e4chsten Generation und erm\u00f6glicht es Herstellern, die Produktion zu skalieren und gleichzeitig die Ausbeute und die Konsistenz der Wafer zu verbessern.<\/p>\n
Der Ofen verf\u00fcgt \u00fcber eine leckarme Hochvakuum-Zuchtkammer, die das Kontaminationsrisiko verringert, die Reinheit der Kristalle verbessert und einen stabilen Betrieb \u00fcber lange Zeitr\u00e4ume gew\u00e4hrleistet.<\/p>\n
![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262670-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x300.webp\")
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Substrate f\u00fcr Leistungshalbleiter<\/p>\n<\/li>\n
Leistungsmodule f\u00fcr Elektrofahrzeuge<\/p>\n<\/li>\n
Hochspannungs-MOSFETs und -Dioden<\/p>\n<\/li>\n
Energieumwandlungssysteme f\u00fcr erneuerbare Energien<\/p>\n<\/li>\n
Elektronische Hochfrequenz- und RF-Komponenten<\/p>\n<\/li>\n
Industrielle Leistungselektronik<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
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| Nein.<\/th>\n | Spezifikation<\/th>\n | Einzelheiten<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| 1<\/td>\n | Modell<\/td>\n | PVT-RS-40<\/td>\n<\/tr>\n |
| 2<\/td>\n | Abmessungen des Ofens (L \u00d7 B \u00d7 H)<\/td>\n | 2500 \u00d7 2400 \u00d7 3456 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 3<\/td>\n | Durchmesser des Tiegels<\/td>\n | 900 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 4<\/td>\n | Ultimativer Vakuumdruck<\/td>\n | 6 \u00d7 10-\u2074 Pa (nach 1,5 h Vakuum)<\/td>\n<\/tr>\n |
| 5<\/td>\n | Leckagerate<\/td>\n | \u22645 Pa \/ 12 h (Ausheizen)<\/td>\n<\/tr>\n |
| 6<\/td>\n | Rotation Wellendurchmesser<\/td>\n | 50 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 7<\/td>\n | Rotationsgeschwindigkeit<\/td>\n | 0,5-5 U\/min<\/td>\n<\/tr>\n |
| 8<\/td>\n | Heizmethode<\/td>\n | Elektrische Widerstandsheizung<\/td>\n<\/tr>\n |
| 9<\/td>\n | Maximale Ofentemperatur<\/td>\n | 2500\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 10<\/td>\n | Heizleistung<\/td>\n | 40 kW \u00d7 2 + 20 kW<\/td>\n<\/tr>\n |
| 11<\/td>\n | Messung der Temperatur<\/td>\n | Zweifarbiges Infrarot-Pyrometer<\/td>\n<\/tr>\n |
| 12<\/td>\n | Temperaturbereich<\/td>\n | 900-3000\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 13<\/td>\n | Temperatur-Genauigkeit<\/td>\n | \u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 14<\/td>\n | Druckbereich<\/td>\n | 1-700 mbar<\/td>\n<\/tr>\n |
| 15<\/td>\n | Genauigkeit der Druckregelung<\/td>\n | \u00b10,5% Skalenendwert<\/td>\n<\/tr>\n |
| 16<\/td>\n | Art der Operation<\/td>\n | Beladung von unten, manueller oder automatischer Sicherheitsmodus<\/td>\n<\/tr>\n |
| 17<\/td>\n | Optionale Konfigurationen<\/td>\n | Mehrzonenheizung, doppelte Temperatur\u00fcberwachung<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/h2>\n |