{"id":1636,"date":"2026-03-17T07:52:18","date_gmt":"2026-03-17T07:52:18","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&#038;p=1636"},"modified":"2026-03-20T07:39:36","modified_gmt":"2026-03-20T07:39:36","slug":"6-8-inch-silicon-sic-wafer-quad-polishing-automation-line-with-cleaning-and-re-mounting-loop","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/product\/6-8-inch-silicon-sic-wafer-quad-polishing-automation-line-with-cleaning-and-re-mounting-loop\/","title":{"rendered":"6-8-Zoll Silizium- und SiC-Wafer-Vierfach-Polierautomatisierungslinie mit Reinigungs- und Wiedereinsetzschleife"},"content":{"rendered":"<h2 data-start=\"323\" data-end=\"346\">Produkt\u00fcbersicht<\/h2>\n<p data-start=\"348\" data-end=\"597\">Die 6-8 Zoll Silizium- und SiC-Wafer-Vierfach-Polierautomatisierungslinie mit Reinigungs- und Remontierungsschleife ist eine vollst\u00e4ndig integrierte Prozessplattform f\u00fcr die Nachpolierung, die f\u00fcr die Herstellung von Silizium- und Siliziumkarbid-Wafern in hohen St\u00fcckzahlen entwickelt wurde.<\/p>\n<p data-start=\"599\" data-end=\"886\">Das System verbindet das Polieren mit vier K\u00f6pfen, die automatische Entnahme von Wafern, die Handhabung von Keramiktr\u00e4gern, die Reinigung von Tr\u00e4gern und die Wiedermontage von Pr\u00e4zisionswafern zu einem kontinuierlichen, geschlossenen Kreislauf, der die manuelle Handhabung \u00fcberfl\u00fcssig macht und maximale Prozessstabilit\u00e4t, Wiederholbarkeit und Ausbeute gew\u00e4hrleistet.<\/p>\n<p data-start=\"888\" data-end=\"1066\">Es ist f\u00fcr Leistungshalbleiter-Wafer, SiC-Substrate und moderne Verpackungsanwendungen optimiert, bei denen Ebenheit, Oberfl\u00e4chenintegrit\u00e4t und Kontaminationskontrolle entscheidend sind.<\/p>\n<p data-start=\"888\" data-end=\"1066\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" class=\"aligncenter wp-image-1646 size-full\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/1572413524100.jpg\" alt=\"\" width=\"800\" height=\"515\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/1572413524100.jpg 800w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/1572413524100-300x193.jpg 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/1572413524100-768x494.jpg 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/1572413524100-600x386.jpg 600w\" sizes=\"(max-width: 800px) 100vw, 800px\" \/><\/p>\n<h2 data-start=\"1073\" data-end=\"1107\">Closed-Loop-Prozesskonzept<\/h2>\n<p data-start=\"1109\" data-end=\"1218\">Im Gegensatz zu herk\u00f6mmlichen halbmanuellen Polieranlagen arbeitet dieses System als echter geschlossener Tr\u00e4gerkreislauf:<\/p>\n<p data-start=\"1220\" data-end=\"1292\">Polieren \u2192 Ausbauen \u2192 Tr\u00e4gerreinigung \u2192 Wiedereinbauen \u2192 Polieren<\/p>\n<p data-start=\"1294\" data-end=\"1508\">Keramiktr\u00e4ger zirkulieren automatisch im System, w\u00e4hrend die Wafer unter streng kontrollierten Bedingungen pr\u00e4zise entnommen und wieder montiert werden.<br data-start=\"1440\" data-end=\"1443\" \/>Durch diese Architektur wird sichergestellt, dass jeder Polierzyklus mit dem ersten Schritt beginnt:<\/p>\n<ul data-start=\"1509\" data-end=\"1622\">\n<li data-start=\"1509\" data-end=\"1538\">\n<p data-start=\"1511\" data-end=\"1538\">Eine saubere Tr\u00e4geroberfl\u00e4che<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"1539\" data-end=\"1573\">\n<p data-start=\"1541\" data-end=\"1573\">Ein pr\u00e4zise positionierter Wafer<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"1574\" data-end=\"1622\">\n<p data-start=\"1576\" data-end=\"1622\">Eine stabile und wiederholbare Montageschnittstelle<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"1624\" data-end=\"1733\">Das Ergebnis ist ein geringerer Waferbruch, eine verbesserte Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Dicke und eine h\u00f6here Konsistenz von Charge zu Charge.<\/p>\n<p data-start=\"1624\" data-end=\"1733\"><img decoding=\"async\" class=\"aligncenter wp-image-1647 size-large\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/6-8-Inch-Silicon-SiC-Wafer-Quad-Polishing-Automation-Line-with-Cleaning-and-Re-Mounting-Loop-1024x1024.jpg\" alt=\"\" width=\"1024\" height=\"1024\" srcset=\"\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" data-srcset=\"\" \/><\/p>\n<h2 data-start=\"1740\" data-end=\"1782\">Prozesskritischer technischer Entwurf<\/h2>\n<h3 data-start=\"1784\" data-end=\"1817\">Wafer-Handhabung mit geringem Stress<\/h3>\n<p data-start=\"1818\" data-end=\"1951\">Spezielle Bewegungsprofile und Demontagetrajektorien werden verwendet, um die Beschleunigung, die Kontaktkraft und den Trennwinkel zu kontrollieren und zu reduzieren:<\/p>\n<ul data-start=\"1952\" data-end=\"2019\">\n<li data-start=\"1952\" data-end=\"1969\">\n<p data-start=\"1954\" data-end=\"1969\">Kantenabsplitterung<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"1970\" data-end=\"1986\">\n<p data-start=\"1972\" data-end=\"1986\">Mikrorisse<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"1987\" data-end=\"2019\">\n<p data-start=\"1989\" data-end=\"2019\">Stressbedingter Waferverzug<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"2021\" data-end=\"2136\">Dies ist besonders wichtig f\u00fcr SiC-Wafer, die hart und spr\u00f6de sind und sehr empfindlich auf mechanische St\u00f6\u00dfe reagieren.<\/p>\n<h3 data-start=\"2143\" data-end=\"2185\">Ultra-Clean Carrier Rekonditionierung<\/h3>\n<p data-start=\"2186\" data-end=\"2365\">Vor jedem Neumontagezyklus werden die Keramiktr\u00e4ger durch Entfernen von Schlickerr\u00fcckst\u00e4nden, feinen Partikeln und chemischen Filmen wieder in einen prozessf\u00e4higen Oberfl\u00e4chenzustand versetzt.<br data-start=\"2348\" data-end=\"2351\" \/>Dies verhindert:<\/p>\n<ul data-start=\"2366\" data-end=\"2458\">\n<li data-start=\"2366\" data-end=\"2396\">\n<p data-start=\"2368\" data-end=\"2396\">Partikel-induzierte Kratzer<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"2397\" data-end=\"2431\">\n<p data-start=\"2399\" data-end=\"2431\">Lokale Ungleichm\u00e4\u00dfigkeit beim Polieren<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"2432\" data-end=\"2458\">\n<p data-start=\"2434\" data-end=\"2458\">Zuf\u00e4llige Oberfl\u00e4chenfehler<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"2460\" data-end=\"2527\">die bei CMP- und Vierfach-Poliervorg\u00e4ngen die Ausbeute erheblich schm\u00e4lern.<\/p>\n<h3 data-start=\"2534\" data-end=\"2585\">Pr\u00e4zises Nachmontieren f\u00fcr gleichm\u00e4\u00dfiges Polieren<\/h3>\n<p data-start=\"2586\" data-end=\"2616\">Die Wiedereinbaueinheit steuert:<\/p>\n<ul data-start=\"2617\" data-end=\"2697\">\n<li data-start=\"2617\" data-end=\"2638\">\n<p data-start=\"2619\" data-end=\"2638\">Montagedruck<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"2639\" data-end=\"2658\">\n<p data-start=\"2641\" data-end=\"2658\">Ausrichtung der Wafer<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"2659\" data-end=\"2697\">\n<p data-start=\"2661\" data-end=\"2697\">Ebenheit \u00fcber den gesamten Tr\u00e4ger<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"2699\" data-end=\"2822\">Dadurch wird gew\u00e4hrleistet, dass alle Wafer beim n\u00e4chsten Vierfach-Polierzyklus einem gleichm\u00e4\u00dfigen Polierdruck ausgesetzt sind, was zu einem besseren Ergebnis f\u00fchrt:<\/p>\n<ul data-start=\"2823\" data-end=\"2926\">\n<li data-start=\"2823\" data-end=\"2867\">\n<p data-start=\"2825\" data-end=\"2867\">Verbesserte TTV (Total Thickness Variation)<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"2868\" data-end=\"2896\">\n<p data-start=\"2870\" data-end=\"2896\">Bessere Oberfl\u00e4chenrauhigkeit<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"2897\" data-end=\"2926\">\n<p data-start=\"2899\" data-end=\"2926\">H\u00f6here Ausbeute an nutzbaren Wafern<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<h2 data-start=\"2933\" data-end=\"2962\">Produktionsflexibilit\u00e4t<\/h2>\n<p data-start=\"2964\" data-end=\"3062\">Das System unterst\u00fctzt mehrere Wafer- und Tr\u00e4gerkonfigurationen, so dass Fabriken die Linie auf die jeweiligen Anforderungen abstimmen k\u00f6nnen:<\/p>\n<ul data-start=\"3063\" data-end=\"3163\">\n<li data-start=\"3063\" data-end=\"3089\">\n<p data-start=\"3065\" data-end=\"3089\">Maximaler Durchsatz<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"3090\" data-end=\"3122\">\n<p data-start=\"3092\" data-end=\"3122\">Maximale Kontrolle der Ebenheit<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"3123\" data-end=\"3163\">\n<p data-start=\"3125\" data-end=\"3163\">Gemischte 6-Zoll- und 8-Zoll-Produktion<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"3165\" data-end=\"3203\">Damit ist die Linie f\u00fcr beide geeignet:<\/p>\n<ul data-start=\"3204\" data-end=\"3283\">\n<li data-start=\"3204\" data-end=\"3243\">\n<p data-start=\"3206\" data-end=\"3243\">Gro\u00dfserienproduktion von Stromversorgungsger\u00e4ten<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"3244\" data-end=\"3283\">\n<p data-start=\"3246\" data-end=\"3283\">Hochwertige SiC-Substratbearbeitung<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<h2 data-start=\"3290\" data-end=\"3317\">Typische Anwendungen<\/h2>\n<ul data-start=\"3319\" data-end=\"3498\">\n<li data-start=\"3319\" data-end=\"3385\">\n<p data-start=\"3321\" data-end=\"3385\">Si- und SiC-Leistungshalbleiter-Wafer (MOSFETs, IGBTs, Dioden)<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"3386\" data-end=\"3425\">\n<p data-start=\"3388\" data-end=\"3425\">SiC-Substrate und epitaktische Wafer<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"3426\" data-end=\"3455\">\n<p data-start=\"3428\" data-end=\"3455\">Moderne Verpackungswafer<\/p>\n<\/li>\n<li data-start=\"3456\" data-end=\"3498\">\n<p data-start=\"3458\" data-end=\"3498\">Hochpr\u00e4zise polierte Siliziumwafer<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<h3 data-start=\"58\" data-end=\"102\"><strong data-start=\"62\" data-end=\"102\">FAQ - Zus\u00e4tzliche technische Fragen<\/strong><\/h3>\n<p data-start=\"104\" data-end=\"461\"><strong>F1: Wie minimiert das System Waferbr\u00fcche bei spr\u00f6den SiC-Wafern?<\/strong><br data-start=\"179\" data-end=\"182\" \/>Die Linie verwendet Algorithmen zur stressarmen Demontage und kontrollierte Bewegungsprofile, die Beschleunigung, Trennwinkel und Kontaktkraft sorgf\u00e4ltig steuern. Dies verhindert Kantenabplatzungen, Mikrorisse und spannungsbedingten Waferverzug, die bei SiC-Substraten h\u00e4ufig auftreten.<\/p>\n<p data-start=\"468\" data-end=\"792\"><strong>F2: Kann die Reinigungs- und Wiedereinbauschleife mehrere Tr\u00e4gerspezifikationen verarbeiten?<\/strong><br data-start=\"553\" data-end=\"556\" \/>Ja. Die Puffer- und Reinigungsmodule f\u00fcr Tr\u00e4ger unterst\u00fctzen mehrere Keramiktr\u00e4gerdurchmesser (z. B. 485 mm und 576 mm) und Waferzahlen pro Tr\u00e4ger. Dies erm\u00f6glicht die Produktion von 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafern in verschiedenen Gr\u00f6\u00dfen ohne Unterbrechung der Produktionslinie.<\/p>\n<p data-start=\"799\" data-end=\"1201\"><strong>F3: Wie gew\u00e4hrleistet das System eine wiederholbare Polierqualit\u00e4t \u00fcber alle Chargen hinweg?<\/strong><br data-start=\"878\" data-end=\"881\" \/>Durch die Kombination von extrem sauberen Tr\u00e4geroberfl\u00e4chen, pr\u00e4ziser Waferausrichtung und Ebenheitskontrolle wird jeder Wafer unter identischen Bedingungen montiert. Dies garantiert einen konstanten Polierdruck, einen gleichm\u00e4\u00dfigen Materialabtrag und eine minimale TTV, was zu einer stabilen Ausbeute und Oberfl\u00e4chenqualit\u00e4t \u00fcber alle Produktionschargen hinweg f\u00fchrt.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Die 6-8 Zoll Silizium- und SiC-Wafer-Vierfach-Polierautomatisierungslinie mit Reinigungs- und Remontierungsschleife ist eine vollst\u00e4ndig integrierte Prozessplattform f\u00fcr die Nachpolierung, die f\u00fcr die Herstellung von Silizium- und Siliziumkarbid-Wafern in hohen St\u00fcckzahlen entwickelt 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